恩智浦發布業界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC
中國上海，2010年12月6日訊--恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.
2010-12-19 10:36:44
829 
以及電池組保護。該產品于今日開始支持批量出貨。 ? ? 截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產品線重點聚焦于12V產品，主要用于智能手機鋰離子電池組的保護。30V產品的發布為電壓高于12V的應用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設備電源線路的負載開關以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池
2023-11-09 15:19:57664 
技術最終將通過3D人臉識別等新興應用進入更廣泛的消費市場。典型VCSEL器件橫截面示意圖，越來越多的這類器件采用單片式工藝iPhone給150mm晶圓吃了一顆“定心丸”蘋果iPhone X是首款具備
2019-05-12 23:04:07
`深圳市三佛科技有限公司 供應 16P03 30V P溝道MOS管 -30V -16A DFN3*3-8場效應管 ，原裝，庫存現貨熱銷16P03參數： -30V -16A DFN3*3-8 P溝道
2021-03-18 14:21:33
描述 此參考設計支持電源并用作使用TPS61161-Q1的噴油器的指示器，升壓轉換器將輸入從 5V-12V 驅動至 30V 輸出。該設計旨在實現高效、準確、靈活的控制和精確的參考電壓 2.7V 至
2022-09-22 06:11:22
直流5V升壓到直流30V，求大佬推薦升壓芯片
2021-07-31 09:37:49
基于CS8683+FP5207、12V升30V大功率2x100W雙聲道D類音頻功放升壓組合解決方案，為音頻愛好者提供極致的音質體驗。輸出功率曲線圖方案簡介此方案大致分為兩個主要級：1、采用FP5207非同步升壓控制器。此
2022-02-18 17:37:12
30V 10A MOS管TO-252封裝HC005N03L，MOS原廠庫存現貨HC005N03L參數：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場效率管品牌：惠海
2020-11-14 14:33:47
惠海直銷30V 60V 100V mos管 3A5A10A15A 25A 30A 50A 貼片 mos管【惠海半導體直銷】惠海直銷30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252
2020-11-12 09:52:03
DFN3*3封裝mos管【惠海半導體直銷】惠海直銷30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3*3封裝mos管【低開啟低結電容】 惠海半導體--中低壓場效率管
2020-11-03 15:38:19
*3封裝mos管【惠海半導體直銷】惠海直銷30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3*3封裝mos管【低開啟低結電容】 惠海半導體--中低壓場效率管
2020-11-11 14:45:15
30V轉15V降壓芯片 ，30V轉12V降壓芯片，30V轉9V降壓芯片，30V轉8V降壓芯片 , 30V轉6V降壓芯片 ,30V轉5V降壓芯片，30V轉3.3V降壓芯片，30V轉3V降壓芯片，30V
2020-10-16 10:58:20
TI專家好！我的項目里需要一個30V轉5V的電源，但電流很小，只有30mA，不超過50mA。由于所需電流甚小，我原先用電阻和5V1穩壓二極管搭了個分立電路供電，但發現分立器件的離散性太大，轉出來5V
2019-04-08 14:57:41
30v開關電源為什么只能輸出15v了，是不是變壓器的原因呢？
2011-03-14 16:50:12
`以下是羅姆MOSFET晶圓規格(6inch)N型16V:12A；16V:8A;20V:12A;20V:8A;30V:6A;45V:30A;60V:50A;100V:60A;100V:10A
2020-01-18 17:42:21
的工作環境，由于其額定溫度為+175°C，因此非常適合用于要求高溫的環境。Nexperia汽車用MOSFET具有額定重復性雪崩，開關速度非常快，ESD電阻高。Nexperia MOSFET采用先進的業界領先
2021-01-23 11:20:27
，設計工程師已經習慣于接受效率和隔離能力之間的折衷。然而，來自 Nexperia 的最新特定應用 50 V 和 55 V MOSFET 避免了這樣的折衷。它們得益于卓越的超結技術，可產生較低的導通電阻，而
2022-10-28 16:18:03
晶圓級CSP的返修工藝包括哪幾個步驟？晶圓級CSP對返修設備的要求是什么？
2021-04-25 08:33:16
晶圓級CSP的元件如何重新貼裝？怎么進行底部填充？
2021-04-25 06:31:58
細間距的晶圓級CSP時，將其當做倒裝晶片并采用助焊劑浸蘸的方法進行組裝，以取代傳統的焊膏印刷組裝，如圖2所示，首先將晶圓級CSP浸蘸在設定厚度的助焊劑薄膜中，然后貼裝，再回流焊接，最后底部填充（如果有要求）。關于錫膏裝配和助焊劑裝配的優缺點。圖1 工藝流程1——錫膏裝配圖2 工藝流程2——助焊劑裝配
