自感系數(shù)和互感系數(shù)是電力系統(tǒng)中描述節(jié)點(diǎn)電壓和節(jié)點(diǎn)電流之間相互影響程度的重要參數(shù)。它們的決定因素包括電力系統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、線路參數(shù)、負(fù)載特性以及控制模式等。下面將從這些方面詳細(xì)探討自感系數(shù)和互感系數(shù)
2024-03-09 09:40:20309 內(nèi)存(DRAM)市場(chǎng)正在迎來(lái)一波上漲潮。
2024-03-08 14:18:52210 近期的演示會(huì)上,美光詳細(xì)闡述了其針對(duì)納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。
2024-03-05 16:18:24190 三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者,在本季度DRAM營(yíng)收達(dá)到79.5億美元,環(huán)比增長(zhǎng)近50%,主要受益于1αnm DDR5的出貨提速,服務(wù)器DRAM出貨量躍增逾60%。
2024-03-05 15:40:57162 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MES實(shí)施的四大疑惑.docx》資料免費(fèi)下載
2024-03-01 15:35:080 2024年世界移動(dòng)通信大會(huì)(MWC 2024)期間,華為針對(duì)智能化時(shí)代的需求發(fā)布了Net5.5G智能云網(wǎng)的四大主力方案。華為強(qiáng)調(diào),網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量對(duì)數(shù)字服務(wù)質(zhì)量具有決定性影響,而當(dāng)前智能化技術(shù)在轉(zhuǎn)化為數(shù)字生產(chǎn)力方面仍有巨大潛力未被充分釋放,因此網(wǎng)絡(luò)升級(jí)變得至關(guān)重要。
2024-02-28 09:45:41100 接受存儲(chǔ)制造商的提價(jià)要求,因此導(dǎo)致DRAM價(jià)格連續(xù)3個(gè)月上漲。 ? DRAM芯片被廣泛應(yīng)用于PC、智能手機(jī)、服務(wù)器等領(lǐng)域,大宗交易價(jià)格由賣(mài)家和買(mǎi)家共同決定。消息稱DRAM批發(fā)價(jià)由存儲(chǔ)芯片廠商與客戶每月或每季度敲定一次,上一輪價(jià)格談判是在春節(jié)前,中國(guó)客戶增加采購(gòu)量。日
2024-02-19 11:10:01788 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷,而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 飛創(chuàng)高精度直線電機(jī)模組八大主流應(yīng)用行業(yè)
2024-02-05 16:19:47230 三相異步電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)向由電源相序、電機(jī)的外部連接方式、啟動(dòng)方法以及電機(jī)的機(jī)械結(jié)構(gòu)等多個(gè)因素共同決定。
2024-02-03 14:50:40557 斬波電路的開(kāi)關(guān)頻率由什么決定? 斬波電路的開(kāi)關(guān)頻率是指電路中開(kāi)關(guān)元件(一般是晶體管或MOSFET)的開(kāi)關(guān)動(dòng)作頻率。這個(gè)頻率是由多個(gè)因素決定的,包括電路設(shè)計(jì)的目標(biāo)、開(kāi)關(guān)元件的參數(shù)、電路的工作條件
2024-01-31 16:43:18219 比較器的帶寬由什么決定?比較器的Slew Rate由什么決定? 比較器的帶寬和Slew Rate是兩個(gè)關(guān)鍵指標(biāo),決定了比較器在工作中的性能表現(xiàn)。 首先我們來(lái)介紹比較器的帶寬。帶寬是比較器能夠處理
2024-01-31 14:48:03305 影響晶振振蕩頻率的主要因素? 晶振是現(xiàn)代電子電路中一種常用的元件,它能夠產(chǎn)生穩(wěn)定的振蕩信號(hào),用于節(jié)拍、計(jì)時(shí)和通信等應(yīng)用中。然而,晶振的振蕩頻率并非完全穩(wěn)定,會(huì)受到多種因素的影響。 1. 晶體的尺寸
2024-01-31 09:27:57190 報(bào)導(dǎo)指出,因各家內(nèi)存廠商減產(chǎn)、市場(chǎng)過(guò)剩情況緩解,2023年11月DRAM批發(fā)價(jià)約2年半來(lái)首度呈現(xiàn)揚(yáng)升。各家內(nèi)存廠商為了改善獲利,今后將持續(xù)要求漲價(jià)。
2024-01-25 12:33:5298 DRAM稼動(dòng)率緩步改善,業(yè)界認(rèn)為,整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升,較2023年第4季小幅提升約5%左右,下半年投片量回升速度將明顯加快。
2024-01-23 10:53:04159 有限公司就來(lái)說(shuō)說(shuō)研華工控機(jī)價(jià)格的決定因素,影響工控機(jī)價(jià)格的因素有哪些。 首先,研華工控機(jī)的配置是影響其價(jià)格和性能的重要因素之一。主板、內(nèi)存、CPU、電源以及機(jī)箱等零配件的不同都會(huì)對(duì)價(jià)格產(chǎn)生影響。例如,低配的主板
