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2024-03-22 14:11:23
0 電子發燒友網站提供《雙P溝道增強型mosfet TPS1120數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-19 09:19:010 電子發燒友網站提供《單P溝道增強型mosfet TPS1100數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-19 09:13:590 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 近日，全球知名的半導體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經過改良設計的INT-A-PAK封裝。新款產品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產品特別適用于數據中心和光伏功率調節器等關鍵應用的開關電源，展現了東芝在功率半導體領域的深厚實力與持續創新。
2024-03-12 10:27:36255 VBsemi推出的AFN4546WS8RG-VB是一款強勁的N-Channel功率MOSFET，擁有40V的耐壓和10A的電流承載能力。在10V和20V的情況下，RDS(ON)分別為14mΩ，具有
2024-03-11 15:43:38
VBsemi引領推出的AFN4424WS8RG-VB是一款強大的N-Channel功率MOSFET，擁有40V的耐壓和10A的電流承載能力。該器件在10V和20V的情況下，RDS(ON)分別為14m
2024-03-11 15:38:49
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
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2024-02-21 13:57:090 電子發燒友網站提供《20 V，雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:03:240 電子發燒友網站提供《60 V，P溝道溝槽MOSFET BUK9D120-60P數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:02:240 IRL540NSPBF-VB是VBsemi品牌推出的N溝道場效應晶體管（N-Channel MOSFET），具有TO263封裝。以下是詳細參數說明和應用簡介：**詳細參數
2024-02-19 15:15:57
電子發燒友網站提供《NCE N溝道增強型功率MOSFET NCE3010S數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-24 11:06:590 功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統設計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。
2024-01-19 15:31:54218 與工作原理 功率MOSFET主要由四層結構組成：柵極（Gate）、漏極（Drain）、源極（Source）和氧化層（Oxide）。柵極與源極之間有一層絕緣的氧化層，漏極與源極之間有一層導電溝道。當柵極施加正向電壓時，會在氧化層下方形成一個導電通道，使漏極和
2024-01-17 17:24:36294 
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2024-01-14 10:20:460 電子發燒友網站提供《60 V，N溝道溝槽MOSFET BSS138AKW-Q數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-14 10:11:070 。按導電溝道功率MOSFET可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強型。 MOSFET的主要特
2024-01-09 10:22:43112 
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2024-01-04 14:22:260 電子發燒友網站提供《1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數據表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 16:28:290 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
電子發燒友網站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應用指南.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:37:520 電子發燒友網站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說明.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:36:290 型號：AO4446-VB絲印：VBA1311品牌：VBsemi參數說明：- **N溝道：** 該器件是一種N溝道MOSFET，電流在N溝道中流動，通常用于不同類型的應用，如電源開關等。- **工作
2023-12-19 10:43:33
- 門源電壓（Vgs）范圍：±20V- 閾值電壓（Vth）：1.5V- 封裝：SOP8應用簡介：STN4828-VB是一款N溝道MOSFET，適用于中功率應用。它具有適
2023-12-18 11:54:00
型號：SUD50N04-8M8P-4GE3-VB絲印：VBE1405品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：40V- 最大電流：85A- 導通電阻（RDS
2023-12-14 16:25:40
, 20Vgs (±V)- 閾值電壓 (Vth)：1.6V- 封裝：SOP8應用簡介：AO4480-VB是一款N溝道MOSFET，具有較高的額定電壓和電流特性，適
2023-12-14 14:48:13
Ω @ 4.5Vgs- 閾值電壓（Vth）：0.8V 到 2.5V 可調- 封裝類型：SOP8應用簡介：AO4724-VB是一款N溝道MOSFET（金屬氧化物半導體
2023-12-14 09:27:08
Ω@4.5V, 20Vgs(±V)；1.5Vth(V)；SOP8NCE6005AS-VB是一款VBsemi品牌的N溝道功率MOSFET。它具有2個N溝道，工作電壓為60V，
2023-12-13 15:01:50
- 門源極電壓：20Vgs(±V)- 閾值電壓：1.72Vth(V)- 封裝：SOP8詳細參數說明：APM4330KC-TRL-VB 是一款 N溝道功率MOSFET
2023-12-13 14:51:27
Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦，有助于工業應用節能。
2023-12-08 09:27:10394 
問一下，搖表分500V1000V2500V,都在什么情況下使用啊？
2023-11-24 08:04:50
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
N溝道MOSFET截止，電感電流下降，電感中的能量轉移到電池中。當電感電流下降到外部電流檢測電阻設置的下限時，外置N溝道MOSFET再次導通，如此循環。當BAT管腳電壓第一次達到內部設置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
型號 ZXMC4559DN8TA-VB絲印 VBA5638品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N+P溝道
2023-11-15 17:08:55
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10459 ? 中國上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備
2023-11-09 15:19:57663 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 型晶體管，它屬于電壓控制型半導體器件。根據導電溝道類型和柵極驅動電壓的不同，可以分為N溝道-增強型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
Ω@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.78Vth 封裝 SOP8應用簡介 IRF8788TRPBF 是一款 N溝道MOSFET，適用于高電流的應用
2023-11-03 15:31:19
FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關和放大電路中，可以控制電流流動并放大信號。
2023-11-03 14:56:23293 
門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.72Vth 封裝 SOP8應用簡介 AO4430是一款N溝道MOSFET，適用于低電壓和高電流的應用。其最大耐壓為3
2023-11-03 11:26:46
型號 AFN4634WSS8RG絲印 VBA1303品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 18A 導通電阻 5mΩ @10V, 6.5m
2023-11-01 11:21:18
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.55Vth 封裝 SOP8應用簡介 AO4882是一款具有兩個N溝道MOSFET的器件，適用于需要同時控制多個N
2023-10-31 15:35:39
型號 IRF7313TRPBF絲印 VBA3328品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 2個N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 6.8A/6.0A 導通電阻 22m
2023-10-31 11:48:47
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 0.8~2.5Vth 封裝 SOP8應用簡介 IRF7413TRPBF是一款N溝道MOSFET，適用于中等電
2023-10-31 11:06:50
1.5Vth (V) 封裝類型 SOP8應用簡介 AO4828是一款雙N溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。它具有較高的額定電壓和額定電流能力，能夠提供
2023-10-30 10:36:46
功率MOSFET選型的幾點經驗在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應理論技術文章有很多介紹MOSFET參數和性能的，這里不作贅述，只對實際
2023-10-26 08:02:47373 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
， 電感電流檢測單元,電池電壓檢測電路和內置場效應晶體管驅動電路等，具有外部元件少， 電路簡單等優點。
當電池電壓低于輸入電壓或電池短路時,YB5082 在內部N溝道MOSFET和P溝道MOSFET
2023-10-12 15:36:55
輸出、輸出功率1~~~3W的隔離電源。
VPS8504N內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免
2023-10-12 09:38:22
的 TRIAC 調光性能
? 最低的物料成本
? 恒定電流 LED 驅動器
? 集成 500V MOSFET
? 內部高壓快速啟動
? 單個繞組電感
? 高功率因數（>0.7）
? 出色的 LED
2023-10-09 11:55:40
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
電子發燒友網站提供《BUK4D50-30P P溝道溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 11:35:370 電子發燒友網站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 09:32:500 電子發燒友網站提供《BUK6D16-30E N溝道溝槽式MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:43:170 。ZXMS6008N8 非常適合在標準 MOSFET 不夠堅固的惡劣環境中作為由 3.3V 或 5V 微控制器驅動的通用開關。 產品規格 品
2023-09-25 11:11:04
電子發燒友網站提供《P溝道增強模式功率MOSFET G040P04M規格書.pdf》資料免費下載
2023-09-19 17:29:110 V Vishay?推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降壓穩壓器，用來提高負載點 (POL) 轉換器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
雪崩強度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
垂直導電平面結構功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應，如果把水平的溝道變為垂直溝道，從側面控制溝道，就可以消除JFET效應。
2023-08-28 10:10:392917 
