高通技術(shù)公司重磅推出了全新的第三代驍龍?7+移動(dòng)平臺(tái)，這一創(chuàng)新成果成功將終端側(cè)生成式AI技術(shù)引入至驍龍7系，開(kāi)啟了全新的智能時(shí)代。這款移動(dòng)平臺(tái)不僅兼容眾多AI模型，如Baichuan-7B、Gemini Nano、Llama 2以及智譜ChatGLM等大語(yǔ)言模型，讓AI的應(yīng)用更加廣泛和深入。
2024-03-22 14:13:56
48 3月18日下午，高通公司在北京望京凱越酒店召開(kāi)了驍龍新品發(fā)布會(huì)，高通技術(shù)公司高級(jí)副總裁兼手機(jī)業(yè)務(wù)總經(jīng)理Chris Patrick宣布，高通正式推出全新的第三代驍龍8s移動(dòng)平臺(tái)。
2024-03-19 15:37:002361 
高通技術(shù)公司宣布震撼發(fā)布第三代驍龍?8s移動(dòng)平臺(tái)，為高端Android智能手機(jī)市場(chǎng)注入新的活力。這款旗艦級(jí)平臺(tái)不僅繼承了驍龍8系平臺(tái)一貫的卓越品質(zhì)，更將諸多廣受好評(píng)的特性進(jìn)行了全面升級(jí)，為用戶帶來(lái)前所未有的頂級(jí)移動(dòng)體驗(yàn)。
2024-03-19 10:50:03113 第三代驍龍8s移動(dòng)平臺(tái)通過(guò)特選的旗艦功能，帶來(lái)出色的終端側(cè)生成式AI特性以及影像和游戲體驗(yàn)。
2024-03-18 16:00:38200 深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國(guó)際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
將大幅調(diào)整，將有一連串人事新布局，兩位資深副總米玉杰、侯永清將增加不同領(lǐng)域歷練，第三代接班梯隊(duì)正式成軍。 魏哲家未來(lái)接任董事長(zhǎng)兼總裁，成為繼創(chuàng)辦人張忠謀后，臺(tái)積電擁有參與公司決策方針和統(tǒng)帥三軍大權(quán)的第二人。 據(jù)調(diào)查，臺(tái)積電首波
2024-03-04 08:56:47294 2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用，由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“重投天科”）建設(shè)運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬(wàn)片
2024-02-29 14:09:14233 總計(jì)投資32.7億元人民幣的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地是中共廣東省委和深圳市委重點(diǎn)關(guān)注的項(xiàng)目之一，同時(shí)也是深圳全球招商大會(huì)的重點(diǎn)簽約項(xiàng)目。
2024-02-28 16:33:34335 上海艾為電子技術(shù)股份有限公司（簡(jiǎn)稱“艾為”）正式推出其第三代自適應(yīng)可編程SAR Sensor——AW963xx系列。該系列傳感器采用了先進(jìn)的自互容一體電容感測(cè)技術(shù)，并內(nèi)置了自適應(yīng)補(bǔ)償引擎，具備卓越的感知精度和強(qiáng)大的環(huán)境自適應(yīng)補(bǔ)償能力。
2024-02-27 14:12:04156 Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）針對(duì)云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個(gè)強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級(jí)別
2024-02-27 11:58:54
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
近日，中國(guó)證監(jiān)會(huì)正式披露了芯三代半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯三代”）首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案報(bào)告。這標(biāo)志著這家尖端半導(dǎo)體芯片制造設(shè)備公司正式踏上了資本市場(chǎng)的發(fā)展之路，將為中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起注入新的活力。
2024-02-25 17:57:40720 今日，小米召開(kāi)主題為“新層次”的新品發(fā)布會(huì)，正式推出了小米14 Ultra手機(jī)。新機(jī)搭載第三代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)，集小米領(lǐng)先技術(shù)于一身，帶來(lái)全方位跨越的新一代專業(yè)影像旗艦，讓真實(shí)有層次。
2024-02-23 09:17:36351 在清潔能源、電動(dòng)汽車的發(fā)展趨勢(shì)下，近年來(lái)第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵受到了史無(wú)前例的關(guān)注，市場(chǎng)以及資本都在半導(dǎo)體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度，擴(kuò)張規(guī)模不斷擴(kuò)大。在過(guò)去的2023年，全球第三代半導(dǎo)體
2024-02-18 00:03:002542 鴻利智匯，一直致力于創(chuàng)新和研發(fā)的照明技術(shù)公司，近日推出了一款專為智能照明設(shè)計(jì)的雙色TOP3030產(chǎn)品。這款產(chǎn)品針對(duì)控光需求進(jìn)行了精心設(shè)計(jì)，采用了鴻利獨(dú)家的“第三代”雙色調(diào)光技術(shù)，將高色溫與低色溫兩種不同光色完美結(jié)合在同一個(gè)支架碗杯中。
