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標簽 > VDMOS
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在過去的二十年間,MOSFET作為開關器件發展迅速。然而,由于MOSFET的通態功耗較高,導通電阻受擊穿電壓限制而存在一個極限,被稱為“硅極限”。為了突...
VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)是一種垂直雙擴散金屬氧化物半導體器件,...
Vdmos(垂直雙擴散金屬氧化物半導體)和MOS(金屬氧化物半導體)是兩種不同類型的半導體器件,它們在結構、工作原理、應用等方面都有所區別。 1. 結構...
平面型VDMOS和超結型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇?
平面型VDMOS和超結型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇? 平面型VDMOS和超結型VDMOS是常見的金屬氧化物半導體場效應管(MOSFETs)...
目前市場上使用較多的主要是N溝道增強型VDMOS產品,其也是目前各半導體公司開發生產的主流功率MOSFET產品。
2011-12-02 標簽:VDMOS 4716 0
直流無刷電機的逆變器由六個功率VDMOS管和六個續流二極管組成,六個續流二極管分別寄生在這六個VDMOS管里,因而從控制器外面看只有六個VDMOS管。
一種減少VDMOS寄生電容的新結構 0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比,它的開關速度快,開關損耗小,輸入電阻高...
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