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標(biāo)簽 > 光刻

光刻

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光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔,以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。

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光刻技術(shù)

接觸孔工藝的制造流程

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接觸孔工藝是指在 ILD 介質(zhì)層上形成很多細(xì)小的垂直通孔,它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填充材料是金屬鎢(W),接觸孔材料不能用Cu,因?yàn)?C...

2024-11-15 標(biāo)簽:晶圓工藝光刻 379 0

柵氧化層工藝的制造流程

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與亞微米工藝類似,柵氧化層工藝是通過熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層,它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

2024-11-05 標(biāo)簽:晶圓工藝光刻 367 0

有源區(qū)工藝的制造過程

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有源區(qū)工藝是指通過刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底,而保留器件的有源區(qū)。

2024-10-31 標(biāo)簽:晶圓工藝光刻 276 0

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線,頂層金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第二層金屬連接起來。頂層金屬需要作為電源走線,連接很長的距離,需要比較低的電阻,需要...

2024-10-29 標(biāo)簽:晶圓工藝光刻 293 0

金屬層2工藝是什么

金屬層2工藝是什么

金屬層2(M2)工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線,金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來。

2024-10-24 標(biāo)簽:晶圓工藝光刻 270 0

Line Edge Roughness (LER) 線邊緣粗糙度

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來源:C Lighting 線邊緣粗糙度(LER) 線邊緣粗糙度(LER)指的是柵極圖案邊緣的隨機(jī)變化,即印刷圖案邊緣的粗糙度。當(dāng)最小特征尺寸減小到幾十...

2024-08-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體光刻 2371 0

晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋

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共讀好書 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...

2024-07-30 標(biāo)簽:光刻蝕刻晶圓制造 1548 0

激光指向穩(wěn)定在光刻系統(tǒng)應(yīng)用中的關(guān)鍵作用及其優(yōu)化方案

激光指向穩(wěn)定在光刻系統(tǒng)應(yīng)用中的關(guān)鍵作用及其優(yōu)化方案

光刻是半導(dǎo)體制造工藝中的核心之一,極紫外光刻技術(shù)作為新一代光刻技術(shù)也處于快速發(fā)展階段。其基本原理是利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐...

2024-06-27 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體激光 425 0

電子束技術(shù)的原理與應(yīng)用概覽

電子束技術(shù)的原理與應(yīng)用概覽

電子束技術(shù)在半導(dǎo)體制造行業(yè)一直是重要的應(yīng)用技術(shù)。本文就電子束技術(shù)作一個(gè)簡單的圖文介紹。

2024-04-30 標(biāo)簽:光刻電子束半導(dǎo)體制造 1568 0

玻璃通孔技術(shù)研究進(jìn)展

玻璃通孔技術(shù)研究進(jìn)展

聚焦放電主要包括兩個(gè)步驟:1) 將玻璃放在兩個(gè)電極之間,通過控制放電對玻璃局部區(qū)域進(jìn)行放電熔融;2)通過焦耳熱使玻璃內(nèi)部產(chǎn)生高應(yīng)力,引起內(nèi)部高壓和介電擊穿。

2024-04-26 標(biāo)簽:等離子光刻顯微鏡 1107 0

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光刻資料下載

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光刻資訊

ALE光刻曝光光源與常見矩陣式LED光源性能對比

ALE光刻曝光光源與常見矩陣式LED光源性能對比

匯集多種優(yōu)勢特征于一體的平行紫外光源是半導(dǎo)體芯片制造中實(shí)現(xiàn)高精度、超準(zhǔn)確曝光效果的關(guān)鍵。對比矩陣式LED光源,友思特ALE光源的光刻曝光效果展示出了優(yōu)異的性能。

2024-12-23 標(biāo)簽:晶圓光刻曝光 64 0

正性光刻對掩膜版的要求

在正性光刻過程中,掩膜版(Photomask)作為圖形轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵工具,其性能直接影響到最終圖形的精確度和質(zhì)量。以下是正性光刻對掩膜版的主要要求: 圖案準(zhǔn)...

