蘋果公司在官網(wǎng)推出了新款MacBook Air，搭載高性能M3芯片，提供13英寸和15英寸兩種尺寸選擇。新款MacBook Air不僅性能卓越，還擁有出色的電池續(xù)航，最長(zhǎng)可達(dá)18小時(shí)，滿足
2024-03-13 17:37:56
292 WitDisplay消息，三星日前于美國(guó)取得一項(xiàng)結(jié)合可凹折屏幕與卷軸式屏幕機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)專利后，三星稍早再次提出新款卷軸式屏幕手機(jī)設(shè)計(jì)專利，其中更在背面搭載空氣質(zhì)量感測(cè)元件。
2024-03-11 09:59:49144 
隨著人工智能（AI）技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)高性能內(nèi)存的需求也日益增長(zhǎng)。特別是高帶寬內(nèi)存（HBM）和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DDR5）等高端DRAM產(chǎn)品，正受到市場(chǎng)的熱烈追捧。為了順應(yīng)這一
2024-03-06 10:49:49261 ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31568 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
英飛凌科技股份公司，憑借其豐富的磁性位置傳感器技術(shù)經(jīng)驗(yàn)與成熟的線性隧道磁阻（TMR）技術(shù)，成功研發(fā)出新款磁性位置傳感器XENSIV? TLI5590-A6W。
2024-01-31 11:08:26345 ：基于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）的FPGA，其配置可以在每次上電時(shí)重新加載。這類FPGA具有較高的靈活性，但功耗較高。
Flash-based FPGA ：基于閃存的FPGA，其配置可以在斷電后保持。這類
2024-01-26 10:09:17
在 NVM 和本地\"內(nèi)存中定義數(shù)組（靜態(tài) /global /local）的\"關(guān)鍵字是什么？ 還有與 32 位對(duì)齊的關(guān)鍵字怎么樣。
2024-01-25 07:52:27
英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯(cuò)碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:39358 鐵電存儲(chǔ)器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲(chǔ)器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51516 
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出新款低功耗藍(lán)牙（LE）片上系統(tǒng)（SoC），即DA14592。這款產(chǎn)品憑借其超低功耗和微型尺寸，成為瑞薩電子系列中功耗最低、體積最小的多核（Cortex-M33、Cortex-M0+）低功耗藍(lán)牙產(chǎn)品。
2024-01-19 16:18:15322 綠聯(lián)（Ugreen）宣布與英特爾達(dá)成一項(xiàng)新的合作，并發(fā)布了新款UGREEN NASync網(wǎng)絡(luò)附加存儲(chǔ)設(shè)備。這款新產(chǎn)品系列由英特爾處理器驅(qū)動(dòng)，具有高效存儲(chǔ)和自動(dòng)化智能決策能力。
2024-01-18 15:09:35423 鑒于AI、5G新時(shí)代的到來以及自動(dòng)駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識(shí)等應(yīng)用對(duì)更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭(zhēng)相研發(fā)的重點(diǎn)。
2024-01-18 14:44:00838 智譜AI近日宣布推出新一代基座大模型GLM-4。這一模型在整體性能上相較上一代實(shí)現(xiàn)了大幅提升，其表現(xiàn)已逼近GPT-4。
2024-01-17 15:29:37378 篇文章中將詳細(xì)討論RAM的工作原理以及為什么它會(huì)丟失數(shù)據(jù)。 一、RAM的工作原理 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）是一種常見的計(jì)算機(jī)內(nèi)存類型，用于臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。它通過讓CPU快速訪問存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)來提高計(jì)算機(jī)性能。RAM是由許多存儲(chǔ)單元組成的，每個(gè)單元都有
2024-01-16 16:30:19838 MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03208 
海凌科新款24G雷達(dá)模塊HLK-LD2410H，一款專用于車輛行駛速度反饋的傳感器模塊。模塊采用K 波段射頻集成電路設(shè)計(jì)，探測(cè)距離≥180 米，測(cè)速精度達(dá) 1KM/h。