2018-09-06 16:24:04
晶圓級CSP裝配回流焊接工藝控制，看完你就懂了
2021-04-25 06:28:40
晶圓級CSP的裝配對貼裝壓力控制、貼裝精度及穩定性、照相機和影像處理技術、吸嘴的選擇、助焊劑應 用單元和供料器，以及板支撐及定位系統的要求類似倒裝晶片對設備的要求。WLCSP貼裝工藝的控制可以參
2018-09-06 16:32:18
先進封裝發展背景晶圓級三維封裝技術發展
2020-12-28 07:15:50
晶圓級封裝技術Wafer Level Package Technology Board Mounting Application Note for 0.800mm pitch
2009-06-12 23:57:22
晶圓級封裝技術源自于倒裝芯片。晶圓級封裝的開發主要是由集成器件制造廠家（IBM）率先啟動。1964年，美國IBM公司在其M360計算器中最先采用了FCOB焊料凸點倒裝芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
晶圓級封裝類型及涉及的產品
2015-07-11 18:21:31
晶圓級芯片封裝技術是對整片晶圓進行封裝測試后再切割得到單個成品芯片的技術，封裝后的芯片尺寸與裸片一致。
2019-09-18 09:02:14
觀點：隨著市場競爭加劇的演變，臺積電本有的地位也受到了威脅。再加上三星、英特爾的挑戰，讓一路走來，始終第一的***晶圓代工業有所警覺。為維持競爭優勢，臺積電已開始著手上下游整合，以鞏固臺積電龍頭
2012-08-23 17:35:20
半導體廠產能利用率再拉高，去化不少硅晶圓存貨，加上庫存回補力道持續加強，業界指出，12吋硅晶圓第二季已供給吃緊，現貨價持續走高且累計漲幅已達1～2成之間，合約價亦見止跌回升，8吋及6吋硅晶圓現貨價同步
2020-06-30 09:56:29
。 隨著越來越多晶圓焊凸專業廠家將焊膏印刷工藝用于WLP封裝，批量壓印技術開始在半導體封裝領域中廣泛普及。然而，大型EMS企業也走進了WLP領域。封裝和板卡之間的邊界，以及封裝與組裝工藝之間的邊界日漸模糊，迫使企業必須具備晶圓級和芯片級工藝技術來為客戶服務`
2011-12-01 14:33:02
使用方式。、二.晶圓切割機原理芯片切割機是非常精密之設備，其主軸轉速約在30,000至 60,000rpm之間，由于晶粒與晶粒之間距很小而且晶粒又相當脆弱，因此精度要求相當高，且必須使用鉆石刀刃來進行
2011-12-02 14:23:11
圓比人造鉆石便宜多了，感覺還是很劃算的。硅的純化I——通過化學反應將冶金級硅提純以生成三氯硅烷硅的純化II——利用西門子方法，通過三氯硅烷和氫氣反應來生產電子級硅 二、制造晶棒晶體硅經過高溫成型，采用
2019-09-17 09:05:06
圖為一種典型的晶圓級封裝結構示意圖。晶圓上的器件通過晶圓鍵合一次完成封裝，故而可以有效減小封裝過程中對器件造成的損壞。 圖1 晶圓級封裝工藝過程示意圖 1 晶圓封裝的優點 1）封裝加工效率
2021-02-23 16:35:18
的硅晶粒，提高品質與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當中，12寸晶圓有較高的產能。當然，生產晶圓的過程當中，良品率是很重要的條件。`
2011-09-07 10:42:07
`159-5090-3918回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
耐壓30V降壓恒壓芯片的工作原理如下：
該芯片內部集成了開關管和同步整流管，通過它們進行電壓的轉換，將輸入的30V電壓降至所需的輸出電壓（如12V或5V）。在工作過程中，該芯片通過PWM
2024-03-22 11:31:10
全球領先的整合單片機、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——MicrochipTechnologyInc.（美國微芯科技公司）宣布，推出其首款具備30V輸入、600mA輸出能力的降壓開關穩壓器
2011-07-12 22:04:35
晶圓級芯片級封裝; 49 bumps; 3.29×3.29×0.54mm（包括背面涂層）
2022-12-06 06:06:48
：8V～30V高電流精度：±3%高效率：97%負載開路和短路保護 PWM和線性調光滯環控制：無需補償最高工作頻率：1MHz內置過溫電流補償控制 DIM腳接NTC電阻到地實現過溫電流補償 DIM腳接電
2020-04-21 15:19:31
型號：SLN30N03T電壓：30V 電流：30A封裝：DFN3*3-8種類：絕緣柵(MOSFET)SLN30N03T 原裝，SLN30N03T庫存現貨熱銷售后服務：公司免費提供樣品，并提供產品運用的技術支持。阿里店鋪
2021-04-07 14:57:10
MOS管品牌：美浦森型號： SLN30P03T電壓：-30V 電流：-30A封裝：DFN3*3-8種類：絕緣柵(MOSFET)SLN30P03T原裝，SLN30P03T庫存現貨熱銷售后服務：公司免費
2021-04-07 15:13:02
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
，我們將采用穿硅通孔（TSV）用于晶圓級堆疊器件的互連。該技術基本工藝為高密度鎢填充穿硅通孔，通孔尺寸從1μm到3μm。用金屬有機化學汽相淀積（MOCVD）淀積一層TiN薄膜作為籽晶層，隨后同樣也采用