2024-01-17 16:14:33191 有存儲(chǔ)模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價(jià)格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價(jià),但預(yù)計(jì)NAND價(jià)格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價(jià)格上漲2%-3%,大幅提升DRAM價(jià)格,但低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466 據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿足,買(mǎi)方預(yù)期DDR4價(jià)格將進(jìn)一步上漲,這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型,但對(duì)于DDR4采購(gòu)量增幅不定。預(yù)計(jì)PC DRAM季度合約價(jià)變化幅度將在10~15%之間,其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:26195 接近開(kāi)關(guān)的大小和種類由什么來(lái)決定? 近開(kāi)關(guān)的大小和種類由多個(gè)因素來(lái)決定,下面將從材料、尺寸、電流和應(yīng)用范圍等多個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先,材料是影響近開(kāi)關(guān)大小和種類的重要因素之一。常見(jiàn)的近開(kāi)關(guān)材料
2024-01-03 17:13:29186 隨著上游原廠醞釀提價(jià),多家存儲(chǔ)器模塊業(yè)者已經(jīng)開(kāi)始備貨,以應(yīng)對(duì)潛在的市場(chǎng)變化。預(yù)計(jì)供應(yīng)給OEM廠商的合約價(jià)將在二季度起全面反映DRAM的漲價(jià)趨勢(shì)。
2024-01-03 15:34:13733 部分存儲(chǔ)模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià),故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:21549 軟件測(cè)試是軟件開(kāi)發(fā)過(guò)程中重要的一環(huán),其目的是發(fā)現(xiàn)軟件中存在的問(wèn)題,并提供解決方案。因此,軟件測(cè)試的八大特性對(duì)于保證軟件的質(zhì)量和穩(wěn)定性至關(guān)重要。
1、功能性是指軟件是否按照需求文檔和設(shè)計(jì)文檔正確
2024-01-02 10:15:12
在太陽(yáng)能電池的沉積工藝中,制備高性能的ITO薄膜是其首要任務(wù)。電池廠商在制備ITO薄膜時(shí),往往需要考慮自身的方阻與影響ITO薄膜方阻的因素,從而在了解的基礎(chǔ)上更好的解決對(duì)ITO薄膜方阻有不利
2023-12-28 08:33:00417 高精度旋轉(zhuǎn)花鍵能夠確保精確、平穩(wěn)的傳動(dòng),從而提高設(shè)備性能和工作效率。在需要高精度傳動(dòng)的場(chǎng)合,如機(jī)床、航空航天等領(lǐng)域,精度更是成為決定成敗的關(guān)鍵因素,那么,影響旋轉(zhuǎn)花鍵精度的因素有哪些呢? 
2023-12-26 17:45:25
漏保跳閘的八大原因? 漏保跳閘是指在電路運(yùn)行中,漏電保護(hù)器(也叫漏電斷路器)因?yàn)槟撤N原因跳閘,從而切斷電路供電。漏保跳閘是一種常見(jiàn)的電氣故障,對(duì)于電力系統(tǒng)的安全運(yùn)行非常重要。下面將詳細(xì)介紹導(dǎo)致
2023-12-20 10:56:442210 【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn):RDS(ON)的決定因素
2023-12-13 14:18:47283 我國(guó)智能制造探索形成了典型模式路徑,具體表現(xiàn)為八大應(yīng)用趨勢(shì),魏亮圍繞產(chǎn)品研發(fā)、工廠建設(shè)、制造執(zhí)行、生產(chǎn)管控、能耗排放、集成優(yōu)化等環(huán)節(jié)進(jìn)行了分享。
2023-12-13 11:24:02448 我國(guó)智能制造探索形成了典型模式路徑,具體表現(xiàn)為八大應(yīng)用趨勢(shì),魏亮圍繞產(chǎn)品研發(fā)、工廠建設(shè)、制造執(zhí)行、生產(chǎn)管控、能耗排放、集成優(yōu)化等環(huán)節(jié)進(jìn)行了分享。
2023-12-11 17:21:53598 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,而NAND(Not AND)是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003897 請(qǐng)問(wèn)DAC的精度主要由哪些因素決定?還有對(duì)于DAC來(lái)說(shuō)ENOB的意義是什么?其具體怎么計(jì)算?