2024-12-20 標(biāo)簽:光刻微流控掩膜 150 0

IC載板制造商需要了解的光刻技術(shù)信息

? 圖像轉(zhuǎn)移,也稱為光刻技術(shù)(或簡稱光刻),在PCB的電路圖形方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。它能實(shí)現(xiàn)復(fù)雜和精確的連接,以支持在更小的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)更多連接。隨著對更高密度...

2024-12-05 標(biāo)簽:pcb封裝光刻 141 0

光刻掩膜和光刻模具的關(guān)系

光刻掩膜(也稱為光罩)和模具在微納加工技術(shù)中都起著重要的作用,但它們的功能和應(yīng)用有所不同。 光刻掩膜版 光刻掩膜版是微納加工技術(shù)中常用的光刻工藝所使用的...

2024-10-14 標(biāo)簽:光刻掩膜 261 0

光掩膜基版在光刻中的作用

想必大家都有所了解,光刻機(jī)對芯片制造的重要性,而光掩膜版又稱光罩,光掩膜等; 光掩膜版是由制造商通過光刻制版工藝將電路圖刻制于基板上制作而成,主要作用體...

2024-10-09 標(biāo)簽:光刻 330 0

光刻掩膜版制作流程

光刻掩膜版的制作是一個(gè)復(fù)雜且精密的過程,涉及到多個(gè)步驟和技術(shù)。以下是小編整理的光刻掩膜版制作流程: 1. 設(shè)計(jì)與準(zhǔn)備 在開始制作光刻掩膜版之前,首先需要...

2024-09-14 標(biāo)簽:光刻掩膜 629 0

芯片光刻掩膜的保存方法

光刻掩模是光的一種掩蔽模片,其作用有類似于照相的通過它,可以使它“底下“的光劑部分成光,難溶于有機(jī)藥品,一部分不感光,易溶于有機(jī)藥品,以而制得選擇擴(kuò)散所...

2024-09-04 標(biāo)簽:芯片光刻掩膜 262 0

什么是光刻掩膜版保護(hù)膜?

什么是光刻掩膜版保護(hù)膜?

大家都知道掩膜版主要由基板、遮光層和保護(hù)膜組成,其中基板(主要采用玻璃基材,包括石英 和蘇打兩種材質(zhì))占直接原材料成本比重達(dá)90%。 那么什么是掩膜版保...

2024-08-16 標(biāo)簽:芯片光刻保護(hù)膜 466 0

微流控光刻掩膜版的介紹及作用

微流控光刻掩膜版的介紹及作用

微流控光刻掩膜在微流控芯片制造中扮演著至關(guān)重要的角色。它的主要作用是通過曝光和顯影等工序,將掩膜上已設(shè)計(jì)好的圖案轉(zhuǎn)移到襯底的光刻膠上,進(jìn)行圖像復(fù)制,從而...

2024-08-15 標(biāo)簽:光刻微流控掩膜 614 0

微流控光刻掩膜制作

微流控光刻掩膜的制作過程涉及多個(gè)步驟,?包括設(shè)計(jì)、?制版、?曝光、?顯影、?刻蝕等,?最終形成具有特定圖形結(jié)構(gòu)的掩膜版。? 首先,?設(shè)計(jì)階段是制作掩膜版...

2024-08-08 標(biāo)簽:光刻微流控掩膜 294 0

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光刻數(shù)據(jù)手冊

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    AMS1117系列穩(wěn)壓器有可調(diào)版與多種固定電壓版,設(shè)計(jì)用于提供1A輸出電流且工作壓差可低至1V。在最大輸出電流時(shí),AMS1117器件的最小壓差保證不超過1.3V,并隨負(fù)載電流的減小而逐漸降低。
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    德州儀器(TI)MSP430系列超低功耗微控制器包含多種器件,它們特有面向多種應(yīng)用的不同外設(shè)集。這種架構(gòu)與5種低功耗模式相組合,專為在便攜式測量應(yīng)用中延長電池使用壽命而優(yōu)化。該器件具有一個(gè)強(qiáng)大的16位 RISCCPU,16位寄存器和有助于獲得最大編碼效率的常數(shù)發(fā)生器。
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松玥a jf_92148107 jf_02593861 jf_55870080 jf_85333630 jf_07556477 jf_44990220 夜漠寒

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德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
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安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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