2011-12-02 11:55:33
納米到底有多細微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
`晶圓級封裝(WLP)就是在其上已經有某些電路微結構（好比古董）的晶片（好比座墊）與另一塊經腐蝕帶有空腔的晶片（好比玻璃罩）用化學鍵結合在一起。在這些電路微結構體的上面就形成了一個帶有密閉空腔的保護
2011-12-01 13:58:36
`晶圓測試是對晶片上的每個晶粒進行針測，在檢測頭裝上以金線制成細如毛發之探針（probe），與晶粒上的接點（pad）接觸，測試其電氣特性，不合格的晶粒會被標上記號，而后當晶片依晶粒為單位切割成獨立
2011-12-01 13:54:00
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產生浪費原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
要點:?Hybrid MOS是兼備MOSFET和IGBT優勢的新結構MOSFET。?同時具備MOSFET的高速性、在低電流范圍的低損耗、IGBT在大電流范圍的低損耗特性。?有利于提高家電的APF標準。不僅支持大功率，還可提高低電力范圍的效率。
2018-11-28 14:25:36
目晶圓提高了設計效率，降低了開發成本，為設計人員提供了實踐機會，并促進了集成電路設計成果轉化，對IC設計人才的培訓，及新產品的開發研制均有相當的促進作用。隨著制造工藝水平的提高，在生產線上制造芯片
2011-12-01 14:01:36
服務。其雙軸劃片功能可同時兼顧正背面劃片質量，加裝二流體清洗功能可對CMOS Sensor等潔凈度要求較高組件，提供高質量劃片服務。晶圓劃片機為廠內自有，可支持至12吋晶圓。同時，iST宜特檢測可提供您
2018-08-31 14:16:45
本文重點介紹為電源用高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法。現在有一種為高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導通電
2023-02-27 10:02:15
利用AD5522怎么設計一個正負30V的PPMU? AD5522輸出電壓最大只能輸出正負11V左右。但我們客戶的需求是30V的。不知道用AD5522能否設計出30V的ppmu?。如果利用升壓電路可以解決，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何設計一個輸出直流電壓+30v，輸出電壓5v-25v直流電壓（步進為0.1）電源轉換效率大于80％的dc/dc交換器
2019-11-21 19:45:16
如何設計一個高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？
電流1ma之內即可。
2023-11-16 06:36:14
% ,為全球大一大砷化鎵晶圓代工廠商。
拜產線多樣化與產品組合優化外,該公司毛利率穩定維持在30~35% 左右,營業利益率與凈利率也尚屬平穩。
2016年，公司宣布跨入光通訊市場，并自建EPI，主要
2019-05-27 09:17:13
我有一個30V，10mA的電源，需要反轉極性，時間需要用PIC來控制。我看了一些H橋，但是我看到MOSFET的高Gs電壓差因為30V的問題。使用晶體管看起來更好。我看了一些馬達驅動器，但不
2019-03-21 10:00:09
怎么選擇晶圓級CSP裝配工藝的錫膏？
2021-04-25 08:48:29
我要找DC-DC直流升壓芯片，輸入9~14V，輸出30V，貼片8個腳，腳位功能是第2個腳接地，第三個腳輸出30V，1腳和8腳輸入電壓12V，腳位功能一定要對的上，我想找到相對應的芯片型號，如有大蝦賜教，不勝感激，我的QQ是327048818
2012-04-24 10:06:57
用16~30V交流電來做+-12V直流電源這是我畫的圖，濾波電容不太清楚如何選取。所以按照網上的例子選的。最大輸出電流不小于0.3A，紋波電壓小于50mA，開路電壓輸出誤差不大于5%我在30V仿真
2013-07-11 01:22:40
第III-V主族材料包括第IV主族材料如硅(Si)和鍺(Ge)的晶圓進行快速劃片。硅晶圓片，切口寬度均小于30微米，切口邊緣平直、精準、光滑，沒有崩裂，尤其硅晶圓更是如此。電力電子器件的晶圓價格昂貴
2010-01-13 17:01:57
隨著集成電路設計師將更復雜的功能嵌入更狹小的空間，異構集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術的一種更為實用且經濟的方式。作為異構集成平臺之一，高密度扇出型晶圓級封裝技術正獲得越來越多
2020-07-07 11:04:42
越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術。另外還有scaling技術可以將電晶體與導線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多的硅晶粒，提高品質與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當中
2011-12-02 14:30:44
