FERRITE CORE EPC 1.15UH 2PC SET
2024-03-14 23:00:25
FERRITE CORE EPC 1.56UH 2PC SET
2024-03-14 23:00:25
EPC2302，EPC23101 電源管理 評估板
2024-03-14 21:15:32
EPC23102 半 H 橋驅動器（外部 FET） 電源管理 評估板
2024-03-14 20:16:58
CLASS-E AMPLIFIER BOARD EPC2112
2024-03-14 20:16:58
EVAL BOARD FOR EPC2112
2024-03-14 20:16:58
氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）。 該板采用EPC EPC2218 100V FET和低靜態電流、高頻LTC7890雙降壓DC/DC同步控制器，
2024-02-22 13:43:55
。EMC的主要目標是防止不同設備或系統之間的電磁干擾（EMI）和互操作性問題。 與EMC密切相關的是EPC，EPC即是開放式產品技術規范（Electronic Product Code），是一種應用于全球
2024-02-04 15:40:20
1053
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
應用領域具有很大的潛力。 以下是一些常見的氮化鎵MOS管型號： EPC2001：EPC2001是一種高性能非晶硅氮化鎵MOS管，具有低導通電阻、高開關速度和優秀的熱特性。它適用于電源轉換器、鋰電池充電器和無線充電應用等領域。 EPC601：EPC601是一種低電阻非晶硅氮化鎵
2024-01-10 09:32:15362 自行車、電動滑板車、無人機、機器人和直流伺服電機。 EPC9194演示板具有六 (6) 個EPC2302 100V eGaN FET，采用 3 x 5mm QFN 封裝。該板的尺寸
2023-11-14 16:53:02646 高效功率轉換 (EPC) 宣布推出 EPC9194，這是一款用于 3 相 BLDC 電機驅動逆變器的參考設計。它的工作輸入電源電壓范圍為 14 V 至 60 V，可提供高達 60 Apk (40
2023-11-02 16:43:46397 ? 全球嵌入式計算方案供應廠商研華科技隆重推出高性能嵌入式工控機EPC-B3000系列。該系列包括搭載了AMD Ryzen AM4 5000處理器的EPC-B3522和搭載第12代Intel
2023-10-24 11:37:35407 
研華高性能邊緣計算機EPC-B5000系列，旨在提升圖形AI并處理復雜的圖形工作負載。該系列包含EPC-B5587、EPC-B5505和EPC-B5592，支持包括Intel Core / Xeon
2023-08-31 11:35:10250 全球嵌入式計算知名廠商研華隆重推出高性能嵌入式工控機EPC-B3000系列。該系列包括搭載了AMD Ryzen AM4 5000處理器的EPC-B3522和搭載第12代Intel Core處理器
2023-08-23 10:47:38240 
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應用的 E-mode（增強型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 DMN2015UFDF 產品簡介DIODES 的DMN2015UFDF這款新一代 20V N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時保持卓越的開關性能。該器件
2023-06-30 16:25:18
DMN2015UFDE 產品簡介DIODES 的DMN2015UFDE這款新一代 20V N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時保持卓越的開關性能。該器件
2023-06-30 16:13:40
功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
前言
橙果電子是一家專業的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標準無塵生產車間，為客戶進行一站式服務。充電頭網拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
，在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發現鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
、設計和評估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻。
應用與技術營銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設計。他創造了世界上最小的參考設計，被多家頭部廠商采用并投入批量生產。
2023-06-15 15:28:08
和信號，一直是業界無法實現的。因為硅器件的開關速度太慢，而且存在驅動器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉換器/隔離器，導致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
在該項目中，霍尼韋爾專家經過深入分析、準確建模，大膽創新，在原有霍尼韋爾PKS C300控制系統上嵌入2個EPC軟件，一個用于穩定反應入口溫度，另一個用于控制二層上部溫度。充分利用EPC的預估控制能力，使用閥位控制整體冷氫流，讓進入整個反應器的溫度保持平穩。
2023-05-17 10:55:10496 
非常偶然地，ESP8266 模塊會重置并顯示以下啟動打印：
Fatal exception (28):
epc1=0x4000df2f, epc2=0x00000000, epc
2023-05-17 08:25:01
業內唯一可同時提供級聯型（cascade）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應商 奈梅亨 ， 2023 年 5 月 10 日 ： 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出
2023-05-10 09:24:51420 
EVAL DEV FOR EPC2001 EGAN FET
2023-03-30 11:54:00
BOARD EVAL FOR EPC2015
2023-03-30 11:53:16
EVAL BOARD GAN EPC2020/EPC2021
