電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:58
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:19:400 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無(wú)疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29117 聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導(dǎo)體供應(yīng)商思瑞浦3PEAK（股票代碼：688536）正式宣布，推出全新高壓Buck—TPP0003X系列產(chǎn)品。
2024-03-18 13:50:31185 
近日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專(zhuān)為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19558 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼603986)宣布，正式推出基于ArmCortex-M33內(nèi)核的GD32F5系列高性能微控制器，全面適配于能源電力、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)
2024-03-16 08:22:4177 
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07187 
近日，備受矚目的半導(dǎo)體供應(yīng)商思瑞浦3PEAK正式推出了一款全新的3.3V供電、帶故障保護(hù)功能的高速CAN收發(fā)器——TPT133X系列產(chǎn)品。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的發(fā)布，標(biāo)志著思瑞浦3PEAK在高性能模擬芯片和嵌入式處理器領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力再次得到市場(chǎng)認(rèn)可。
2024-03-14 11:12:44209 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 潮，令800V平臺(tái)、SiC電驅(qū)開(kāi)始打進(jìn)20萬(wàn)內(nèi)的市場(chǎng)，SiC也進(jìn)一步能夠加速在市場(chǎng)上普及。 ? 最近兩家國(guó)內(nèi)廠商又有多款SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證，這將繼續(xù)推動(dòng)SiC功率器件量產(chǎn)上車(chē)。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開(kāi)發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)
2024-03-13 01:17:002631 
650V 高壓 MOSFET 和高壓?jiǎn)?dòng)電路
?優(yōu)化輕載噪音、提升系統(tǒng)抗干擾能力
?多模式控制、無(wú)異音工作
?支持降壓和升降壓拓?fù)??默認(rèn) 12V 輸出 (FB 腳懸空)
?待機(jī)功耗 <
2024-03-12 14:25:14
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”）宣布，其650V GaN器件（EcoGaN?）已被臺(tái)達(dá)電子（Delta Electronics, Inc.，以下簡(jiǎn)稱(chēng)
2024-03-12 10:42:46123 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開(kāi)關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255 3月8日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司（先楫半導(dǎo)體，HPMicro）推出了國(guó)產(chǎn)高性能微控制器HPM6800系列，致力于提供單主控的數(shù)字儀表及HMI解決方案，攜手生態(tài)合作伙伴構(gòu)建全新的數(shù)字儀表顯示及人機(jī)界面應(yīng)用平臺(tái)。
2024-03-07 12:30:39550 
上海瞻芯電子科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“瞻芯電子”）近期取得了一項(xiàng)重要的技術(shù)突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，分別為650V 40mΩ規(guī)格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:18222 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個(gè)引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-02-01 10:50:02364 Pickering Electronics，這家擁有超過(guò)50年小型化和高性能舌簧繼電器制造經(jīng)驗(yàn)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，近日推出了全新的104系列干簧繼電器。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列不僅實(shí)現(xiàn)了5kV的隔離額定值，而且在PCB面積占用方面也取得了顯著突破。
2024-02-01 10:09:58172 美國(guó)柏恩 Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，推出四款全新大功率、極低歐姆 電流檢測(cè)電阻系列。
2024-01-18 14:02:43190 近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過(guò)了嚴(yán)苛的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡(jiǎn)便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 