2024-02-05 16:55:38593 近日，高通技術(shù)公司宣布，其第三代驍龍8（for Galaxy）旗艦移動(dòng)平臺(tái)將為三星電子的最新旗艦Galaxy S24 Ultra提供全球支持。此外，該平臺(tái)還將在部分地區(qū)為Galaxy S24 Plus和S24提供支持。
2024-02-01 14:45:47345 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮（Autoclave）試驗(yàn)服務(wù)，設(shè)備能力完全覆蓋以SiC為第三代半導(dǎo)體器件的可靠性試驗(yàn)?zāi)芰Α７?wù)背景AEC-Q101對(duì)對(duì)各類半導(dǎo)體
2024-01-29 21:35:04
第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁帶寬度較大，又被 稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2024-01-23 10:06:04258 
據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)暨實(shí)施方案論證會(huì)在云塔科技（安努奇）舉行。
2024-01-23 09:56:16447 今日（1月18日），意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:16254 
在今日舉辦的CES 2024 ROG新品發(fā)布會(huì)上，ROG游戲手機(jī)8系列正式亮相。新機(jī)全系搭載第三代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)，并在屏幕、設(shè)計(jì)、性能及影像等方面帶來(lái)全新升級(jí)，打造體驗(yàn)更全面的游戲旗艦手機(jī)。
2024-01-17 10:09:18262 第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域的需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)近幾年高速增長(zhǎng)。盡管今年半導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)不景氣，機(jī)構(gòu)投資整體更理性下，第三代半導(dǎo)體企業(yè)的融資仍加速狂飆
2024-01-09 09:14:331408 
第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢(shì)，在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月，第三代半導(dǎo)體被寫(xiě)入“十四五”規(guī)劃，在技術(shù)、市場(chǎng)與政策的三力驅(qū)動(dòng)下，近年來(lái)國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)出多家第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36430 近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實(shí)力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523 石金科技近日宣布將募集3.5億元資金，用于多個(gè)關(guān)鍵項(xiàng)目的發(fā)展。這些項(xiàng)目涵蓋了補(bǔ)充公司流動(dòng)資金、建設(shè)石金（西安）研發(fā)中心及生產(chǎn)基地、光伏關(guān)鍵輔材集成服務(wù)生產(chǎn)以及第三代半導(dǎo)體熱場(chǎng)及材料的生產(chǎn)。
2024-01-03 16:09:22456 近期，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說(shuō)三代半”主辦的“2023年行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開(kāi)帷幕，數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代表參加，共同見(jiàn)證第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)采。
2023-12-27 10:47:55223 
的分析與展望。 ? Cambridge GaN Devices（CGD）?是一家無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。 ? CGD由劍橋大學(xué)
2023-12-26 14:15:215593 
芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間，芯聯(lián)集成便已成功實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍，器件性能與國(guó)際頂級(jí)企業(yè)齊肩，并且已穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。
2023-12-26 10:02:38247 領(lǐng)先的測(cè)試與測(cè)量解決方案提供商泰克科技，5系列B MSO混合信號(hào)示波器榮獲年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)。 本屆行家極光獎(jiǎng)特別設(shè)立了【年度企業(yè)】、【年度優(yōu)秀產(chǎn)品】、【十強(qiáng)榜單】三大獎(jiǎng)項(xiàng)，力圖為第三代半導(dǎo)體行業(yè)樹(shù)立標(biāo)桿，提升企業(yè)品牌認(rèn)知度和影響力，為行業(yè)發(fā)展注入
2023-12-21 17:40:02266 