功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統設計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。
2023-08-25 10:07:56188 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
STF140N6F7內容簡介STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET電子元器件，為廣泛的電壓范圍（30V至350V）應用提供了卓越的解決方案。采用TO-220FP封裝，以其N溝道結構
2023-08-21 16:34:33
（Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應用場景：適用于高效率開關電源、電機驅動器和照明應用等，可用于電源因數校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結MOS，由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要
2023-08-18 08:32:56513 
隨著現代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態和動態性能參數,將助您的設計實現更高功率密度和轉換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
自恢復功能的保護功能：VDD欠壓保護、逐周期電流 限制、輸出過壓保護、過熱保護、過載保護和VDD過壓保護等。
集成 500V 高壓 MOSFET 和高壓啟動電路
特性：
集成 500V 高壓 MOSFET
2023-08-03 14:48:21
這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚聲器提供超過 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級使用6個N溝道MOSFET IRFP450，即可為您提
2023-07-28 17:04:191357 
功率MOSFET的類型：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。當柵極電壓為零時，有導電通道和增強型。對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零，功率MOSFET主要是N溝道增強。
2023-07-04 16:50:23881 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產品“
2023-07-03 14:48:14477 
在H橋電路中實現P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人，但可能需要一些嚴格的計算和參數才能實現最佳響應。
2023-06-29 15:28:02957 
需求：將鋰電池3.7V升壓成500V的5KHz交流電去點亮EL線
現有電路
原理：
在Q1關斷期間，導通Q2，電感儲能；關斷Q2后，電感產生反向電動勢，給EL燈的等效電容C1充電；理論上可以升到D1
2023-06-28 19:43:57
在這個設計中，我們看到了使用N溝道MOSFET實現BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。
2023-06-16 09:03:30228 
HY1908D/U/V N溝道增強型MOSFET規格書免費下載。
2023-06-14 17:04:041 PTS4842 N溝道高功率MOSFET規格書
PTS4842采用溝槽加工技術設計，實現極低的導通電阻。并且切換速度快，傳輸效率提高。這些特征結合在一起，使這種設計成為一種適用于各種DC-DC應用的高效可靠的設備。
2023-06-14 16:55:480 中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品
2023-06-13 16:38:50712 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業內先進水平 Vishay? 推出一款業內先進的新型汽車級光伏 MOSFET 驅動器
2023-06-08 19:55:02374 
Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173 ，
邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯
輸出電平。 高速風筒專用電機驅動芯片其浮動通道可
用于驅動高壓側 N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作電壓可達 700V。高速風筒專用電機驅動芯片采用
SOIC8 封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內工作
2023-05-10 10:05:20
功率MOSFET怎樣關斷？能否用PWM實現？怎樣實現？
2023-05-08 16:16:27
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應來控制半導體（S）的場效應晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 應用: DC-DC轉換 SMPS中的同步整流 硬開關和高速電路 電動工具 電機控制 概述： PL1303N04是寶礫微推出的4開關N溝道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封裝。產品具有較強
2023-04-11 14:47:50513 MRF166C RF MOSFET 系列 20W，500MHz，28V主要設計用于 30-500MHz 的寬帶大信號輸出和驅動器。 特征N 溝道增強型
2023-03-31 11:39:26
MRF166W RF MOSFET 系列 40W，500MHz，28V主要設計用于 30 – 500 MHz 的寬帶大信號輸出和驅動級。 特征N溝道增強型
2023-03-31 11:36:26
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業設備開關電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32727 LTC7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，選用高達 135V 的輸入電壓作業。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內部充電泵，因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45514
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