DK075G是一款高度集成了650V/160mΩGaNHEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片。DK075G檢測(cè)功率管漏極和源極之間的電壓（VDS）,當(dāng)VDS達(dá)到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管，從而減小
2024-01-05 18:02:01275 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車(chē)和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì)，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35270 
產(chǎn)品概述：DK065G是一款高度集成了650V/260mΩGaNHEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片。DK065G檢測(cè)功率管漏極和源極之間的電壓（VDS）,當(dāng)VDS達(dá)到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率
2023-12-16 12:04:28336 
產(chǎn)品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩGaNHEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片。DK045G檢測(cè)功率管漏極和源極之間的電壓（VDS）,當(dāng)VDS達(dá)到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率
2023-12-16 12:01:21224 今天兆芯正式推出了自主創(chuàng)新研發(fā)的新一代高性能桌面處理器——開(kāi)先KX-7000系列產(chǎn)品。
2023-12-13 09:31:51784 
和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，推出四款全新大功率、極低歐姆電流檢測(cè)電阻系列。Bourns 全新電流測(cè)量設(shè)備專(zhuān)為在電力電子設(shè)計(jì)中節(jié)省能源，同時(shí)最大化傳感性能。該系列具有低溫度系數(shù) (TCR)，可在廣泛的溫度范圍內(nèi)提供操作精度和卓越的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。其極低的電阻水平、低
2023-12-12 15:14:15337 
MOS管在直流充電樁上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結(jié)MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 
GaAs二極管是WBG功率半導(dǎo)體中的全新成員，其為設(shè)計(jì)人員提供了一種能夠在高性能功率變換器中平衡效率與成本的方案。
2023-12-04 18:23:24455 
650V高壓低功耗非隔離電源芯片，默認(rèn)輸出12V，最大電流2A，具有輸出可設(shè)置3-24V
2023-12-01 19:19:030 相繼推出兩款高性能RISC-V CPU Core IP——主打極致性能的昉·天樞-90（Dubhe-90）和主打高能效比的昉·天樞-80（Dubhe-80），一款片上一致性互聯(lián)IP——昉·星鏈-500
2023-11-29 13:37:35
、Buck-Boost 變換器拓?fù)鋺?yīng)用。 BP8523D 內(nèi)部集成了 650V 高壓 MOSFET、高壓?jiǎn)?dòng)和自供電電路、電流采樣電路、電壓反饋電路以及續(xù)流二極管!采用先進(jìn)的控制技術(shù)，無(wú)需外部 VCC
2023-11-21 10:32:19
英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求
2023-11-21 08:14:06255 
PN8036寬輸出范圍非隔離交直流轉(zhuǎn)換芯片 ，集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡(jiǎn)的小功率非隔離開(kāi)關(guān)電源。PN8036內(nèi)置650V高壓?jiǎn)?dòng)模塊，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動(dòng)、超低待機(jī)功能。
2023-11-16 10:24:00398 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計(jì)更綠色、更小的電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-13 15:11:290 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
%以內(nèi)的恒流精度，并且能夠?qū)崿F(xiàn)輸出電流對(duì)電
感與輸出電壓的自適應(yīng)，從而取得優(yōu)異的線型調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率
LC6833 內(nèi)部集成了 650V 功率MOSFET，無(wú)需次級(jí)反饋電路，也無(wú)需
補(bǔ)償電路，加之精準(zhǔn)
2023-10-30 18:01:18
功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際
2023-10-26 08:02:47373 
Littelfuse宣布推出首款汽車(chē)級(jí)PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個(gè)創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)能滿足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì) 相同功率等級(jí)的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 近日，洛微科技對(duì)外發(fā)布新款高性能D系列 TOF相機(jī)D3，這是一款專(zhuān)為工業(yè)環(huán)境中高性能操作設(shè)計(jì)的3D TOF智能相機(jī)。
