電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術，據官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術，相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:18
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瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出，標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的里程碑，為行業的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29125 格式：二進制補碼3.3 V或5 V CMOS兼容輸出電平AD6640ASTZ 更多細節show more Icon利用ADI公司突破性的數字無線電接收機設
2024-02-28 19:16:42
Autotalks 作為V2X通信解決方案的全球領導者，依托羅德與施瓦茨（以下簡稱“R&S”）的專業測試技術和設備，驗證了其第三代V2X 芯片組的性能。
2024-02-28 18:27:20938 2月26日，紫光展銳攜手通則康威，共同推出了兩大搭載紫光展銳V620芯片平臺的新品：5G CPE ZTL S200和5G工業網關ZLT IR40M。
2024-02-27 10:14:43322 在本指南中，您將學習如何設置 Arduino IR發射器電路。它使您可以控制IR（紅外線）LED，并從Arduino發送任何遠程控制代碼。這意味著你可以用它來控制你的電視或其他任何你喜歡的東西！
2024-02-11 09:44:00235 
英飛凌科技股份公司近日發布了新一代的次級側受控ZVS反激式轉換器芯片組EZ-PD? PAG2，以滿足市場對高效能USB-C PD適配器和充電器的需求。該芯片組由EZ-PD PAG2P和EZ-PD
2024-01-25 16:11:38218 光伏IR相機是一種特殊的光電設備，它使用紅外線（IR）技術來檢測和捕捉光伏電池板上的熱圖像。這種相機的主要功能是檢測光伏電池板上的熱分布和異常，幫助工程師和科學家更好地了解光伏電池板的性能和存在的問題。
2024-01-23 11:36:23235 
6 芯片組。OpenWrt One/AP-24.XY 板的初步規格包括雙核 Cortex-A53 處理器、1GB DDR4 內存、128 MB SPI NAND 閃存、4 MB SPI NOR 閃存
2024-01-13 09:56:19
)于1月9日宣布推出用于量產感知雷達的準量產芯片組。該芯片組由三個芯片組成:發射器、接收器和處理器,這標志著Arbe的首個高通道陣列“大規模MIMO”成像雷達芯片組解決方案誕生,將為汽車行業提供較高的性能,進一步助力道路安全。Arbe目前已經完成預認證測試,正在接受車規級AEC-Q100認證
2024-01-10 09:35:04183 2104全橋驅動電路原理 IR2104是一種高速、低成本的高和低電平電荷泵驅動器。它可通過邏輯輸入信號控制兩個N溝MOSFET或IGBT的驅動信號，實現全橋輸出。IR2104內部集成了一個高壓引發電荷泵、邏輯電平和電流檢測電路。其主要包括低側和高側驅動器。 低側驅動器：
2024-01-05 16:11:041106 目前在使用上發現三例功率MOSFET（SIR442DP） Q5損壞且芯片EXTVCC管腳與GND短路
損壞后的MOSFET呈以下特性
：1、用萬用表二極管檔測量：VDD-S 為無窮大，VDS-D
2024-01-05 07:30:21
英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數在數據手冊上標明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時間（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us內。
2023-12-13 11:40:56890 
隨著芯片復雜度的增高和摩爾定律的放緩，半導體行業正在迅速向先進封裝中的異質芯片組裝轉型。這種轉變實現了通過組件的拆分與新的架構配置下的重新集成來持續縮小線距和創新。然而也帶來了顯著的設計、驗證、制造和供應鏈等方面的挑戰。本文探討了實現異質芯片組裝主流化所涉及的驅動因素、方法、權衡取舍和未解決問題。
2023-12-08 15:52:07374 
IR這個詞并不是什么縮寫，這里的I就是指電流，R是指電阻，他們放在一起相乘，得出來的結果就是電壓。
2023-12-06 14:33:07452 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 PKD01是一款很好用的峰值保持電路，因停產很難買到貨，請問用哪款芯片能替代它？
2023-11-24 08:27:04
電子發燒友網站提供《英特爾? 3010 芯片組特點介紹.pdf》資料免費下載
2023-11-14 14:42:36
0 聚元微近期推出了專利的調光芯片PL378X+寬溫應用的無線控制SoC PL51WT020+非隔離供電芯片PL338X的全套芯片組合，為業界帶來可滿足各類無極調光調色應用的可低至1‰深度的極致體驗。
2023-11-07 09:53:15327 