期待您的回答!
謝謝!
2023-12-08 07:30:54
是什么決定晶振的頻率?
2023-12-05 15:15:42196 一款恒溫恒濕試驗(yàn)機(jī)價(jià)格包含許多方面的信息,不同的配置會(huì)有不一樣的成本,成本會(huì)直接影響銷售價(jià)格,那么,影響恒溫恒濕試驗(yàn)機(jī)價(jià)格的因素有哪些?其主要因素是:1、溫度的控制范圍,當(dāng)溫度的低溫越低的話其價(jià)格
2023-11-30 14:24:52365 DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代(不到20nm世代)已經(jīng)過(guò)去五年了。過(guò)去五年,DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此,本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)。
2023-11-25 14:30:15536 什么決定晶振的頻率?
2023-11-23 09:08:45236 芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下,DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄,也有成熟的工藝,而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08476 主流存儲(chǔ)芯片海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同,DRAM 和 NAND Flash 等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲(chǔ),存儲(chǔ)晶圓的設(shè)計(jì)及制造標(biāo)準(zhǔn)化程度較高,各晶圓廠同代產(chǎn)品在容量、帶寬、穩(wěn)定性等方面,技術(shù)規(guī)格趨同。因此頭部廠商要通過(guò)產(chǎn)能擴(kuò)大規(guī)模化優(yōu)勢(shì)及技術(shù)持續(xù)升級(jí)迭代保持競(jìng)爭(zhēng)力。
2023-11-21 15:00:161290 中圖儀器國(guó)產(chǎn)臺(tái)階儀廠商采用了線性可變差動(dòng)電容傳感器LVDC,具備超微力調(diào)節(jié)的能力和亞埃級(jí)的分辨率,同時(shí),其集成了超低噪聲信號(hào)采集、超精細(xì)運(yùn)動(dòng)控制、標(biāo)定算法等核心技術(shù),使得儀器具備超高的測(cè)量精度和測(cè)量
2023-11-20 11:41:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《模電學(xué)習(xí)八大概念.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-18 10:39:050 目前國(guó)產(chǎn)MCU有加密功能的有哪些廠商?
2023-11-15 11:50:00
DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非常快,如HBM,但也很昂貴。其他類型速度較慢,但價(jià)格便宜,如基本的DDR DIMM。然而,變化的是,在異構(gòu)架構(gòu)中,兩者都可以發(fā)揮重要作用,以及多種其他DRAM類型和更狹義的存儲(chǔ)器,如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13243 金屬3D打印的零件品質(zhì)受到多個(gè)因素的影響,包括設(shè)備、材料、工藝、后處理等。不同廠商的品質(zhì)差別大致由以下幾個(gè)方面造成。
2023-11-14 13:32:02257 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《購(gòu)買(mǎi)UPS電源需看四大標(biāo)準(zhǔn).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-13 10:49:270 筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲(chǔ)器模組合約價(jià),10 月也較9 月上漲11.5%,到每單位33 美元。智能手機(jī)DRAM合約價(jià)也開(kāi)始漲價(jià)。TrendForce 預(yù)計(jì)第四季行動(dòng)DRAM
2023-11-03 17:23:09958 。 影響阻抗的主要因素: 1.電路中的電阻 電路中的電阻對(duì)阻抗具有顯著的影響。電阻越大,電路的阻抗值也越大,這是由歐姆定律所決定的。 2.電路中的電感 電路中的電感對(duì)阻抗也具有重要影響。電感器越大,電路的阻抗值也就越大。因
2023-10-30 10:03:282150 在2023年2月在國(guó)際學(xué)會(huì)ISSCC上,三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲(chǔ)容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要(下圖左)和硅芯片(下圖右)。
2023-10-29 09:46:58783 八位可以跑FREERTOS嗎
2023-10-28 07:47:10
\"下一個(gè)技術(shù)未來(lái)在哪里?\"
11月4日技術(shù)大咖齊聚北京為你解答
一場(chǎng)主論壇+八大開(kāi)源領(lǐng)域分論壇
探究終端操作系統(tǒng)十大技術(shù)挑戰(zhàn)方向
與全球開(kāi)源操作系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)袖、實(shí)踐專家、一線導(dǎo)師攜手
共繪OpenHarmony開(kāi)源生態(tài)璀璨星圖!
