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TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認為是半導體行業(yè)最先進的技術之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術的最新進展。
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Sensor Hub(傳感器集線器)方案整合度將再次大幅提升。微控制器(MCU)供應商正借重系統(tǒng)級封裝(SiP)和硅穿孔(TSV)技術,整合微控制器和多...
TSV3DIC技術雖早于2002年由IBM所提出,然而,在前后段IC制造技術水準皆尚未成熟情況下,TSV3DIC技術發(fā)展速度可說是相當緩慢,DIGITI...
在日本,硅通孔(TSV:Through Silicon Via)技術從10多年前開始就備受業(yè)界關注。比如,日本超尖端電子技術開發(fā)機構(ASET)從1...
在“NEPCON日本2013”的技術研討會上,英特爾和高通分別就有望在新一代移動SoC(系統(tǒng)級芯片)領域實現(xiàn)實用的 TSV(硅通孔)三維封裝技術發(fā)表了演...
可穿戴式電腦將會成為下一波主流趨勢,不僅是一種消費性電子產品,也會是全方位的運算解決方案;在過去數(shù)年,可穿戴式電子產品一直是產業(yè)界的熱門話題,以健身配件...
英飛凌面向移動系統(tǒng)推出具備低動態(tài)電阻和超低電容的TVS器件
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日推出一系列可為移動電子系統(tǒng)提供一流靜電釋放(ESD)保護的瞬態(tài)電壓抑制(TVS)...
IC Insight指出在2007年至2012年期間,全球IC市場的年均增長率CAGR僅為2.1%,而2013年全球集成電路產業(yè)已度過最低增長的困難的5...
采用矽穿孔(TSV)的2.5D或3D IC技術,由于具備更佳的帶寬與功耗優(yōu)勢,并能以更高整合度突破制程微縮已趨近極限的挑戰(zhàn),是近年來半導體產業(yè)的重要發(fā)展...
類比積體電路設計也將進入三維晶片(3D IC)時代。在數(shù)位晶片開發(fā)商成功量產3D IC方案后,類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產線,期透過矽穿孔(...
GlobalFoundries 已開始在紐約的 Fab 8 廠房中安裝硅穿孔(TSV)設備。如果一切順利,該公司希望在2013下半年開始採用 20n...
2012-05-01 標簽:TSV硅穿孔GlobalFoundries 1193 0
工業(yè)以太網SPE連接器是一種全新的連接器,它可以實現(xiàn)標準以太網(例如,IEEE 802.3)上更高的帶寬,同時還能適應工業(yè)環(huán)境下的特殊要求。SPE連接器...
12英寸深硅刻蝕機銷售突破百腔,北方華創(chuàng)助力Chiplet TSV工藝發(fā)展
隨著晶體管尺寸不斷向原子尺度靠近,摩爾定律正在放緩,面對工藝技術持續(xù)微縮所增加的成本及復雜性,市場亟需另辟蹊徑以實現(xiàn)低成本前提下的芯片高性能,以TSV(...
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