2023-09-22 10:47:43859 SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時(shí)間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來(lái)極高的效率
2023-09-08 06:00:53
1 功率分立產(chǎn)品概述
2 IGBT 產(chǎn)品系列
3 HV MOSFET 產(chǎn)品系列
4 SiC MOSFET 產(chǎn)品系列
5 整流器及可控硅產(chǎn)品系列
6 能源應(yīng)用
2023-09-07 08:01:40
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
全新高性價(jià)比STM32H5，引入STM32H5 MCU系列用于高性能設(shè)計(jì)，提高應(yīng)用程序性能，有靈活的電源模式，安全性可擴(kuò)展
2023-09-05 06:51:14
---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的 [1] 第3代碳化硅MOSFET芯片 ，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用 。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產(chǎn)品于今日開(kāi)始批量
2023-09-04 15:13:401134 
能會(huì)對(duì)MOSFET的頻率穩(wěn)定性、相位噪聲和總體性能產(chǎn)生負(fù)面影響。在振蕩器中，閃爍噪聲本身表現(xiàn)為靠近載波的邊帶，其他形式的噪聲從載波延伸出來(lái)，頻譜更平坦。隨著與載波的偏移量的增加，閃爍噪聲會(huì)逐漸衰減，直到
2023-09-01 16:59:12
設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓最高可達(dá)650V。
特性
?650V無(wú)芯變壓器隔離驅(qū)動(dòng)器IC
?軌到軌輸出
?保護(hù)功能
?浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
Ω? ? 650V? ?? ? SOP7? ?? ?? ?? ?? ? SIC9773? ?? ?0.9? ?? ?? ?4.5Ω? ? 650V? ?? ? SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:37263 650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管，采用5mm雙扁平無(wú)引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
2023-08-16 23:36:51685 
2023年8月16日，高性能嵌入式解決方案廠商“上海先楫半導(dǎo)體（HPMicro）”正式發(fā)布全新產(chǎn)品系列——高性能運(yùn)動(dòng)控制微控制器 HPM5300。獨(dú)具匠“芯”的HPM5300系列以強(qiáng)勁的性能、靈活
2023-08-16 10:35:13211 隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無(wú)引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)
2023-08-07 17:22:17964 
面向能耗與成本敏感的中高端工業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)，不僅對(duì)芯片性能與功耗有更高要求，復(fù)雜的功能需求也考量著芯片的適配性與穩(wěn)定性。極海為平衡客戶對(duì)產(chǎn)品低功耗、高性能與高性價(jià)比等綜合需求，正式推出APM32F411
2023-08-06 10:32:48448 
“國(guó)產(chǎn)化”一詞正在被越來(lái)越多的提及，有著越來(lái)越高的關(guān)注度，飛凌嵌入式也已與多家國(guó)內(nèi)芯片原廠聯(lián)合推出了數(shù)款國(guó)產(chǎn)化智能平臺(tái)。為了幫助大家快速認(rèn)識(shí)飛凌嵌入式推出的各系列國(guó)產(chǎn)核心板產(chǎn)品，小編將以芯片品牌進(jìn)行
2023-08-05 11:12:15
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 16:09:541 650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
更廣泛的電源系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更小、更輕且高效的電源轉(zhuǎn)換。650 V MOSFET 產(chǎn)品系列非常適合高性能工業(yè)電源、服務(wù)器/電信電源、電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、不間斷電
2023-07-24 11:30:39
PN8044，18V 300MA DIP8 非隔離電源芯片 ，集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡(jiǎn)的小功率非隔離開(kāi)關(guān)電源，PN8044內(nèi)置650V高壓?jiǎn)?dòng)模塊。
2023-07-21 16:09:001205 
PN8034內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET，集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡(jiǎn)的小功率非隔離開(kāi)關(guān)電源。
2023-07-21 15:55:072352 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
