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IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉換或充電泵電路，使其成為系統/負載開關應用非常理想的解決方案。
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|
器件編號 |
封裝 |
BV (V) |
最大 Vgs ?(V) |
10V下的
典型 / 最大RDS(on) (m?) |
4.5V下的
典型 / 最大RDS(on)
(m?) |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
3.9 / 4.6 |
5.8 / 6.8 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
5.4 / 6.6 |
8.3 / 10.2 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
5.9 / 7.2 |
9.3 / 11.2 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
10.0 / 11.9 |
16.1 / 19.7 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
13.6 / 17.5 |
22.5 / 28.1 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
15.6 / 19.4 |
25.6 / 32.5 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
48 / 59 |
83 / 110 | |
|
SO-8 (dual) |
-30 |
20 |
17.0 /?21.0 |
25.7 / 32 |
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2023-11-02 16:15:57
ME4925-VB-SOP8封裝2個P溝道MOSFET
門源電壓范圍 12V 門源閾值電壓 1.8V 封裝類型 SOP8應用簡介 ME4925（絲印 VBA4317）是VBsemi公司生產的一款P溝道MOSFET，擁有2
2023-11-02 14:52:31
P06B03LVG-VB-SOP8封裝2個P溝道MOSFET
)- 閾值電壓 -1.5Vth (V)- 封裝類型 SOP8應用簡介 P06B03LVG是一款2個P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。具有負的額定電壓和額
2023-11-02 14:42:23
XP132A1275SR-VB-SOP8封裝溝道MOSFET
) 閾值電壓 0.6~2Vth (V) 封裝類型 SOP8應用簡介 XP132A1275SR是一款P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。具有負的額定電壓
2023-11-02 11:51:12
P0603BVG-VB-SOP8封裝N溝道MOSFET
電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓范圍 0.8V~2.5V 封裝類型 SOP8應用簡介 P0603BVG（絲印 VBA1311）是VBsemi公司生產的一款N溝道功
2023-11-02 11:17:21
NTF6P02T3G-VB-SOT223封裝P溝道MOSFET
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 0.83Vth 封裝 SOT223應用簡介 NTF6P02T3G是一款P溝道MOSFET，適用于需要負極電壓控制和
2023-11-02 10:16:18
STM4639-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET
1.5Vth (V) 封裝類型 SOP8應用簡介 STM4639是一款P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。其中，它具有負的額定電壓和額定電流特性，能夠
2023-11-02 09:37:49
SQD50P06-15L-GE3-VB-TO252封裝P溝道MOSFET
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.76Vth 封裝 TO252應用簡介 SQD50P0615LGE3是一款P溝道MOSFET，適用于負
2023-11-02 09:28:15
AFN4634WSS8RG-VB-SOP8封裝N溝道MOSFET
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.72Vth 封裝 SOP8應用簡介 AFN4634WSS8RG是一款N溝道MOSFET，適用于高電壓和
2023-11-01 11:21:18
AO4425-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET
門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.42Vth 封裝 SOP8應用簡介 AO4425是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制和負載開關的高功率應用。
2023-11-01 10:37:54
MDD3754RH-VB-TO252封裝P溝道MOSFET
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.6Vth 封裝 TO252應用簡介 MDD3754RH是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制和負載開關的
2023-10-31 16:14:45
NTR0202PLT1G-VB-SOT23封裝P溝道MOSFET
Ω @2.5V 門源電壓 12Vgs (±V) 門閾電壓 0.81Vth 封裝 SOT23應用簡介 NTR0202PLT1G是一款P溝道MOSFET，適用于低壓和中等電
2023-10-31 14:13:24
FDS8858CZ-NL-VB-SOP8封裝N+P溝道MOSFET
型號 FDS8858CZNL絲印 VBA5311品牌 VBsemi參數 頻道類型 N+P溝道 額定電壓 ±30V 額定電流 10A / 8A RDS(ON) 11mΩ / 21m
2023-10-31 13:52:46
TPC8123-VB-SOP8封裝溝道MOSFET
門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 1.5Vth (V) 封裝類型 SOP8應用簡介 TPC8123是一款P溝道MOSFE
2023-10-31 11:58:20
FDN304P-NL-VB-SOT23封裝P溝道MOSFET
門源電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓 1V 封裝類型 SOT23應用簡介 FDN304PNL（絲印 VB2355）是VBsemi公司生產的一款P溝道功率MOSFET