電子發燒友網站提供《IR2110芯片在光伏逆變電路中的設計應用.pdf》資料免費下載
2023-11-06 10:04:290 國產新風尚！WAYON維安針對PC及PC電源推出MOSFET細分產品
2023-11-01 15:10:01231 
*附件：和芯潤德 USB3.0HUB 設計資料.rar
推薦一款國產 USB3.0 HUB芯片，型號SL6340
推薦一款國產3.0HUB，型號SL6340，是一款由和芯潤德科技自主研發的國產
2023-10-20 18:20:58
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 電子發燒友網為你提供ADI(ADI)MAX25405: IR Gesture Sensor with Lens for Automotive Applications Data Sheet相關產品
2023-10-17 18:44:54
三星電子將在 Galaxy S24 系列中重新推出 Exynos 芯片組——Exynos 2400。例如，據爆料者 Ice Universe 稱，歐洲 Galaxy S24 將“100%”由 Exynos 2400 芯片組供電。
2023-10-12 15:57:4598 DC即Direct Current，直流電，電流方向不隨時間發生改變；IR Drop中的I指電流，R指電阻，I與R相乘即為電壓，IR Drop就是電壓降；
2023-09-28 11:34:263177 
發光器件的投影技術是一種創新的固體-制作狀態光源以取代投影中的弧光燈系統。通過獨特使用光子晶格技術-Gy，平光M芯片組是在提供固態光的所有好處的亮度。
2023-09-22 16:39:450 北橋芯片（North Bridge）和南橋芯片（South Bridge）合稱就是主板的芯片組，是支撐整個主板運行的關鍵，早在586時期的電腦主板就已經采用了這種架構。
2023-09-20 11:37:52620 
高通公司表示，該協議強化了其在5G技術和產品領域持續的領導力。5G公眾號（ID：angmobile）了解到高通補充說，其長期財務規劃假設“為2026年推出的20%的智能手機提供的芯片組（即屆時高通所供應芯片的份額）”。
2023-09-12 16:58:58616 
IR2110使用手冊
2023-09-12 09:20:129 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業設備應用。
2023-09-07 09:59:32731 
穩定性和效率兼備，雷卯MOSFET改變您的產品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種常用的半導體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
應用程序: 使用計時器 2 抓取功能獲取 IR 數據
BSP 版本: NUC230/240 Series BSP CMSIS v3.01.002
硬件: NuTiny - EVB - NUC240
2023-09-01 07:19:08
ASR6505是一種通用的LoRa無線通信芯片組，集成了LoRa無線電收發器、LoRa調制解調器和一個8位CISC MCUASR6505是基于STM 8位MCU與SX1262 的SiP芯片，相對于
2023-08-30 15:34:19
隨著半導體技術的不斷發展，電子設備對集成度、性能和功耗的要求越來越高。為了滿足這些要求，產業界不斷地探索新的封裝技術。單芯片封裝(SCP)和多芯片組件(MCM)是其中兩種最受歡迎的封裝解決方案。本文將深入探討這兩種封裝技術的特點和應用。
2023-08-24 09:59:04876 
應用程序: 使用計時器 2 抓取功能獲取 IR 數據
BSP 版本: NUC230/240 Series BSP CMSIS v3.01.002
硬件: NuTiny - EVB - NUC240
2023-08-23 07:16:43
隨著現代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態和動態性能參數,將助您的設計實現更高功率密度和轉換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
隨著國內對碳化硅技術的日益重視和不斷加大的研發投入，國內碳化硅MOSFET芯片設計的水平逐步提升，研究和應用領域也在不斷擴展。
2023-08-10 18:17:49853 
SystemReady IR是一個基于一組硬件和固件的合規性認證計劃實現與通用現成操作系統和管理程序的互操作性的標準。
這些標準包括基本系統體系結構（BSA）和基本引導要求（BBR）規格和市場特定
2023-08-02 07:45:46
電子發燒友網站提供《DGD2103和DGD2104在IR2103和IR2104中的應用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 16:11:121 供應ID5S609SEC-R1 600V高低側柵極驅動芯片可代換IR2304，提供id5s609芯片資料關鍵參數 ，廣泛應用于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅動芯片可替代ir2304，提供ID5S609SEC-R1 關鍵參數 ，廣泛應用于中小型功率電機驅動、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供應ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