開(kāi)關(guān)電源芯片U6773D內(nèi)置5A 650V 的MOS，支持準(zhǔn)諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應(yīng)用，僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:01612 ）—— “ TRSxxx65H 系列” 。首批12款產(chǎn)品（均為650V）中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開(kāi)始支持批量出貨。 新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種
2023-07-13 17:40:02184 
圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對(duì)應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975 
納芯微全新推出120V半橋驅(qū)動(dòng)NSD1224系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品具備3A/-4A的峰值驅(qū)動(dòng)電流能力，集成 高壓自舉二極管 ，提供使能、互鎖、欠壓保護(hù)不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，電力轉(zhuǎn)換是最基本的組成部分之一。而功率晶體管則是這種電力轉(zhuǎn)換的核心。隨著科技的不斷發(fā)展，我們需要更高性能的功率晶體管來(lái)支持更復(fù)雜的電子系統(tǒng)。本文將帶你了解INN650
2023-06-25 17:51:03565 
電源管理芯片，支持PD3.1快充協(xié)議，最大充放電功率達(dá)140W，支持輸入輸出雙向快充。
作為一家專(zhuān)注于高性能、高品質(zhì)數(shù)模混合芯片設(shè)計(jì)公司，英集芯主營(yíng)業(yè)務(wù)為電源管理芯片、快充協(xié)議芯片的研發(fā)和銷(xiāo)售。英集芯
2023-06-25 11:51:27
保護(hù)和出色的散熱性能，方便安裝。應(yīng)用包括高開(kāi)關(guān)頻率和高密度轉(zhuǎn)換器。文章來(lái)源：http://www.ameya360.com/hangye/109156.html 特性 》650V E模式GaN FET
2023-06-19 15:09:18273 
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
引言： 在現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換和電子系統(tǒng)中，高壓MOSFET扮演著重要的角色。其中，CMW65R041DFD是一款備受矚目的650V SJ MOSFET型號(hào)，具備許多引人注目的特點(diǎn)和廣泛應(yīng)用領(lǐng)域。本文將從
2023-06-13 14:06:48364 潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 近年來(lái)，汽車(chē)行業(yè)和綠色能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展迅速推動(dòng)了電子元器件的進(jìn)步，其中高性能電容器的需求越來(lái)越高。在這個(gè)領(lǐng)域中，風(fēng)華高科推出的低損耗、高耐電壓1210C0G630~1000V系列車(chē)規(guī)電容器引起了廣泛
2023-06-09 10:30:42
【 2023 年 5 月 12 日，德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT
2023-05-25 00:25:01322 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
2023-05-24 15:19:34447 
Nexperia | 用于汽車(chē)和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23463 、APT32Fxxx系列：愛(ài)普特微電子推出了多款基于RISC-V CPU內(nèi)核開(kāi)發(fā)的32位高性能高可靠性單片機(jī)，主頻相對(duì)較低48MHz，外設(shè)資源也都是常規(guī)的外設(shè)。主要面向工業(yè)控制，觸控家電，消費(fèi)電子設(shè)備，可穿戴設(shè)備等
2023-05-14 09:18:55
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開(kāi)關(guān)時(shí)間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 IP6862是一款英集芯全新推出的一芯雙充無(wú)線充電方案，采用QFN32封裝5*5MM可支持15W+15W/15W+5W版本，支持全新1芯雙充無(wú)線充方案開(kāi)發(fā)。科發(fā)鑫電子是英集芯一級(jí)代理商，提供全系列英
2023-04-07 18:45:16
TPM650xQ系列內(nèi)置MOS管，耐壓達(dá)到25V，支持全溫度范圍-40°C至+125°C可靠工作。通過(guò)極具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品性能，TPM650xQ系列廣泛應(yīng)用于汽車(chē)總線接口、工業(yè)儀器等需要隔離供電的終端領(lǐng)域。
2023-04-01 12:49:11507 芯茂微電子于近期推出了LP6655系列高性能CCM/DCM定頻PFC控制器。LP6655系列芯片的工作頻率固定，有65kHz/133kHz/200kHz可選；單周期調(diào)制模式能夠提供優(yōu)異的功率因數(shù)表現(xiàn)，同時(shí)芯片在輕負(fù)載下能夠降低工作頻率以提升輕載能效。
2023-03-31 11:14:462424 SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
ME8133是一款高性能，高效率電流模式PWM控制器，內(nèi)封650V/4A功率MOSFET，功率最高可達(dá)30W（220VAC）。
2023-03-29 10:08:081214 MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
2023-03-27 14:38:07
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論