2023-10-31 11:24:55
AO4407A-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET
, 66mΩ @2.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.37Vth 封裝 SOP8應用簡介 AO4407A是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控
2023-10-30 15:56:14
CEM4435-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET
Ω @ 2.5V 門源電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓 1.37V 封裝類型 SOP8應用簡介 CEM4435（絲印 VBA2317）是VBsemi公司生產的一款P
2023-10-30 15:33:55
2SJ668-VB-TO252封裝P溝道MOSFET
門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.3Vth 封裝 TO252應用簡介 2SJ668是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制或負載開關的高功率應用
2023-10-30 15:13:18
AO4407-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET
) 閾值電壓 1.37Vth (V) 封裝類型 SOP8應用簡介 AO4407是一款P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。它具有負的額定電壓和額
2023-10-30 14:46:07
FR5305-VB-TO252封裝P溝道MOSFET
門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.76Vth 封裝 TO252應用簡介 FR5305是一款P溝道MOSFET，適用于需要負極電壓控制和負載開關的高功率
2023-10-30 10:03:05
AP4563GH-VB-TO252-5封裝 N+P溝道MOSFET
, 18.75mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 ±1Vth 封裝 TO2525應用簡介 AP4563GH是一款N+P溝道MOSFET，適用于需要
2023-10-28 16:06:13
SUD50P04-08-GE3-VB-TO252封裝P溝道MOSFET
Ω@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.6Vth 封裝 TO252應用簡介 SUD50P0408GE3是一款P溝道MOSFET，適用于高功率開關和
2023-10-28 15:35:51
IRF7314TRPBF-VB-SOP8封裝2個P溝道MOSFET
) 閾值電壓 1.5Vth (V) 封裝類型 SOP8應用簡介 IRF7314TRPBF是一款雙P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。它具有負的額定電壓和
2023-10-28 14:55:23
ME9435-VB-SOP8封裝溝道MOSFET
門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.5Vth 封裝 SOP8應用簡介 ME9435是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制或負載開關的應用。其最大耐壓
2023-10-28 14:24:47
FDD5614P-VB-TO252封裝P溝道MOSFET
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.3Vth 封裝 TO252應用簡介 FDD5614P是一款P溝道MOSFET，適用于負極電壓控制或負載開關的應
2023-10-28 11:48:41
600 - 650V MDmesh DM9快速恢復SJ功率MOSFET提高了效率和穩健性
和功率水平。這些快速恢復硅基功率MOSFET的器件適用于工業和汽車應用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
面向SiC MOSFET的STGAP2SICSN隔離式單通道柵極驅動
單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制，采用節省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率，STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間，并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
美浦森N溝道超級結MOSFET SLH60R028E7
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結MOS，由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要
2023-08-18 08:32:56513
513
IR Drop與封裝（一）
大部分從事后端設計的同行應該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項目經理、封裝同事等才會接觸這一部分內容。
2023-06-16 10:05:18674
674MOSFET對使單刀雙擲開關變得簡單
以對 MOSFET 使用單個控制輸入。這種拓撲結構中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A時表現出小于0.1V的壓降，并且兩個MOSFET都采用SO-8封裝。
2023-05-31 17:49:243200
3200如何使用P/N溝道MOSFET構建通用全橋或H橋MOSFET驅動電路
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288
5288IR Drop與封裝分析
大部分從事后端設計的同行應該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項目經理、封裝同事等才會接觸這一部分內容。
2023-04-21 09:31:091573
1573以工藝見長的東芝N溝道功率MOSFET為電源效率賦能
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應來控制半導體（S）的場效應晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691
691- 設計技術
- 可編程邏輯
- 電源/新能源
- MEMS/傳感技術
- 測量儀表
- 嵌入式技術
- 制造/封裝
- 模擬技術
- RF/無線
- 接口/總線/驅動
- 處理器/DSP
- EDA/IC設計
- 存儲技術
- 光電顯示
- EMC/EMI設計
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