2023-10-24 17:22:47
拼接屏作為一種高級(jí)顯示技術(shù),其價(jià)格通常相對(duì)較高。這是由多個(gè)因素決定的。以下是決定拼接屏價(jià)格的幾個(gè)主要原因。 1. 顯示屏技術(shù) 拼接屏的價(jià)格首先受到顯示屏技術(shù)的影響。不同的顯示屏技術(shù)具有不同的成本
2023-10-23 14:39:52353 示波器是電子工程師必備工具之一,常使用在電路設(shè)計(jì)、PCB制造、電子設(shè)備維修等場(chǎng)景中。示波器如此重要,選購(gòu)時(shí)需要注意什么呢?下面我們一起來(lái)看看選擇示波器要考量的10個(gè)因素。01頻寬頻寬決定了示波器
2023-10-19 08:28:19334 逆變電路的頻率由什么
決定 逆變電路的頻率是由兩個(gè)主要
因素決定的,電路中所使用的元器件及其參數(shù)、以及控制元件(例如晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管)的開(kāi)關(guān)速度。 在逆變電路中,最為重要的元器件是電感和電容,因?yàn)樗鼈?/div>
2023-10-16 15:57:10878 據(jù)TrendForce的研究顯示,第4季DRAM與NAND Flash均價(jià)將開(kāi)始全面上漲。特別是DRAM,預(yù)計(jì)第4季的合約價(jià)將季漲幅約在3%到8%之間。然而,這波上漲是否能持續(xù),取決于供應(yīng)商是否堅(jiān)守減產(chǎn)策略以及實(shí)際需求的回升程度,尤其值得關(guān)注的領(lǐng)域是通用型服務(wù)器。
2023-10-16 09:17:18376 CAN總線上最多掛多少設(shè)備由什么決定?
2023-10-16 06:39:28
電容器是一種常見(jiàn)的電子元件,廣泛應(yīng)用于各種電路中。電容器額定電壓是指電容器可以安全承受的最大電壓。那么,電容器額定電壓有哪些因素決定呢?
2023-10-13 14:43:38808 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在近期的閃存峰會(huì)上,一家由英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎(jiǎng)。他們展示了ULTRARAM,一個(gè)結(jié)合了DRAM高性能和閃存
2023-10-09 00:10:001310 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道,三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬(wàn)個(gè)dram和3萬(wàn)個(gè)nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬(wàn)個(gè)dram和1萬(wàn)個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 什么是決定激光干涉儀測(cè)量精度的關(guān)鍵因素?您正在使用或購(gòu)買(mǎi)的激光干涉儀精度能夠達(dá)到指標(biāo)要求么?如何對(duì)激光干涉儀的精度和性能進(jìn)行驗(yàn)證評(píng)價(jià)?
2023-10-07 16:06:59467 內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開(kāi)的話題,稍微復(fù)雜一點(diǎn)的系統(tǒng)都需要用到DRAM,并且DRAM是除CPU之外,最為復(fù)雜也最貴的核心部件了,其設(shè)計(jì),仿真,調(diào)試,焊接,等等都非常復(fù)雜,且重要。對(duì)DRAM
2023-09-25 11:38:421901 在共模電感選型中,阻抗是非常重要的一個(gè)考慮因素。那么,你知道影響共模電感阻抗的因素都有哪些嗎?本篇谷景就與大家一起來(lái)探討一下,那些影響共模電感阻抗的因素。 1、磁芯對(duì)共模電感阻抗的影響:磁芯決定
2023-09-20 10:45:38343 AMB陶瓷基板,全球主要廠商排名,其中2022年前四大廠商占有全球大約80%的市場(chǎng)份額
2023-09-15 11:42:46999 2022年第四季度DRAM行業(yè)營(yíng)收環(huán)比下降超過(guò)三成,跌幅超過(guò)2022年第三季度。2022年第四季度DDR4內(nèi)存價(jià)格環(huán)比下降23-28%,DDR5內(nèi)存價(jià)格下降30%-35%。2022年第四季度DRAM
2023-09-12 17:52:44758 很多因素都會(huì)導(dǎo)致逆變器耗盡電池,常見(jiàn)問(wèn)題包括逆變器故障、舊電池或?qū)е履芰繐p失的故障電路.哪些因素決定逆變器電池的使用但是,以下是導(dǎo)致逆變器耗盡電池電量的主要因素:逆變器效率水平隨著逆變器老化,其效率
2023-09-08 15:53:36377 在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸(SNC)結(jié)構(gòu)。
2023-09-08 10:02:25592 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講EMC問(wèn)題在pcb設(shè)計(jì)中有哪些因素?PCB設(shè)計(jì)中EMC問(wèn)題出現(xiàn)的因素。PCB設(shè)計(jì)中的EMC問(wèn)題非常重要,對(duì)PCB電路板的質(zhì)量和性能穩(wěn)定性起著決定性的作用。接下來(lái)
