近年來,無線終端憑借低成本、低功耗和便于組網的優越性逐漸成為校園、機場、醫院和家庭接人因特網的首選方案,無線接入技術得到迅速發展和廣泛應用。無線收發模塊的設計研究已成為一個重要研究方向。
本文介紹了一種應用于IEEE 802.11b/g無線局域網標準的2.4 GHz ISM單片CMOS接收機射頻前端設計。IEEE 802.11b是目前市場上主流產品標準,而IEEE 802.11g則是IEEE 802.11系列的核心標準之一,它兼容另外兩個核心標準IEEE 802.11a和IEEE802.11b,即同時支持IEEE 802.11a的OFDM(正交頻分復用)和IEEE 802.11b的CCK(補碼鍵控)編碼的DSS(直接序列擴頻)調制方式。本文中設計的接收機應用于DSS調制方式。
1 系統結構
考慮到低成本、低功耗和高集成度,針對IEEE802.11b/g本身寬信道帶寬特性,本文采用直接下變頻接收機結構。隨著電路技術和工藝的進步,直接變頻所固有的問題得到很大改善。尤其是直流偏移和1/f閃爍噪聲問題,現在都能有效地降低它們的影響。
表1列出了近期設計的射頻前端性能總結。
圖1給出了接收機的系統結構,包括低噪聲放大器、I/Q下變頻器、去直流耦合電路、基帶線性放大器和信道選擇濾波器。
DSS標準包含11個2 MHz帶寬的子信道,總的信道帶寬為22 MHz。如果在保證誤幀率在8×102情況下,要達到靈敏度為-80 dBm,那么,
kNF+RSNR=174 dBm-10log(22 MHz)-80 dBm=20.6 dBm
式中:KNF為噪聲系數;RSNR為信噪比。
針對需要的FER,假設RSNR≈10 dB,再考慮到射頻濾波器約2 dB損耗,接收機的要求低于8.6 dB。
標準還要求在接收信號-74 dBm時,具有40 dB的鄰近信道抑制能力,鑒于此,接收機的輸入1 dB壓縮點要達到至少-30 dBm左右。
2 電路實現
2.1低噪聲放大器
圖2給出了低噪聲放大器電路具體實現。電路采用典型的差分Cascode結構,增加對片上干擾抑制,減少源極寄生電感影響,另外,還能提高CMRR(共模抑制比)。不過,相對于單端輸入單端輸出,差分結構帶來更大的功耗。
下面只分析放大器對稱的左半部分,它是一個窄帶Cascode結構低噪聲放大器,這種結構能得到更好的噪聲性能。Ls和Ld采用片上電感,Lc、Lg由鍵合電感實現。M1、M3是跨導晶體管,共柵連接的M2、M4提高輸出輸入之間的隔離,并減少M1、M3漏極電容Cgd的密勒效應。電容Cd、Cout和Ld調節輸出匹配并起到與次級電路隔直的作用。
當然,除此之外,在優化電路時還應該考慮到電容Cs的影響,但式(1)、式(2)給出了各元件對電路性能的影響趨勢,這點在設計電路時具有指導意義。
仔細選擇器件參數,得到0.84 dB的噪聲系數。從圖3的仿真結果可看出,電路優化結果使kNF非常接近kNFmin。
用電感Le代替傳統的尾電流源提高差分電路的共模抑制比,這樣可以節省直流電壓裕度。
下式給出了CMRR(記為RCMRR)的參考公式:
式中:ZA為差分對管虛地點對地的阻抗。
電感采用鍵合電感,因為它有高Q值和節省芯片面積的優勢。
仔細地在功耗與性能之間獲取均衡,實現的低噪放噪聲系數為0.84 dB,增益為16 dB,S11《-15 dB,直流電壓1.8 V時電流為7.6 mA。
2.2 I/Q下變頻器
圖4給出了I/Q正交下變頻器的一路混頻器。混頻器的設計需要仔細選擇每一個參數來平衡增益、線性度與噪聲之間的矛盾。由于處于接收機射頻信號最強處,往往混頻器對線性度的要求很高。本文采用Gilbert單元有源雙平衡混頻器,具有較高的各端口之間的隔離度。跨導級晶體管源極直接接地,以提高混頻器的線性度。電路中還采用電流注入技術,以降低混頻器開關管的低頻噪聲,同時可以增大跨導級電流,改善線性度。