2023-03-30 11:52:57
EVAL BOARD FOR EPC2016
2023-03-30 11:52:27
EPC2015 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-30 11:46:05
BOARD DEV FOR EPC2016
2023-03-29 22:59:19
BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
2023-03-29 22:59:18
BOARD DEV FOR EPC2007 100V EGAN
2023-03-29 22:59:18
BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN
2023-03-29 22:59:16
BOARD DEV FOR EPC2001 100V GAN
2023-03-29 22:53:09
EPC2010 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:53:09
BOARD DEV FOR EPC8005 65V EGAN
2023-03-29 22:51:10
BOARD DEV EPC2015/23 EGAN
2023-03-29 22:50:13
BOARD DEV FOR EPC2102 60V EGAN
2023-03-29 22:49:05
BOARD DEV FOR EPC2001C 100V
2023-03-29 22:48:53
BOARD DEV FOR EPC2021 80V EGAN
2023-03-29 22:48:53
BOARD DEV FOR EPC2020 60V EGAN
2023-03-29 22:48:52
DEV BOARD EPC2016C 100V EGAN
2023-03-29 22:48:51
BOARD DEV FOR EPC2100 30V EGAN
2023-03-29 22:47:21
BOARD DEV FOR EPC8009 65V EGAN
2023-03-29 22:47:14
EPC2007C eGaN? Series Power Management Evaluation Board
2023-03-29 22:47:13
EPC2035 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:47:13
BOARDDEVFOREPC2045&EPC2022
2023-03-29 22:47:13
BOARD DEV EPC2001/21 EGAN
2023-03-29 22:47:12
EPC8002 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:47:12
BOARD DEV FOR EPC8004 40V EGAN
2023-03-29 22:47:12
BOARD DEV FOR EPC2101 60V EGAN
2023-03-29 22:47:12
BOARD DEV FOR EPC2106
2023-03-29 22:47:12
BOARD DEV FOR EPC2015 40V GAN
2023-03-29 22:47:11
BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN
2023-03-29 22:47:11
EPC2015 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:47:10
BOARD DEV FOR EPC8010 100V EGAN
2023-03-29 22:47:09
EPC2012C eGaN? Series Power Management Evaluation Board
2023-03-29 22:47:09
BOARD DEV EPC2010C EGAN FET
2023-03-29 22:47:09
BOARD DEV FOR EPC2103 80V EGAN
2023-03-29 22:47:06
EPC2104 eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:47:06
BOARD DEV FOR EPC2014C
2023-03-29 22:47:05
BOARD DEV EPC2036 100V EGAN FET
2023-03-29 22:47:05
BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN
2023-03-29 22:47:04
EPC2023 eGaN? Series Power Management Evaluation Board
2023-03-29 22:47:04
BOARD DEV FOR EPC2024 40V EGAN
2023-03-29 22:47:03
BOARD DEV FOR EPC2022 100V EGAN
2023-03-29 22:47:03
BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN
2023-03-29 22:46:57
BOARD DEV FOR EPC2029 80V EGAN
2023-03-29 22:46:56
BOARD DEV FOR EPC2033
2023-03-29 22:46:56
DEMO CIRCUIT FOR EPC2021 80V
2023-03-29 22:46:54
EPC2204
2023-03-29 22:46:06
EPC2206
2023-03-29 22:41:58
EPC2152ENGRT
2023-03-29 17:35:50
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
2023-03-28 22:23:38
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
2023-03-28 22:19:33
EPC2001C–增強型功率晶體管
2023-03-28 18:19:32
EPC2216
2023-03-28 13:54:39
EPC2040
2023-03-28 13:23:02
EPC2212
2023-03-28 13:21:51
EPC2045
2023-03-28 13:20:57
EPC2052
2023-03-28 13:16:25
EPC2051
2023-03-28 13:16:21
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