的替代工藝。激光能對所有第III-V主族材料包括第IV主族材料如硅(Si)和鍺(Ge)的晶圓進行快速劃片。硅晶圓片，切口寬度均小于30微米，切口邊緣平直、精準、光滑，沒有崩裂，尤其硅晶圓更是如此。電力
2010-01-13 17:18:57
SRAM中晶圓級芯片級封裝的需求
2020-12-31 07:50:40
12英寸晶圓片的外觀檢測方案？那類探針臺可以全自動解決12英寸晶圓片的外觀缺陷測試？ 本人郵箱chenjuhua@sidea.com.cn,謝謝
2019-08-27 05:56:09
途中C1是怎么把220V降到30V的。
2012-06-11 15:46:20
項目要做一個DC-DC車載電源，輸入300—1000V，輸出0—30V，功率大概2KW, 目前考慮到效率問題，想用兩級級聯的結構，前級和后級用什么拓撲比較好？
2024-03-19 14:13:37
旨在探討熱電偶在晶圓制造中的應用及其優化方法，以提高晶圓制造的質量和效率。二、熱電偶的基本原理和工作原理熱電偶是一種基于熱電效應的溫度測量設備。它由兩種不同金屬制成
2023-06-30 14:57:40
30V N溝道增強型MOSFET管
30V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 溝道增強型MOSFET管
30V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:42:0929 采用PowerPAK SC-75封裝的額定電壓8～30V的P通道功率MOSFET
這些p 通道功率 MOSFET 系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個器件。日前推出的這些器件包括業界首款采用
2008-08-23 15:08:371249 30V 轉 15V ，30V 轉 12V，30V 轉 9V，30V 轉 8V ， 30V 轉 6V ，30V 轉 5V，30V 轉 3.3V，30V 轉 3V，30V 轉 1.8V 30V
2020-10-12 08:00:0012 30V轉15V 12V 9V 8V 6V 5V 3.3V 3V芯片選型介紹(通用電源技術(深圳有限公司官網)-30V轉24V，30V轉20V，30V轉15V ，30V轉12V，30V轉9V，30V轉5V，30V轉3.3V，30V轉3V，30V轉1.8V，30V轉1.2V.
2021-09-15 13:04:3322 Nexperia全新POWER MOSFET工程師設計指南 認識理解功率 MOSFET 數據手冊中的參數 功率 MOSFET 單次和重復雪崩強度限值 RC 熱阻模型的使用 基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設
2022-04-07 11:40:220 Nexperia發布超小尺寸DFN MOSFET ? DFN0603封裝提高性能并顯著減少空間需求 奈梅亨，2022年7月6日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出采用
2022-07-06 16:13:22586 
和軟啟動的ASFET產品組合，推出10款全面優化的25V和30V器件。新款器件將業內領先的安全工作區(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合，非常適合用于12V熱插拔應用，包括數據中心服務器和通信
2022-11-18 10:32:58400 
的安全工作區（SOA）性能與超低的 RDS(on)相結合，非常適合用于 12V 熱插拔應用，包括數據中心服務器和通信設備。? 多年來，Nexperia（安世半導體）致力于將成熟的 MOSFET 專業知識和廣泛的應用經驗結合起來，增強器件中關鍵 MOSFET 的性能，滿足特定應用的要求，以打造市場領先的
2022-11-21 16:11:38648 PowerPAIR? 3x3FS封裝，30V對稱雙通道MOSFET
2023-02-06 15:34:15576 
30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB12R5EP
2023-02-16 21:17:050 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB12R7EP
2023-02-16 21:20:320 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB12EP
2023-02-17 19:23:290 30V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 12V升30V升壓芯片AH1160是一種電子元件，可以將電壓從12V升高到30V。此芯片內置了60V NMOS升壓型LED驅動器，可以有效地驅動LED燈。該芯片的反饋電流采樣電壓為250mV，可以用來監測LED驅動器輸出電流的值。
2023-09-14 10:27:59514 新潔能NCE30P12S NCE P通道增強模式電源MOSFET新潔能NCE30P12S，一款卓越的P通道增強模式電源MOSFET，采用前沿的溝槽技術，盡顯卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性
2023-11-05 09:54:550
正在加载...
電子發燒友App
工商網監
評論