”CPU“ 和“芯片組”分立模式，系統瓶頸在兩者之間的主板總線， SOC變片外為片內、解決了這- -瓶頸;
2023-07-15 15:23:39536 
ISL91110IR 數據表
2023-07-12 19:46:020 在這里，將展示如何制作基于Arduino的IR接收器，以解碼來自TV/DVD遙控器的IR信號。根據與遙控器上特定按鈕對應的解碼值，我們將對Arduino進行編程以控制多個繼電器開關。
2023-07-10 14:20:43715 
ISLA214IR72EV1Z 原理圖s and Layers
2023-07-06 20:52:300 ISLA224IR72EV1Z 原理圖和層
2023-07-06 20:51:300 ISL91127IR 數據表
2023-06-30 19:40:440 英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 
基于軟件的解決方案，助力尖端蜂窩車聯網芯片組自動完成復雜的校準和驗證測試 為汽車網絡接入設備模塊制造商和遠程信息處理控制單元制造商提供現成、省時的解決方案 2023年6月19
2023-06-19 15:32:47389 大部分從事后端設計的同行應該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項目經理、封裝同事等才會接觸這一部分內容。
2023-06-16 10:05:18674 
之前做過一個項目，有個模塊例化了10次，流片回來測試，有9個正常工作，另外一個工作不起來。這時這個模塊的負責人就來找我，問到：IR仿真時這10個模塊結果是怎樣的？
2023-06-16 10:00:241247 
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2023-06-16 09:36:380 什么是IR-drop？其實，IR這個詞并不是什么縮寫，這里的I就是指電流，R是指電阻，他們放在一起相乘，得出來的結果就是電壓。
2023-06-16 09:26:262660 
芯片就是集成電路，采用先進技術將大量的晶體管等電路中的元器件集成堆疊在一塊很小的半導體晶圓上，從而縮減體積，并且能夠完成大量計算，由此可見，芯片的技術決定了電子產品的性能。以前的電子產品內部存在著
2023-06-08 15:59:062311 當前量產主流SiC MOSFET芯片元胞結構有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074304 
MOSFET的種類有哪些 1. Enhancement MOSFET（增強型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗盡型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36937 最近在研究一個無人機電池管理系統，RDDRONE-BMS772。文檔中關于電池平衡的內容不清楚——芯片組是內置 FET 還是只是驅動器？
2023-06-01 07:23:40
ASR6505是基于STM 8位MCU的無線通信芯片組
ASR6505是一種通用的LoRa無線通信芯片組，集成了LoRa無線電收發器、LoRa調制解調器和一個8位CISC MCU
ASR6505
2023-05-31 10:04:08
我正在尋找幫助設置第二個 spi 閃存芯片的鏈接。
這第二個芯片將在其他 spi 端口之一上。
第二個芯片不會與引導存儲器芯片并聯。
2023-05-30 07:50:13
Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產品組合 基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 Marki Microwave 的 IR-0255 是一款射頻混頻器，射頻頻率為 2 至 5.5 GHz，本振頻率為 2 至 5.5 GHz，中頻
2023-05-26 16:01:29
23日，由全景網主辦、南開大學參與推出的“全景投資者關系金獎”2022年度全國性評選正式揭曉，敏芯股份IR團隊憑借優異表現榮獲投資者關系金獎? 杰出IR團隊獎項。
2023-05-25 11:00:18476 Marki Microwave 的 IR-0618 是一款射頻混頻器，射頻頻率為 6 至 18 GHz，本振頻率為 6 至 18 GHz，中頻頻率為
2023-05-24 16:48:07
Marki Microwave 的 IR-1545 是一款射頻混頻器，射頻頻率為 1.5 至 4.5 GHz，本振頻率為 1.5 至 4.5 GHz
2023-05-24 16:38:14
Marki Microwave 的 IR-4509 是一款射頻混頻器，射頻頻率為 4.5 至 9 GHz，本振頻率為 4.5 至 9 GHz，中頻頻率為 70
2023-05-24 15:38:34
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
