的意思，原理就是在硅晶體管之間，加入絕緣體物質，可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。 ? SOI制程工藝自出現以來就因為其獨特的優勢吸引了業界關注，就在不久前，中國科學院上海微系統所官方公眾號日前發布消息，稱魏星研究員團隊在300 mm SOI晶圓制造技術方面取得突破
2023-10-29 06:28:00
2217 據悉，FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現有的 40nm EPM 技術，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數。
2024-03-21 14:00:2350 本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36187 
本帖最后由 jf_50240986 于 2024-3-8 22:51 編輯
串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極
2024-03-06 20:49:11
達林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達林頓對（Darlington Pair），是由兩個或更多個雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復合結構。通過這種結構，第一個雙極性晶體管放大的電流可以進一步被放大，從而提供比其中任意一個雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53503 
雙極性晶體管是利用兩種離子導電，空穴和自由電子，但是對于一個實際存在的系統，其整體上是呈現電中性的，當其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
和FD-SOI，其中RF-SOI作為一種重要的射頻芯片材料技術，雖然很少被提及，但在很多設備上都有重要的應用。 ? 射頻前端底層技術 ? 射頻前端的重要性不言而喻，是任何通信系統核心中的核心，RF-SOI正是用于各種射頻器件，目前已經是各類射頻應用里主流的襯底，如射頻開關、LNA、調諧器
2024-02-19 00:59:002460 晶體管是由三個主要元件組成的，即漏極（Collector）、基極（Base）和發射極（Emitter）。晶體管是一種半導體器件，用于放大和控制電流。它是現代電子技術中最重要的元件之一。
2024-02-03 14:12:12597 晶體管計算機是一種由晶體管組成的計算機系統。晶體管是一種半導體器件，用于控制和放大電流。它是電子技術領域中最重要的發明之一，也是現代計算機技術的基石之一。本文將詳細介紹晶體管計算機的主要物理元件
2024-02-02 10:28:30247 是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對三極管的開通有害的時候，為什么還要并聯電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
)：13.0效率（％）：33額定電壓(V)：40形式：封裝形式分立晶體管封裝形式類別：法蘭盤技術應用：GaN-on-SiC
2024-01-19 09:27:13
晶體管也就是俗稱三極管，其本質是一個電流放大器，通過基射極電流控制集射極電流。
1、當基射極電流很小可以忽略不計時，此時晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用，此時可以認為晶體管處在關斷狀態
2、當基
2024-01-18 16:34:45
在其內部移動的時間越短，從而提高開關速度。因此，隨著技術的進步，晶體管的尺寸不斷縮小。例如，從70納米（nm）縮小到現在的7納米。 2. 新材料：研究人員一直在研究新材料，以替代傳統的硅材料，從而提高晶體管的開關速度。例如，
2024-01-12 11:18:22364 對于一個含有晶體管，場效應管，運放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時不應該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
盡管使用帶有晶體管的分立電子元件會使用更多元件，但可以定制電路以提供所需的功能。因此，使用分立晶體管和一些附加電子元件的電路是電子電路設計的核心。
2024-01-09 15:21:11454 
、電動汽車等領域，是現代電力電子技術的核心元件之一。 IGBT的結構主要包括四層：P型襯底、N型發射層、P型基區和N型集電區。其中，P型襯底和
2024-01-03 15:14:22268 
上次我的文章解釋了所謂的7nm不是真的7nm，是在實際線寬無法大幅縮小的前提下，通過改變晶體管結構的方式縮小晶體管實際尺寸來達到等效線寬的效果那么新的問題來了：從平面晶體管結構(Planar)到立體
2023-12-19 16:29:01239 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 
