本應用筆記介紹了 MLX10803 降壓拓撲中平均 LED 電流的依賴性來源。由于其設計工作在低于 150 kHz 的開關頻率，因此本文檔將介紹如何使用前饋補償網絡解決相關性。

　　理論：開關延遲

　　由于內部傳播延遲而導致的延遲

　　在上圖中（圖 1），線圈電流的 IREF/VREF 引腳上定義的閾值達到 1。但是，MLX10803 在檢測到RSense 上的閾值（為 1），DRVOUT 上的 FET 實際開關為 2。

　　備注：該延遲與去抖時間 （Tdeb ~ 30 ns） 無關。Tdeb 旨在消除由于 RSense 引腳上的振鈴而導致的任何問題。

　　由于驅動器 FET 的下降斜率導致的延遲

　　關閉 FET 所需的時間會產生額外的延遲：T_FEToff_delay

　　例如：

　　使用 EVB10803_1 降壓評估板時，其中 SOT223 BSP318 由 R2 = 100 Ω 驅動，FET 關閉延遲約為 30 ns。

　　相比之下，SOT23 PMV213SN 具有較小的柵極電容，與 100 Ω 驅動電阻相結合會增加約 120 ns 的延遲（參見圖 2）。

　　由于開關延遲而導致 ILED 的電源依賴性

　　平均 LED 電流的誤差取決于電源。

　?。?a href="http://www.xsypw.cn/tags/te/" target="_blank">tex］ I _ {error}=frac{V_ {sup}-V_ {LED}}{L}times T_ {totalhspace{1mm}offhspace{1mm}delay} ［/tex］

　　和：

　?。踭ex］ T_ {totalhspace{1mm}offhspace{1mm}delay}=T_ {內部

　　延遲}+T_ {FEToffDelay} ［/tex］

　　評論：

　　FET 的下降沿通常是主要因素。減少 T_FETToffDelay 將增加 FM 無線電頻段的 EMC 噪聲。FM 無線電頻段中的這種噪聲可以通過在 FET 源路徑中添加鐵氧體磁珠來改善。

　　增大電感值 L 也會減小 Ierror。

　　通過在 Rsense （R7） 上的電壓之上添加一個依賴于電源的電壓來實現補償。當電源電壓上升時，RSENSE 輸入引腳上的電壓會增加。當電源電壓上升時，這會降低峰值電流閾值，從而穩定 LED 電流。

　　實際實現是通過添加 2 個電阻器 R1 和 R6 來完成的。這會產生補償電流，近似為：

　?。踭ex］ I_ {VCMP}=-［frac{R_ {6}/（R_ {6}+R_ {1}）× V_ {S}}{R_ {7}}］ ［/tex］

　　電流補償斜率由 –R6/（R6+R1） 確定，可用于補償由于非零關斷延遲而導致的 ILED 上升。需要進行一些實驗才能找到正確的值。

　　下面的應用示意圖中的補償網絡已將電源依賴性降低至 ±1% 以下。

　　* R1 = 引腳 8 和引腳 5 之間的 47 kΩ MLX10803

　　* R6 = R3 和引腳 5 MLX10803 之間的 200 Ω 電阻