Semtech針對5G移動設備開發的PerSe Connect SX9376芯片組，極大地改善了個人連接設備的5G連接性能，并維持其合規性
2023-05-15 17:49:351083 大家好，我正在做一個基于物聯網的項目，想使用 ESP8266。我希望在沒有 devkit 的情況下單獨使用芯片組，并且想知道是否有任何資源或任何關于如何設置它的信息。具體來說，我想知道獨立運行
2023-05-15 08:38:27
如果我們使用 Yocto Linux 發行版，i.MX28 (MCIMX287CVM4C) 芯片組是否有足夠的空間來支持 OTA 內核升級？
2023-05-09 06:50:41
推薦一款雙功率橋電機驅動芯片，帶有精確的電流監控，電流控制和電流限制徹底解決傳統功率橋芯片電流控制復雜的問題。提高控制感性線圈負載的電流精度。內置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
我正在嘗試使用 ESP-01 驅動 MOSFET 來控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
ISL8120IR 數據表
2023-04-27 19:45:100 溝槽柵結構是一種改進的技術，指在芯片表面形成的凹槽的側壁上形成MOSFET柵極的一種結構。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區
2023-04-27 11:55:023035 
大部分從事后端設計的同行應該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項目經理、封裝同事等才會接觸這一部分內容。
2023-04-21 09:31:091573 MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
OC5822 是一款內置功率 MOSFET的單片降壓型開關模式轉換器。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內實現 1.5 A最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負載調整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
是否是公版設計，就看你對芯片組的掌握程度了。 (二) 布局要點2 工控機主板上接口元件的位置一般是固定的，不能隨意改動。與PICMG等擴展槽和鍵盤、鼠標、USB等接口類似，它們必須與機箱上的孔配合才能保持
2023-04-06 14:18:23
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39987 
之前做過一個項目，有個模塊例化了10次，流片回來測試，有9個正常工作，另外一個工作不起來。這時這個模塊的負責人就來找我，問到：IR仿真時這10個模塊結果是怎樣的？測試有問題那個是IR最差的那個
2023-04-03 09:56:581795 您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片內部使用的 MOSFET 的 IV 特性，該 MOSFET 開關用于數據輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數據嗎？非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
ISL91110IR 數據表
2023-03-29 19:38:570 LTC4292芯片組是一款 4 端口供電設備 (PSE) 控制器，適合在符合 IEEE 802.3bt 3 類和 4 類標準的以太網供電 (PoE) 系統中使用。LTC4292/LTC4291 適合
2023-03-29 15:18:01
LTC9101-2 芯片組是一款 12/24 端口電源設備 (PSE) 控制器，適合在符合 IEEE 802.3bt 3 類和 4 類標準的以太網供電 (PoE) 系統中使用。LTC9101-2
2023-03-29 14:59:30
ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片，可兼容代換IR2104，應用領域于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、照明鎮流器、半橋驅動
2023-03-29 09:24:35930 
IR21814類似的驅動芯片直接驅動MOS管，該電路具有驅動簡單，成本低，PCB占用面積小等優點，在我司產品中得到廣泛的應用。但是，所采用的LLC諧振拓撲來說，驅動頻率在195K~360K之間變化
2023-03-28 11:42:481746 
我想為 i.MX8M SoC 上的 IW416 芯片組制作藍牙驅動程序。 我閱讀了 NXP 文檔（11.1 藍牙無線技術和 Wi-Fi 的連接）和知識庫， 然后 我現在可以使用藍牙功能了。但是，我
2023-03-28 07:02:35
電路板的設計，學習arduino的簡單編程； 03. 學習軟硬件編程的技術，實現上位機軟件與硬件數據交互； 二。 芯片IR2104原理 三。 模擬信號仿真（Multisim） 01.本設計關鍵點在
2023-03-27 14:57:37
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