2023-09-06 09:30:05608 內(nèi)容包含:STM32 不斷擴(kuò)大的產(chǎn)品組合、什么是STM32WL?、集成金字塔、STM32WL系列八大特性、STM32WL 生態(tài)系統(tǒng)成長(zhǎng)等。
2023-09-05 07:25:19
電容器的電容由哪些因素決定?與所帶電量有無(wú)關(guān)系?? 電容器是一種能夠儲(chǔ)存電荷的器件,它由兩個(gè)靠近的金屬板之間夾著一層絕緣物組成。在電容器中,電荷可以在金屬板之間自由移動(dòng),但是由于絕緣層的存在,它們
2023-09-04 14:21:134157 頻寬決定了示波器量測(cè)類比訊號(hào)的能力,這決定了儀器可以準(zhǔn)確量測(cè)的最大頻率。頻寬也是價(jià)格的關(guān)鍵的決定因素。 選擇示波器前先確定您的需求。例如,100 MHz的示波器通常可保證在100MHz下具有少于30%的衰減。
2023-08-31 14:23:05309 選擇M12連接器系列和樣式時(shí),有幾個(gè)關(guān)鍵的決定因素需要考慮,以確保你選擇到適合你應(yīng)用需求的連接器
2023-08-23 10:55:20527 DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021022 ”。 為鞏固并持續(xù)提升公司主要產(chǎn)品的行業(yè)領(lǐng)先地位和核心競(jìng)爭(zhēng)力,并實(shí)現(xiàn)成為在全球具有一定市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力和行業(yè)影響力的高性能濺射靶材知名廠商的目標(biāo),歐萊新材計(jì)劃采取四大規(guī)劃措施,具體表現(xiàn)如下。 1、擴(kuò)大現(xiàn)有產(chǎn)能,優(yōu)化生
2023-08-09 11:21:27299 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。 技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮,隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代,芯片整體
2023-08-08 14:24:12744 在過(guò)去一段時(shí)間內(nèi),存儲(chǔ)器市場(chǎng)遭受了來(lái)自PC和智能手機(jī)需求低迷的嚴(yán)重沖擊,導(dǎo)致DRAM價(jià)格持續(xù)下跌,整個(gè)行業(yè)景氣不振。特別是用于智能手機(jī)和PC上暫存數(shù)據(jù)的DRAM,價(jià)格長(zhǎng)期跌跌不休,給廠商帶來(lái)了巨大
2023-08-03 15:18:57841 據(jù)日經(jīng)新聞7月31日?qǐng)?bào)導(dǎo),面向智能手機(jī)、PC的消費(fèi)量DRAM價(jià)格已經(jīng)連2個(gè)月呈現(xiàn)持平(價(jià)格未下跌)
2023-08-02 18:25:48351 引言:DRAM價(jià)格已連續(xù)兩個(gè)月未出現(xiàn)大幅下跌。
2023-08-02 10:33:42682 DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器,意味著當(dāng)斷電時(shí),存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會(huì)迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032204 據(jù)悉,DRAM批發(fā)價(jià)格為存儲(chǔ)廠商和客戶間每個(gè)月或每季敲定一次。業(yè)內(nèi)人士稱,目前價(jià)格還在季末的拉鋸戰(zhàn)中,個(gè)別廠商面對(duì)的情況不一樣,若下游企業(yè)本身的庫(kù)存水位高,會(huì)不會(huì)接受價(jià)格調(diào)整還需再觀察。
2023-06-29 15:41:10262 存儲(chǔ)芯片行業(yè)目前正面臨長(zhǎng)時(shí)間虧損衰退的情況,DRAM價(jià)格已經(jīng)跌至不可再降的水平,但巨頭廠商似乎計(jì)劃推動(dòng)價(jià)格上漲。
2023-06-29 14:57:32617 據(jù)悉,dram的批發(fā)價(jià)格是存儲(chǔ)器事業(yè)者和顧客公司之間每個(gè)月或每個(gè)季度決定的。業(yè)界人士表示:“目前價(jià)格還處于季節(jié)的最后階段,因此個(gè)別制造企業(yè)面臨的狀況有所不同。”并稱:“如果下級(jí)企業(yè)的庫(kù)存水位上升,是否會(huì)受到價(jià)格調(diào)整,還需要進(jìn)一步觀察。”
2023-06-29 11:00:47393 該報(bào)道稱,在智能手機(jī)和電腦中儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的dram價(jià)格暫時(shí)停止下跌,這可能是因?yàn)榇笮痛鎯?chǔ)器企業(yè)減產(chǎn)導(dǎo)致市場(chǎng)庫(kù)存減少。2023年5月的指標(biāo)產(chǎn)品ddr4 8gb的批發(fā)價(jià)格(大量交易價(jià)格)為每個(gè)1.48美元左右,與前一個(gè)月(2023年4月)相同,已經(jīng)結(jié)束了連續(xù)12個(gè)月下滑的局面。
