幸運(yùn)的是，行業(yè)主流一如既往繼續(xù)前進(jìn)。器件溝道越來(lái)越短與許多設(shè)計(jì)中不斷增加的頻率相結(jié)合，使得BSIM3的缺陷益發(fā)明顯，從而也令BSIM4浮出水面。作為RF設(shè)計(jì)師你需要明白，BSIM4模型可能取得更好的效果，但這也并非放之四海而皆準(zhǔn)。

這是因?yàn)?，傳統(tǒng)的模型參數(shù)填充方法不包含高頻相關(guān)性，而且許多改善高頻精度的參數(shù)或者被置之度外，或者被避而不用，從而使得默認(rèn)的高頻行為在整個(gè)BSIM3中沒(méi)有任何改進(jìn)。與BSIM3不同，如果能夠發(fā)揮BSIM4的全部能力，那么在最高頻率條件下，BSIM4能夠在全部操作狀態(tài)中良好或很好地匹配S參數(shù)數(shù)據(jù)。所以，如果代工廠(或服務(wù)商能夠提供)經(jīng)過(guò)高頻關(guān)聯(lián)修正的BSIM4模型，那么該模型將比“BSIM4+支電路”模型更為優(yōu)秀。

同樣，BSIM4包括背柵阻抗參數(shù)，若對(duì)這些參數(shù)進(jìn)行正確添加，就能夠改善背柵建模效果。但是目前，幾乎沒(méi)有幾家代工廠擁有為利用該能力而開發(fā)的合適的測(cè)試構(gòu)造。

雖然BSIM4可能代表著在RF建模速度和精度方面的重要進(jìn)展，但是它并非完美無(wú)缺，目前發(fā)現(xiàn)的兩個(gè)問(wèn)題是：

1：BSIM4不包括多晶硅柵損耗效應(yīng)，該效應(yīng)在0.1-10GHz范圍內(nèi)，會(huì)隨著頻率降低改變(增加)串聯(lián)等效輸入阻抗。這些效應(yīng)可作為外加RC支電路添加到BSIM3或BSIM4模型，但是阻抗和容抗是高度非線性的，所以，我們又將回到在一個(gè)工作點(diǎn)對(duì)提取數(shù)據(jù)進(jìn)行單點(diǎn)匹合(spot-fitting)的狀態(tài)中。業(yè)界觀察家最近指出，沒(méi)能將多晶硅損耗效應(yīng)包括在內(nèi)，可能對(duì)面向變化數(shù)據(jù)周期長(zhǎng)度的SERDES建模產(chǎn)生顯著影響，也會(huì)對(duì)相應(yīng)的超寬帶物理層(UWB PHY)等超高帶寬RF應(yīng)用產(chǎn)生影響。

2：BSIM4模型目前還不是完全對(duì)稱的，這意味著它不能在接近0V泄漏電壓的情況下準(zhǔn)確工作，在這種情況下，源級(jí)和漏級(jí)會(huì)相互交換，所以將這種電路作為無(wú)源FET混頻器和衰減器進(jìn)行仿真將無(wú)法達(dá)到典型的上拉漏級(jí)(drain-elevated)所得到的精確度。

目前BSIM委員會(huì)正在忙于解決BSIM5的對(duì)稱問(wèn)題，雖然在BSIM5中，多晶硅損耗建模獲得了哪些進(jìn)展尚未對(duì)外公布，但在該領(lǐng)域進(jìn)行的研究可能最終一攬子解決BSIM5的問(wèn)題。

結(jié)論

對(duì)設(shè)計(jì)人員而言，更多的了解CMOS模型遠(yuǎn)比他們是否被冠以與“RF”沾邊的頭銜要重要。一個(gè)與RF良好關(guān)聯(lián)的BSIM4模型，能夠在從直流到微波頻段的所有操作條件下取得高度準(zhǔn)確的結(jié)果，而一個(gè)精雕細(xì)琢的“RF支電路”模型，則僅適合于一個(gè)很窄的條件范圍。在你的目標(biāo)工藝中，先要尋找模型中進(jìn)行了哪類高頻關(guān)聯(lián)，然后考慮若不進(jìn)行這些高頻關(guān)聯(lián)會(huì)對(duì)你的設(shè)計(jì)產(chǎn)生怎樣的影響。