引入不同的氣態化學物質進行的，這些化學物質通過與基材反應來改變表面。IC最小特征的形成被稱為前端制造工藝（FEOL），本文將集中簡要介紹這部分，將按照如下圖所示的 22 nm 技術節點制造 FinFET 的工藝流程，解釋了 FEOL 制造過程中最重要的工藝步驟。
2023-12-06 18:17:331122 
從平面晶體管結構(Planar)到立體的FinFET結構，我們比較容易理解晶體管尺寸縮小的原理。
2023-12-02 14:04:45267 
晶體管作為現代電子技術的核心組件之一，尤其是雙極結型晶體管（BJT），在眾多應用中扮演著開關的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型BJT晶體管作為開關，并闡明其在切斷區和飽和區的工作原理。
2023-11-28 11:15:58337 
今天分享另一篇網上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進行對比學習。 言歸正傳，接下來介紹平面工藝最后一個節點22nm process flow。
2023-11-28 10:45:514232 
平面型VDMOS和超結型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇？ 平面型VDMOS和超結型VDMOS是常見的金屬氧化物半導體場效應管(MOSFETs)的不同設計類型。它們在結構上存在一些細微的差異
2023-11-24 14:15:43549 來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管的元件溫度計算方法
2023-11-23 09:09:35239 
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結到環境的熱阻JA的數據，我需要結到外殼的熱阻Jc的數據，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數目是多少？
2023-11-21 06:54:43
在日前舉行的2023年第八屆上海FD-SOI論壇上，GlobalFoundries Chief Commercial Officer Juan Cordovez向產業介紹了公司在FD-SOI
2023-11-15 14:53:38793 
于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請到國內外幾乎所有FD-SOI生態內的重要企業專家參與。三年內國內外的科技環境發生了巨大的變化，FD-SOI的產業格局和技術又有哪些變化？ ? 半導體工藝在2001年的新工藝技術的兩條路
2023-11-01 16:39:041069 
FD-SOI技術論壇”和“2023 國際RF-SOI技術論壇”，兩天的活動分別吸引了五百位左右的國外專家和國內的領先半導體廠商專家領袖，聚集在上海黃埔江邊香格里拉酒店，共商針對物聯網、5G射頻、汽車等領域的半導體先進工藝技術的發展，活
2023-10-30 15:45:151446 
FinFET立體晶體管技術是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導體制造工藝的根基，接下來在Intel 20A、臺積電2nm、三星3nm上，都將轉向全環繞立體柵極晶體管。
2023-10-23 11:15:08279 
為什么我們需要晶體管？為什么不直接將用電器接到電源上呢？ 晶體管是現代電子設備中最重要的組成部分之一。在現代科學和技術領域中，它們的使用非常普遍，從電視和計算機到智能手機和更先進的科技產品。 晶體管
2023-10-22 15:13:31478 N2，也就是2nm，將采用GAAFET全環繞柵極晶體管技術，預計2025年實現量產。 2nm芯片是指采用了2nm制程工藝所制造出來的芯片，制程工藝的節點尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達到2納米級別。 2nm芯片手機
2023-10-19 17:06:18799 2nm芯片是什么意思 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出來的芯片，制程工藝的節點尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達到2納米級別。 更小的節點尺寸
2023-10-19 16:59:161958 在現今IGBT表面結構中，平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候，可能會顧名思義地認為，平面型IGBT的電流就是水平流動的
2023-10-18 09:45:43273 
晶體管，作為現代電子設備的基石，其功能和工作原理一直是電子學和半導體物理領域研究的核心。芯片中的每個晶體管都是一個微型開關，負責控制電流的流動。隨著技術的不斷發展，現代芯片上可能集成了數十億甚至數百億的晶體管。本文將探討晶體管的基本工作原理，從其構造開始，深入解析其操作機制。
2023-10-16 10:09:131239 
專業圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