2023-06-27 09:45:56347 層走線面積/整板面積
而阻抗控制的重要影響因素中,介電常數(shù)(Dk值)及介質(zhì)厚度都有PP片決定,介電常數(shù)Dk值可由下列公式計(jì)算:
Dk=6.01-3.34RR:樹(shù)脂含量 %
綜上,原材料PP片厚度存在
2023-06-25 10:25:55
字節(jié))。每一頁(yè)的有效容量是512字節(jié)的倍數(shù)。所謂的有效容量是指用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的部分,實(shí)際上還要加上16字節(jié)的校驗(yàn)信息,因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資料當(dāng)中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前
2023-06-10 17:21:001982 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講PCBA加工中決定波峰焊的因素有哪些?影響波峰焊的三個(gè)因素。顯然,任何形式的PCBA加工焊接都必須在需要的地方放置足夠的焊料,并且不會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題(短路、焊球、尖峰等)。這是PCBA代加工的最低要求。
2023-06-06 08:59:41332 在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下,美國(guó)芯片制造商美光科技公司九年來(lái)首次超越韓國(guó) SK 海力士公司成為全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 市場(chǎng)的第二大廠商。 根據(jù)臺(tái)灣市場(chǎng)研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06550 3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知,因此只要不使用任何新材料,使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。
2023-05-31 11:41:58358 DRAM 連接32位SDRAM時(shí),最大支持64Mx32bit?
2023-05-26 07:27:07
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在存儲(chǔ)行業(yè)有些萎靡不振的當(dāng)下,大部分廠商都在絞盡腦汁地去庫(kù)存,也有的廠商考慮從新的技術(shù)方向給存儲(chǔ)行業(yè)注入生機(jī),比如最近發(fā)布了3D X-DRAM技術(shù)的NEO
2023-05-08 07:09:001982 我正在使用 Keil microvision 在 RT1062 上開(kāi)發(fā)應(yīng)用程序。
應(yīng)用程序代碼和數(shù)據(jù)在 DRAM 中。我使用secure provisioning tool生成了一個(gè)可以刷入的bin
2023-04-28 07:02:14
如何使用低延遲 DRAM 用戶手冊(cè) (M19202EJ1V0UM00)
2023-04-26 20:28:110 反激式開(kāi)關(guān)電源的工作模式是什么決定的? CCM,DCM模式,和電感量有關(guān)?還有其他影響模式的因素嗎?
2023-04-25 14:39:17
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶) SK海力士近日發(fā)布全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片,成功開(kāi)發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002616 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)在交出一份相當(dāng)不理想的Q1財(cái)報(bào)之后,三星電子終于決定,將削減存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)量,減產(chǎn)有望緩解供應(yīng)過(guò)剩,提振陷入寒冬的半導(dǎo)體行業(yè)。 對(duì)于DRAM行業(yè)而言,這真的是巨大的利好
2023-04-15 03:00:002762 RISC-V發(fā)展迅速,國(guó)內(nèi)廠商也紛紛入局,目前國(guó)內(nèi)RISC-V內(nèi)核MCU廠商主要有哪些呢,前景如何?
2023-04-14 10:02:07
頻寬決定了示波器量測(cè)類比訊號(hào)的能力,這決定了儀器可以準(zhǔn)確量測(cè)的最大頻率。頻寬也是價(jià)格的關(guān)鍵的決定因素。 選擇示波器前先確定您的需求。
2023-04-12 18:50:15402
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