2024-01-07 10:00:51397 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問它的方式，CPU對(duì)其進(jìn)行隨機(jī)掃描以獲取適當(dāng)?shù)男畔ⅲ皇亲裱瓏?yán)格的指示。這是為了均衡所有存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位之間的訪問時(shí)間。
2024-01-06 17:51:33158 
FreeRTOS是一種實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)，它提供了多種內(nèi)存分配方式，包括動(dòng)態(tài)內(nèi)存分配和靜態(tài)內(nèi)存分配。
2023-12-31 16:49:001009 
導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取內(nèi)存(conductive-bridging RAM， CBRAM ）是一種低耗電、與CMOS兼容的內(nèi)存，可定制應(yīng)用在各類嵌入式市場(chǎng)和獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)。
2023-12-25 15:07:46109 從存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與NAND Flash（閃存存儲(chǔ)器）目前的價(jià)格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 集特推出新款龍芯主板GM9-3003
2023-12-14 16:03:07209 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 其中，電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）依靠改變電阻水平來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。最近發(fā)表在《Angewandte Chemie》雜志上的一項(xiàng)研究詳細(xì)介紹了清華大學(xué)李原領(lǐng)導(dǎo)的研究小組的工作，他們開創(chuàng)了一種制造超分子憶阻器的方法，而憶阻器是構(gòu)建納米隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的關(guān)鍵部件之一。
2023-12-06 16:05:36341 
非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，提供非易失性存儲(chǔ)。
2023-12-05 10:09:56302 2023 年11月，英國(guó)Pickering公司 —— 公司作為用于電子測(cè)試和驗(yàn)證的模塊化信號(hào)開關(guān)和仿真解決方案的全球供應(yīng)商，宣布推出新款43-920-001單槽PXIe嵌入式控制器，旨在增強(qiáng)測(cè)試能力
2023-12-01 09:21:15306 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
新款Cypress MEMS揚(yáng)聲器的低音響應(yīng)性能提升了40倍，并將在CES 2024展會(huì)上通過預(yù)約方式進(jìn)行展示體驗(yàn)，預(yù)計(jì)2024年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；
2023-11-25 10:09:50541 功能描述：CY7C1470BV25、CY7C1472BV25和CY7C1474BV25是2.5V 2M x 36/4M x 18/1M x 72同步流水線容發(fā)無總線延遲的SRAM(NoBL)邏輯。它們被設(shè)計(jì)成支持無限制的真正的背對(duì)背讀取或者沒有等待狀態(tài)的寫操作。CY7C1470BV25,CY7C1472BV25和CY7C1474BV25配有啟用連續(xù)讀取或需要
2023-11-24 16:10:46
低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡(jiǎn)稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:36257 
緊湊型計(jì)算機(jī)模塊。根據(jù)設(shè)計(jì)需求，這六款產(chǎn)品可承受-40°C到+85°C的極端溫度。其中新款COM Express Type 6計(jì)算機(jī)模塊帶有表貼內(nèi)存，具有出色的抗震性和抗沖擊性，可在惡劣環(huán)境下正常工作，完全符合鐵路運(yùn)輸領(lǐng)域的最高標(biāo)準(zhǔn)要求。這六款新推出的計(jì)算機(jī)模塊產(chǎn)品是基于代號(hào)為Rapt
2023-11-20 13:57:52388 
在同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號(hào)的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲(chǔ)器 ( Flash Memory，簡(jiǎn)稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
生成式AI火爆全球之后，英偉達(dá)的AI芯片一張難求，就在英偉達(dá)重量級(jí)選手H100 AI芯片目前依然是一貨難求的情況下，英偉達(dá)推出新款AI芯片H200。 H100目前算是算力市場(chǎng)硬通貨，而H200則更強(qiáng)
2023-11-14 16:45:50916 
是否有關(guān)于如何配置 RT106x/RT107x 從(非序列的)NAND 啟動(dòng)的應(yīng)用程序注釋或示例?