晶體管和電阻做電流源的區別是什么？? 在電路中，電流源是一種非常常見的元件。它可以提供恒定的電流，以確保電路中其他元件的正常工作。電路中的電流源可以使用多種方式實現，晶體管（BJT）和電阻分別作為
2023-09-18 10:44:17509 ，從而發揮放大和開關的功能。它是現代電子技術中應用最廣泛的元件之一，被廣泛應用在放大、開關、邏輯電路等方面。 晶體管一般可以分為三個區域：發射區、基區和集電區。其中，發射區的摻雜濃度最高，基區次之，集電區最低。晶體管的工作狀態，
2023-09-17 09:43:213529 ，單位為MHz。
倍頻：表示主頻與外頻的比值。
制程：表示芯片上晶體管之間的連接導線的線寬，單位為納米，數字越小水平越高。
緩存大小：包括一級緩存、二級緩存、三級緩存等，單位為MB。
架構：表示CPU
2023-09-05 16:42:49
? 近日，北京大學彭練矛院士/張志勇教授團隊 造出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管 ，具備可以高度集成的能力。 基于該90nm 碳納米管晶體管技術，目前該團隊研發的高靈敏碳納米管
2023-09-05 15:10:18537 
華為發布首款5nm 5G SoC，集成153億晶體管? 在當今的數字時代，5G成為了一種越來越重要的通信技術，它能夠大幅提升傳輸速度和低延時，以實現更高的數據傳輸質量。而華為公司最近發布了自家
2023-09-01 16:47:357012 晶體管的三個極的電壓關系 晶體管作為一種電子器件，是當今電子技術和通信領域中不可或缺的重要元件。晶體管的基本結構包括一個基極、一個發射極和一個集電極。它實現了一種對電流的控制，從而能夠實現電子設備
2023-08-25 15:35:205242 晶體管的三種基本接法是什么 晶體管是一種半導體器件，是現代電子技術中的重要組成部分，可用于放大、開關和穩壓等電路。晶體管的三種基本接法是共射極、共集電極和共基極。下面將詳細介紹這三種接法
2023-08-25 15:35:173144 設備等消費電子、通訊和工業控制應用領域。在這篇文章中，我們將深入探討晶體管的三種工作狀態。 一、截止狀態 當晶體管的控制電壓為零或負值時，電流無法通過晶體管，此時晶體管處于截止狀態。在晶體管截止狀態下，集電極的
2023-08-25 15:29:424363 晶體管和真空管有哪些區別？ 晶體管和真空管是兩種不同的電子元件。都是常見的電子元件，但它們之間有很多區別。這些區別主要涉及到它們的外觀、構造、工作原理、熱量生成、性能參數等。這篇文章將詳細介紹這兩種
2023-08-25 15:29:391981 在電子技術領域中具有重要的作用。雖然它們在某些方面有一些相似之處，但是它們之間還存在著一些差異。本文將詳細介紹晶體管和MOS管之間的區別。 1. 結構差異 晶體管由P型和N型半導體材料的組合構成。有三個
2023-08-25 15:29:314214 輸出的區別。 1. 工作原理 晶體管是一種電子元件，它是由晶體管芯片、封裝、管腳等部分組成。晶體管的工作原理是，通過對控制電路施加不同的電壓來控制晶體管的導通和截止，從而控制所接負載的輸出狀態。晶體管的輸入阻抗較
2023-08-25 15:21:12897 晶體管和晶閘管區別是什么？ 晶體管和晶閘管是電子元件中常用的兩種器件，它們在電子電路中發揮著重要的作用。雖然它們的名稱相似，但是從工作原理到應用領域都存在著很大的區別。本文將詳細介紹晶體管和晶閘管
2023-08-25 15:21:071683 為了延續傳統平面型晶體管制造技術的壽命，彌補關鍵尺寸縮小給傳統平面型晶體管帶來的負面效應，業界研究出了很多能夠改善傳統平面型晶體管性能的技術。
2023-08-21 11:13:41389 
晶體管是一種有源元件，遍布電子電路。它們用作放大器和開關設備。作為放大器，它們用于高電平和低電平、頻率級、振蕩器、調制器、檢測器以及任何需要執行功能的電路中。在數字電路中，它們用作開關。世界上有大量
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個前置放大器。2通道混音器電路的第一個前置放大器具有高增益，可用于麥克風輸入，第二個前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
絕緣體上硅(FD-SOI)技術開發10納米低功耗工藝技術模塊，該技術未來將進一步向7納米拓展，這也是浸沒式DUV光刻技術的極限。該機構透露，FD-SOI新一代工藝將與18、22和28nm的現有設計兼容，并且還將包括嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝。該項目由法國政府獨立于《歐盟芯片法案》提供資金。
2023-07-20 10:54:19427 機構方面表示，新的fd-soi技術將與18、22、28納米的現有設計進行互換，還將包括嵌入式非揮發性存儲器（envm）技術。該項目在法國政府的資助下被分離為《歐盟芯片法案》。
2023-07-20 09:12:34308 逆變器在全球范圍內發揮著重要作用，因為它提供不間斷的電力供應，并幫助人們滿足能源需求。您可能已經使用了制造商生產的現成逆變器，但是如何自己制造一個。本文將介紹如何使用晶體管制作簡單的逆變器電路，該晶體管使用一些基本的電子元件（例如晶體管和變壓器）將12V DC轉換為120V AC。