Gilbert單元的IIP3可以表示為:
式中:I和K分別是跨導電路的偏置電流和跨導參數。
當本振信號是正弦波時,與開關對管有關的噪聲為:
式中:A為本振信號的幅度;ISW為開關對管的偏置電流。
分析式(4)和式(5),需要增大跨導差分對管的偏置電流來提高混頻器的線性度,同時又必須減小開關對管的偏置電流來降低開關噪聲,因此,需要采用電流注入技術來解決二者之間的矛盾。
2.3 交流耦合
直流偏移的解決是直接下變頻結構的難點之一。這里可以采用一個去直流的高通濾波器,該濾波器具有很低的拐角頻率。
圖5描述了文獻[2]的研究結果關于高通濾波器的拐角頻率對傳輸數據恢復的影響。
研究結果表明,當高通濾波器的fC為傳輸數據速率的0.1%時,數據能夠被正確地傳輸和恢復。針對IEEE 802.11接收機fC設計應該達到10 kHz。
圖6是交流耦合高通濾波器的具體實現電路。采用線性區MOS器件提供兆歐級電阻,可以節省電阻面積。
設計偏置電路,使M1工作在飽和區,M2工作在線性區,那么,
如果L2=L1,W1=W2,則Ron2=g-1m1。降低gm1,就可以得到很大的Ron2。
電路設計時需要注意2個問題:一是M1和M2開啟電壓的失配,因此需要將晶體管過驅動電壓設計大于200 mV抑制失配的影響;二是由于輸入信號電平導致M2的Ron2變化,幸運的是,鑒于信號波形特性,信道內的失真容限很高,而耦合電容在鄰信道頻率呈現較低阻抗,信道外失真較大。
2.4 基帶線性放大器
圖7是基帶線性放大器和差分高通濾波器的完整電路。
與圖6不同的是,M2、M3共用一個M1晶體管做偏置。基帶放大器采用單管直接帶負載電阻輸出,以提高電路的線性度,改善系統整體性能。
2.5 信道選擇濾波器
圖8是簡單的信道選擇濾波器電路。其中運算放大器連接成單位增益,可以用源極跟隨器實現,但為了降低引入閃爍噪聲,源極跟隨器應該使用大尺寸的晶體管。
信道選擇濾波器的傳輸函數計算公式為:
2.6 l/f閃爍噪聲
在直接下變頻結構中,l/f閃爍噪聲是不可避免的,需要設計者仔細考慮。然而對于IEEE 802.11b/g協議的22 MHz信道帶寬(基帶信號占用11 MHz以內的頻帶),具有幾百kHz拐角頻率閃爍噪聲的影響可以降到忽略不計的程度。證明如下。
如果fcorner=200 kHz,有Sl/f(200 kHz)=Sth,這里Sl/f和Sth分別表示l/f噪聲和熱噪聲的功率譜密度。假設Sl/f=K/f,其中K=(200 kHz)×Sth。下面計算從10 kHz到11 MHz總的噪聲:
如果電路沒有閃爍噪聲,總的噪聲功率為:V2n=(11 MHz)Sth,僅僅低了0.2 dB。根據文獻[2]分析,即使考慮到100 Hz的閃爍噪聲,信噪比最大的退化也低于0.6 dB。因此,這里低頻閃爍噪聲并不足以影響系統整體性能指標。
3 版圖和設計結果
接收機射頻前端使用TSMC 0.18μm CMOS工藝實現,版圖面積為1 280μm×1 200μm。圖9給出了整個系統的版圖照片。
圖10是系統低頻基帶部分的傳輸函數,-3 dB帶寬為9 kHz~11 MHz。
接收機前端性能總結如下:輸入頻率為2.4 GHz,噪聲系數為3.5 dB,電壓增益為31 dB,S11為小于-15 dB,IIP3為-8 dBm,IP2為大于+30 dB,輸入ldB功率為-25 dB,采用工藝為CMOS 0.18μm,功耗為32 mW。可以看出,在兼顧低功耗和線性度同時,獲得了非常好的增益和噪聲性能。
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