半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:20817 
12月14日，第三代半導(dǎo)體行家極光獎(jiǎng)在深圳重磅揭曉，派恩杰半導(dǎo)體榮膺“中國(guó)SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。
2023-12-15 10:57:45466 提供驅(qū)動(dòng)能力的來(lái)源，市場(chǎng)潛力巨大。 金升陽(yáng)致力于為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案，基于自主電路平臺(tái)、IC平臺(tái)、工藝平臺(tái)，升級(jí)推出IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動(dòng)電源QA-R3G/QAC-R3G系列產(chǎn)品，同時(shí)為結(jié)合充電樁市場(chǎng)應(yīng)用需求，打造了全新的滿足元器件100%國(guó)產(chǎn)化、高可靠的R3代驅(qū)動(dòng)電
2023-12-13 16:36:19131 
2023年11月29日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)和“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)”成功召開(kāi)，是德科技參加第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)，并重磅展出第三代半導(dǎo)體動(dòng)靜態(tài)測(cè)試方案
2023-12-13 16:15:03240 
瑞森半導(dǎo)體是開(kāi)發(fā)第三代波段型半導(dǎo)體技術(shù)，最早批量生產(chǎn)國(guó)內(nèi)碳化硅（sic）產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)世界銷售的企業(yè)。國(guó)際品牌在品質(zhì)，性能，標(biāo)準(zhǔn)方面，成功地將許多進(jìn)口系列芯片國(guó)產(chǎn)化作為輔助。
2023-12-08 13:47:12209 國(guó)產(chǎn)有哪些FPGA入門(mén)？萊迪思半導(dǎo)體？高云半導(dǎo)體？
2023-12-05 16:05:38
快科技11月21日消息,今天星紀(jì)魅族集團(tuán)董事長(zhǎng)兼CEO沈子瑜發(fā)文正式宣布,魅族21將首批搭載行業(yè)最強(qiáng)的第三代驍龍8。 新機(jī)發(fā)布會(huì)此前已經(jīng)官宣,將會(huì)在11月30日揭曉。 值得注意的是,這次魅族表示將會(huì)
2023-11-21 11:48:12453 和Supermicro在內(nèi)的業(yè)界領(lǐng)先OEM廠商均展示了基于第三代AMD EPYC CPU的解決方案— 近日，AMD?宣布擴(kuò)展其第三代AMD EPYC處理器家族并推出6款全新產(chǎn)品，以通過(guò)具備魯棒性的數(shù)據(jù)中心
2023-11-11 10:37:54934 2023年10月25日 - 2023全國(guó)第三代半導(dǎo)體大會(huì)今日在深圳寶安格蘭云天國(guó)際酒店四樓會(huì)議廳隆重開(kāi)幕。本屆大會(huì)由今日半導(dǎo)體主辦，吸引了來(lái)自全國(guó)各地的400多家企業(yè)參與，共同探討第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用前景。
2023-11-06 09:45:31234 氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來(lái)簡(jiǎn)單了解一下，這個(gè)材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
摘要：萊迪思(Lattice )半導(dǎo)體公司在這應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)推出兩款低成本帶有SERDES的 FPGA器件系列基礎(chǔ)上，日前又推出采用富士通公司先進(jìn)的低功耗工藝，目前業(yè)界首款最低功耗與價(jià)格并擁有SERDES 功能的FPGA器件――中檔的、采用65nm工藝技術(shù)的 LatticeECP3系列。
2023-10-27 16:54:24235 期待的體驗(yàn)。 ?? 搭載第三代驍龍8的Android旗艦終端預(yù)計(jì)將于未來(lái)幾周內(nèi)面市。 今日， 在驍龍峰會(huì)期間，高通技術(shù)公司宣布推出全新旗艦移動(dòng)平臺(tái)—— 第三代驍 龍 8 ， 它是一款集終端側(cè)智能、強(qiáng)悍性能和能效于一體的強(qiáng)大產(chǎn)品。作為Android旗艦智能
2023-10-25 10:30:02262 
近年來(lái)，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06694 隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子領(lǐng)域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個(gè)變化中，第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）技術(shù)成為了焦點(diǎn)，其對(duì)于充電器的性能和效率都帶來(lái)了革命性的影響。
在傳統(tǒng)的硅基材料中，電力電子器件
2023-10-11 16:30:48250 第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì)，這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