2023-07-02 11:44:54623 
高效的400-800V充電和轉換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場效晶體管
2023-06-16 10:07:03
提出了一種僅在一個晶體管上制作的正負邏輯通用無源邏輯元件。邏輯元件至少有兩個輸入，以及三個輸出：一個 OR、一個 XOR 和一個 AND，同時工作。給出了使用這種設備作為“只有兩個”邏輯元素的一部分以及 RS 觸發器的一部分的示例。
2023-06-10 17:11:00810 
晶體管是一種非常重要的電子元件，它是電子器件中最基本的元件之一，也是現代電子技術的核心之一。晶體管的出現，使得電子器件的體積減小、功耗降低、速度提高，進而促進了現代電子技術的發展。本文將從晶體管的歷史發展、工作原理、種類以及應用等方面進行詳細介紹。
2023-06-02 09:51:462318 NPN晶體管是由三個不同摻雜的半導體材料制成的電子元件，它是一種L6562ADTR雙極晶體管，是電子學中最常用的元件之一。它的名稱來源于其內部的三個摻雜區域，分別是N型區、P型區和N型區。其中，P型區稱為基區，N型區稱為發射區和集電區。NPN晶體管的基區是較薄的區域，而發射區和集電區是較厚的區域。
2023-05-31 11:52:081335 我正在尋找摩托羅拉收音機 VHF 射頻末級中使用的這些舊射頻晶體管的數據表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
如何使用數字晶體管數字晶體管是一種用于控制電流流動的半導體元件，可用于數字電路中的邏輯門、時序電路和數據處理電路等。
2023-05-29 16:23:07325 
場效應晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041366 
晶體管是什么器件 晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:12:59831 晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201131 在現今IGBT表面結構中，平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候，可能會顧名思義地認為，平面型IGBT的電流就是水平流動的，而溝槽柵IGBT的電流就是在垂直方向
2023-05-11 11:18:53723 
的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大，并有助于功耗。這就是為什么我們必須了解MOS晶體管中各種類型的漏電流。 在我們嘗試了解各種漏電流元件之前，讓我們先回顧一下MOS晶體管的核心概念。這將有助于我們更好地了解該主題。 重新審視
2023-05-03 11:33:001279 單結晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負的反饋
2023-04-25 16:15:31
雙極結晶體管電路輸入振幅變大為什么會導致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號“PCAL6408ABSHP”中有關工藝節點和晶體管數量的信息。NXP 網站上是否有一個位置可以找到 NXP 部件號的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴展模塊控制步進電機嗎？
2023-04-17 14:13:13
瑞薩電子今日宣布推出基于 22nm 制程的首顆微控制器（MCU）。通過采用先進工藝技術，提供卓越性能，并通過降低內核電壓來有效降低功耗。先進的工藝技術還提供更豐富的集成度（比如 RF 等），能夠在更小的裸片面積上實現相同的功能，從而實現了外設和存儲的更高集成度。
2023-04-12 10:07:19454 智能發電主要涉及什么技術領域 智能變電涉及的技術領域主要包括變電站信息采集技術、智能傳感技術、實時監測技術、狀態診斷技術、自適應／自優化保護技術、廣域保護技術、協調控制技術和站內智能一次設備技術
2023-04-11 18:11:15636 采用晶體管互補對稱輸出時，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請問BJT工藝的線性穩壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒有負觸發導通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
硅NPN臺面型晶體管
2023-03-29 21:51:01
硅平面外延晶體管
2023-03-28 12:54:31
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發射極調換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
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