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標(biāo)簽 > utc
utc指的是世界協(xié)調(diào)時(shí)間。GPS系統(tǒng)中有兩種時(shí)間區(qū)分,一為UTC,另一為L(zhǎng)T(地方時(shí)),兩者的區(qū)別為時(shí)區(qū)不同,UTC就是0時(shí)區(qū)的時(shí)間,LT為本地時(shí)間,如北京LT時(shí)間為早上八點(diǎn)(東八區(qū)),UTC時(shí)間就為零點(diǎn)。
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型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
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TL062 | TL062 - LOW POWER DUAL J-FET OPERATIONAL AMPLIFIER - Unisonic Technologies |
獲取價(jià)格
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UP1753G-AA3-R | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):6A;功率(Pd):800mW; |
獲取價(jià)格
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LM2940G-12V-AA3-R | 輸出類(lèi)型:固定;輸出極性:正;最大輸入電壓:26V;輸出電壓:12V;輸出電流:1A;電源紋波抑制比(PSRR):66dB@(120Hz); |
獲取價(jià)格
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MCR100G-8-AD |
獲取價(jià)格
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2N60G-CB-AA3-R | 類(lèi)型:N溝道;漏源電壓(Vdss):600V;連續(xù)漏極電流(Id):2A;功率(Pd):44W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價(jià)格
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LD1117AG-1.5V | 輸出類(lèi)型:固定;輸出極性:正;最大輸入電壓:15V;輸出電壓:1.5V;輸出電流:1A;電源紋波抑制比(PSRR):75dB@(120Hz); |
獲取價(jià)格
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1N65G-AA3-R | 類(lèi)型:N溝道;漏源電壓(Vdss):650V;連續(xù)漏極電流(Id):1.2A;功率(Pd):8W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.5Ω@10V,600mA;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價(jià)格
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PZTA92G-AA3-R | 晶體管類(lèi)型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):300V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):1W;集電極截止電流(Icbo):250nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):60@1mA,10V;特征頻率(fT):50MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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UF640G-TN3-R |
獲取價(jià)格
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3N90L-TQ2-R |
獲取價(jià)格
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7N65L-TN3-R |
獲取價(jià)格
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2SB649AG-C-TN3-R | 晶體管類(lèi)型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):160V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):2W;集電極截止電流(Icbo):10uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@600mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,5V;特征頻率(fT):140MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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2SD669AG-C-TN3-R | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):160V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):2W;集電極截止電流(Icbo):10μA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@600mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,5V;特征頻率(fT):140MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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2SC5353BL-TN3-R | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):750V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):22W;集電極截止電流(Icbo):100μA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@1.2A,240mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征頻率(fT):-;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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2SB649AG-C-AB3-R | 雙極功率通用晶體管 SOT89 160V 1.5A 0.5W |
獲取價(jià)格
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2SC4672G-A-AB3-R |
獲取價(jià)格
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MCR100G-6-AD-AE3-R | PNPN |
獲取價(jià)格
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MCR100G-8-AD-AE3-R編帶 | 單向可控硅 |
獲取價(jià)格
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UT2305G-AE2-R | 類(lèi)型:P溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):4.2A;功率(Pd):830mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@4.5V,4.2A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA; |
獲取價(jià)格
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UT2302G-AE2-R | 類(lèi)型:N溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):2.4A;功率(Pd):1.25W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):95mΩ@2.5V,3.1A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):450mV@250uA; |
獲取價(jià)格
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2SC3356G-B-AE2-R | 晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):12V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集電極截止電流(Icbo):1uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@20mA,10V;特征頻率(fT):7GHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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DTA114EL-T92-K | 晶體管類(lèi)型:1個(gè)PNP-預(yù)偏置;功率(Pd):625mW;集電極電流(Ic):100mA;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極截止電流(Icbo):-;集射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小輸入電壓(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@10mA,300mV;最大輸入電壓(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;輸出電壓(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,500uA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5 |
獲取價(jià)格
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79L05G-T92-B | 輸出類(lèi)型:-; |
獲取價(jià)格
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TIP32CL-TA3-T | 晶體管類(lèi)型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征頻率(fT):3MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
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UF740L-TA3-T | 類(lèi)型:N溝道;漏源電壓(Vdss):400V;連續(xù)漏極電流(Id):10A;功率(Pd):125W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):550mΩ@10V,5.2A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價(jià)格
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UT100N03L-TA3-T | 類(lèi)型:N溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):100A;功率(Pd):100W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.3mΩ@10V,50A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA; |
獲取價(jià)格
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2N60L-TA3-T | 類(lèi)型:N溝道;漏源電壓(Vdss):600V;連續(xù)漏極電流(Id):2A;功率(Pd):54W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,2A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價(jià)格
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12N60L-TF2-T | 類(lèi)型:N溝道;漏源電壓(Vdss):600V;連續(xù)漏極電流(Id):12A;功率(Pd):51W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,6A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):4V@250uA; |
獲取價(jià)格
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LM7912L-TA3-T | 3端子1A負(fù)電壓調(diào)節(jié)器 |
獲取價(jià)格
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LD1117AL-50-TA3-A-T | 輸出類(lèi)型:固定;輸出極性:正;最大輸入電壓:15V;輸出電壓:5V;輸出電流:1A;電源紋波抑制比(PSRR):75dB@(120Hz); |
獲取價(jià)格
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