西安電子科技大學(xué)表示，該項(xiàng)目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長(zhǎng)、工程準(zhǔn)備、密封測(cè)試等整個(gè)工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共服務(wù)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)，圍繞國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略需求為中心，5g通信、新能源汽車等領(lǐng)域的、芯片和微系統(tǒng)模塊的開(kāi)展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。
2023-09-25 11:20:56840 行業(yè)協(xié)會(huì)指導(dǎo)，深圳市人民政府聯(lián)合中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)、“核高基”國(guó)家科技重大專項(xiàng)總體專家組主辦。繼21日上午的高峰論壇成功舉辦后，汽車芯片與第三代半導(dǎo)體應(yīng)用論壇作為本屆峰會(huì)亮點(diǎn)正式開(kāi)啟。 ? 當(dāng)前，隨著汽車四化時(shí)代來(lái)臨，汽車產(chǎn)業(yè)迎來(lái)更大風(fēng)口，
2023-09-25 09:09:35520 
隨著全球進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動(dòng)汽車時(shí)代，能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當(dāng)前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導(dǎo)體高能量轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體材料開(kāi)始成為市場(chǎng)寵兒，開(kāi)啟了第三代半導(dǎo)體的新紀(jì)元。
2023-09-22 15:40:41476 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20890 
? 新能源汽車和光伏、儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及，為第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。 長(zhǎng)電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿，多年來(lái)面向第三代半導(dǎo)體功率器件
2023-09-19 10:20:38379 9月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長(zhǎng)及馬鞍山市委書(shū)記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。圖左為袁方書(shū)
2023-09-19 10:07:33452 
已廣泛應(yīng)用于PD快充、電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心以及充電樁等領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)材料，近年來(lái)越來(lái)越受到半導(dǎo)體各行業(yè)的關(guān)注。目前，領(lǐng)先器件供應(yīng)商在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域做了什么?有什么技術(shù)難點(diǎn)?如何平衡性
2023-09-18 16:48:02365 新能源汽車和光伏,儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。長(zhǎng)電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來(lái)面向第三代半導(dǎo)體功率器件開(kāi)發(fā)
2023-09-18 16:11:25261 材料領(lǐng)域中，第一代、第二代、
第三代沒(méi)有“一代更比一代好”的說(shuō)法。氮化鎵、碳化硅等材料在國(guó)外一般稱為寬禁帶
半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物
半導(dǎo)體，或?qū)⒌墶⑸榛墶⒘谆熤瞥?/div>
2023-09-12 16:19:271931 
意法半導(dǎo)體的第三代BlueNRG2.4 GHz Radio IP符合藍(lán)牙SIG核心規(guī)范5.2版本要求，兼具出色的射頻性能和極長(zhǎng)的電池壽命。BlueNRG-LP SoC適用于點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)連接和藍(lán)牙SIG
2023-09-08 06:57:13
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ ?泰克科技? 在雙碳戰(zhàn)略的發(fā)展大背景下，以第三代半導(dǎo)體為首的功率半導(dǎo)體行業(yè)正在飛速崛起，國(guó)產(chǎn)替代、技術(shù)迭代、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移發(fā)展趨勢(shì)使功率半導(dǎo)體迎來(lái)行業(yè)發(fā)展的最大歷史機(jī)遇
2023-09-04 12:20:01233 據(jù)錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)消息，芯動(dòng)第三代半導(dǎo)體模塊將在測(cè)試項(xiàng)目主體上蓋屋頂，10月土木工程竣工，12月底投產(chǎn)。凱威特斯半導(dǎo)體設(shè)備配件再制造事業(yè)已經(jīng)完成了第一次竣工和第二次主體屋頂工程，計(jì)劃于今年12月竣工，2024年3月批量生產(chǎn)。
