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超結結構工藝實現方式

在過去的二十年，MOSFET主要用作開關器件，得到了長足的發展，由于它是多子器件，有相對較小的開關損耗，但其通態功耗較高，要降低通態功耗，導通電阻受擊穿...

2024-10-15 標簽：MOSFET 半導體 VDMOS 341 0

VDMOS技術概述和特點

在過去的二十年間，MOSFET作為開關器件發展迅速。然而，由于MOSFET的通態功耗較高，導通電阻受擊穿電壓限制而存在一個極限，被稱為“硅極限”。為了突...

2024-10-15 標簽：MOSFET 半導體 VDMOS 515 0

VDMOS器件關鍵參數介紹

如圖1所示，VDMOS結構就是P型注入和N+注入后兩次擴散形成P型區和N+型區，在硅表面P型區和N+型區之間形成溝道，在柵極加壓后溝道開啟，電流在溝道內...

2024-10-08 標簽：二極管 VDMOS 柵極 722 0

vdmos是什么型器件

VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）是一種垂直雙擴散金屬氧化物半導體器件，...

2024-09-29 標簽：電流 VDMOS 半導體器件 759 0

vdmos和mos有什么區別

Vdmos（垂直雙擴散金屬氧化物半導體）和MOS（金屬氧化物半導體）是兩種不同類型的半導體器件，它們在結構、工作原理、應用等方面都有所區別。 1. 結構...

2024-09-29 標簽：半導體 VDMOS 晶體管 932 0

金屬封裝功率器件管殼鍍金層腐蝕機理研究

金屬封裝形式的氧化物半導體場效應晶體管（ VDMOS ），在經歷篩選試驗后，管殼表面的金屬層出現了腐蝕形貌，通過顯微鏡觀察、掃描電鏡、 EDS 能...

2024-06-20 標簽：VDMOS 封裝功率器件 1676 1

RC-IGBT電壓折回現象產生機理及改進結構介紹

IGBT同時集MOSFET易驅動和BJT大電流兩個顯著特點于一身，因此在新能源、高鐵、智能電網、電動汽車這些綠色產業中成為不可或缺的核心功率器件。

2023-11-24 標簽：MOSFET VDMOS IGBT 2876 0

如何提高開關電源芯片MOSFET雪崩可靠性？

當功率器件PN結的反向電壓增大到某一數值后，半導體內載流子通過碰撞電離開始倍增，這一現象與宏觀世界中高山雪崩是很像的，所以我們稱之為雪崩擊穿。

2023-11-23 標簽：MOSFET 示波器 VDMOS 1202 0

Cool-MOS的定義、優勢及實際應用問題分析

對于常規VDMOS 器件結構， Rdson 與BV 這一對矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI 參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EP...

2017-11-29 標簽：vdmos coolmos 9372 0

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