2023-08-31 09:25:07447 據(jù)融合資產(chǎn)消息，此次融資后融合資產(chǎn)將在芯片生產(chǎn)線、家具用、工商能源儲(chǔ)存、充電包、新能源汽車等多個(gè)領(lǐng)域展開(kāi)合作，幫助建設(shè)第三代半導(dǎo)體智能電力模塊生產(chǎn)線。
2023-08-30 09:24:55228 Silicon Labs （亦稱“芯科科技” ），今日在其一年一度的第四屆 Works With 開(kāi)發(fā)者大會(huì)上，宣布推出他們專為嵌入式物聯(lián)網(wǎng)（ IoT ）設(shè)備打造的下一代暨第三代無(wú)線開(kāi)發(fā)平臺(tái)。隨著
2023-08-23 17:10:02681 一年一度的第四屆 Works With開(kāi)發(fā)者大會(huì) 上，宣布推出他們專為嵌入式物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備打造的下一代暨第三代無(wú)線開(kāi)發(fā)平臺(tái)。隨著向22納米（nm）工藝節(jié)點(diǎn)遷移，新的芯科科技第三代平臺(tái)將提供業(yè)界領(lǐng)先的計(jì)算能力、無(wú)線性能和能源效率，以及為芯片構(gòu)建的最高級(jí)別物聯(lián)網(wǎng)安全性。為了幫助開(kāi)發(fā)人員與設(shè)
2023-08-23 11:40:00128 
隨著科技的不斷進(jìn)步，新的半導(dǎo)體材料正在為整個(gè)電子行業(yè)帶來(lái)深刻的變革。在這場(chǎng)技術(shù)革命的前沿，第三代半導(dǎo)體材料嶄露頭角。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體在高溫、高壓、高頻等應(yīng)用環(huán)境中展現(xiàn)出了更為出色的性能。從材料分類的角度來(lái)看，第三代半導(dǎo)體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:071580 
第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915 
EF3 系列器件是安路科技的第三代 FPGA 產(chǎn)品，采用先進(jìn)的 55nm 低功耗工藝，最多支持 475 個(gè)用戶 I/O，滿足板級(jí) IO 擴(kuò)展應(yīng)用需求，定位通信、工業(yè)控制和服務(wù)器市場(chǎng)，旨在用于大批量
2023-08-09 07:57:27
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技
2023-08-04 11:28:56920 
近年來(lái)薩科微半導(dǎo)體發(fā)展神速，在掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)的基礎(chǔ)上，薩科微slkor投入大量精力和資金，推出了IGBT和電源管理芯片等系列高端產(chǎn)品。薩科微副總經(jīng)理賀俊駒介紹，在功率器件應(yīng)用市場(chǎng)
2023-07-31 11:14:43404 
如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 來(lái)源：內(nèi)容轉(zhuǎn)自公眾號(hào)21tech（News-21），作者：李強(qiáng)。于代輝英飛凌科技高級(jí)副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人減碳趨勢(shì)下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導(dǎo)體的登場(chǎng)搭好了舞臺(tái)。過(guò)去
2023-07-06 10:07:54367 
半導(dǎo)體是當(dāng)今世界的基石，幾乎每一項(xiàng)科技創(chuàng)新都離不開(kāi)半導(dǎo)體的貢獻(xiàn)。過(guò)去幾十年，硅一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主流材料。然而，隨著科技的發(fā)展和應(yīng)用需求的增加，硅材料在一些方面已經(jīng)無(wú)法滿足需求，這促使第三代半導(dǎo)體
2023-07-05 10:26:131316 
據(jù)藍(lán)色空港消息，先進(jìn)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品應(yīng)用方案的開(kāi)發(fā)和銷售。該項(xiàng)目總投資8億元，分三期建設(shè)，一期投資2億元，計(jì)劃建設(shè)6條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602 據(jù)公告，此次建設(shè)的第三代半導(dǎo)體輸出配件生產(chǎn)項(xiàng)目位于湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，總投資額約為60億元，包括36億元股權(quán)融資和24億元銀行貸款。構(gòu)筑第3代半導(dǎo)體外延、晶片制造、組裝測(cè)試等生產(chǎn)線的該事業(yè)，將具備能夠生產(chǎn)6英寸硅晶片及外延36萬(wàn)個(gè)、輸出配件模塊6100萬(wàn)個(gè)的能力。
2023-06-27 09:54:38539 因具備高頻、高效、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)越性能特點(diǎn)，氮化鎵是時(shí)下最熱門(mén)的第三代半導(dǎo)體材料之一；因可幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗的特性，SIP（System in Package
2023-06-26 09:52:52362 近年來(lái)，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和計(jì)算機(jī)應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，半導(dǎo)體技術(shù)變得愈加重要。在半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程中，第三代半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展帶來(lái)了新的變革。
2023-06-20 16:55:22611 
國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）獲批建設(shè)兩年以來(lái)，瞄準(zhǔn)國(guó)家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，形成立足長(zhǎng)三角、輻射全國(guó)的技術(shù)融合點(diǎn)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451660 隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，值此之際，TrendForce集邦咨詢于6月15日在在深圳舉辦了“2023第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)”，匯聚
2023-06-16 15:37:32964 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件，在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。面對(duì)當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357 
日前，2023中關(guān)村論壇“北京（國(guó)際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上，科技部黨組成員、副部長(zhǎng)相里斌表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能，在信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域有巨大的市場(chǎng)。
2023-06-15 11:14:08313 為期四天的2023廣州國(guó)際照明展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會(huì)，國(guó)星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū)，鮮明的主題，引來(lái)了行業(yè)的高度關(guān)注。 其中，在第三代半導(dǎo)體
2023-06-14 10:02:14437 
第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長(zhǎng)、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長(zhǎng)爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長(zhǎng)爐、MOCVD外延設(shè)備等。
2023-06-03 09:57:01787 
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
推出的第三代高性能神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)智能語(yǔ)音芯片，包括CI13XX和CI230X系列，芯片集成了啟英泰倫自研的腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器BNPU V3，且CI230X系列芯片支持Wi-Fi及 BLE 5.1 無(wú)線通信
2023-05-31 09:50:06
2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長(zhǎng)，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對(duì)比，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正在形成，競(jìng)爭(zhēng)格局逐步確立，產(chǎn)業(yè)步入快速
2023-05-30 14:15:56534 
前言 ??????? 2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終結(jié)連續(xù)高增長(zhǎng)，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對(duì)比，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正在形成，競(jìng)爭(zhēng)格局逐步
2023-05-30 09:40:59568 
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461673 
第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442614 
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226166 
第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-04-04 14:46:2912678 1200V高速開(kāi)關(guān)系列第三代
2023-03-28 14:59:26
，芯片支撐系統(tǒng)”模式布局第三代半導(dǎo)體 SiC 功率模塊以及系統(tǒng)應(yīng)用，基于STPAK 封裝的SiC 模塊取得了非常不錯(cuò)的市場(chǎng)成績(jī)。而且中科意創(chuàng)成功研發(fā)了國(guó)內(nèi)首臺(tái)ASIL-D最高功能安全等級(jí)的SiC電機(jī)控制器，并獲得了國(guó)內(nèi)首張ASIL-D產(chǎn)品認(rèn)證證書(shū)。 對(duì)
2023-03-24 18:24:394106 已全部加載完成
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