我找到了一些信息, 但是還沒有在一個(gè)地方找到所有的信息。 如果它也包含一個(gè)例子, 那將會(huì)是件好事。
2023-11-13 06:32:43
全球被動(dòng)元件領(lǐng)導(dǎo)廠商-國(guó)巨集團(tuán)，推出新款薄膜氮化鉭晶片電阻-NT系列。 NT系列產(chǎn)品具備抗?jié)瘛⒖沽颉⒏呔芏取⒏叻€(wěn)定表現(xiàn)的特性，外殼尺寸從0402到1206 ，電阻范圍為100Ω-481KΩ，具有
2023-11-08 11:08:37370 m序列簡(jiǎn)介
m序列是一種常用的偽隨機(jī)序列，由具有反饋函數(shù)的移位寄存器電路產(chǎn)生，具有周期性，一旦反饋表達(dá)式及移位寄存器的初值（又稱為種子）給定，就可以重復(fù)實(shí)現(xiàn)某組確定的序列值。該特點(diǎn)使得m序列在數(shù)
2023-11-06 17:03:26
TDK東電化 推出新型NTC 熱敏電阻
2023-11-01 15:56:36198 
在堆棧中存取數(shù)據(jù)時(shí)的原則是什么
2023-10-31 06:55:13
$GPRMC082006.000A3852.9276N11527.4283E0.000.0261009*38
如何定義一個(gè)結(jié)構(gòu)體對(duì)他進(jìn)行存取
2023-10-27 06:59:39
本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34816 MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16Gb低VDDQ移動(dòng)低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
以前用rand和srand生成過偽隨機(jī)數(shù)，偽隨機(jī)數(shù)的序列是固定的，今天學(xué)習(xí)生成真正的隨機(jī)數(shù)的生成。 熵池 利用/dev/urandom可以生成隨機(jī)數(shù)的值，/dev/urandomLinux
2023-10-09 10:05:29663 在順序功能圖中除了前面使用過的單序列和循環(huán)序列外，還有并行序列、選擇序列、跳轉(zhuǎn)序列和混合序列，本期主要介紹并行序列和選擇序列。
2023-10-01 10:53:00917 
Serde 是一個(gè)用于序列化和反序列化 Rust 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的庫(kù)。它支持 JSON、BSON、YAML 等多種格式，并且可以自定義序列化和反序列化方式。Serde 的特點(diǎn)是代碼簡(jiǎn)潔、易于使用、性能高效
2023-09-30 17:09:00728 怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
SDRAM（synchronous dynamic random-access memory）即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。在介紹SDRAM前，我們先了解下DRAM（Dynamic random-access memory），DRAR中文譯為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存
2023-09-27 15:02:321004 
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
三星電子宣布已開發(fā)出其首款 7.5Gbps（千兆字節(jié)每秒）低功耗壓縮附加內(nèi)存模組（LPCAMM）形態(tài)規(guī)格，這有望改變個(gè)人計(jì)算機(jī)和筆記本電腦的 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 市場(chǎng)，甚至改變數(shù)據(jù)中心的DRAM市場(chǎng)。三星的突破性研發(fā)成果已在英特爾平臺(tái)上完成了系統(tǒng)驗(yàn)證。
2023-09-26 10:32:33849 、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、定時(shí)器以及并行接口等。微處理器執(zhí)行存放在程序存儲(chǔ)器中的各種保護(hù)程序，對(duì)由數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)輸入到隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理，以完成各種繼電器保護(hù)的功能。 3、數(shù)字量輸入/輸出接口 即開關(guān)量輸入/輸出
2023-09-22 16:34:33544 
一.軟硬件準(zhǔn)備 二.編譯工程 三.靜態(tài)內(nèi)存的獲取 四.動(dòng)態(tài)內(nèi)存的獲取 五.聯(lián)系我們 01 軟硬件準(zhǔn)備 eclipse軟件，bl_iot_sdk,Ai-WB2系列模組或者開發(fā)板,靜態(tài)內(nèi)存分析軟件
2023-09-18 15:37:15273 
eclipse軟件，bl_iot_sdk,Ai-WB2系列模組或者開發(fā)板,靜態(tài)內(nèi)存分析軟件bouffalo_parse_tool-win32。
2023-09-18 09:48:54228 
采用華虹128通道同測(cè)技術(shù)
04取得嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案廠商Cypress 90nm SONOS工藝技術(shù)License授權(quán)
05多種小型化的封裝類型等行業(yè)中，其中WLCSP封裝面積僅為665umx676um ,廣泛用于消費(fèi)、工業(yè)、通訊、醫(yī)療
2023-09-15 08:22:26
什么是序列化？ “序列化”（Serialization ）的意思是將一個(gè)對(duì)象轉(zhuǎn)化為字節(jié)流。 這里說的對(duì)象可以理解為“面向?qū)ο蟆崩锏哪莻€(gè)對(duì)象，具體的就是存儲(chǔ)在內(nèi)存中的對(duì)象數(shù)據(jù)。 與之相反的過程是“反序列
2023-09-14 17:22:291238 
標(biāo)志–當(dāng)有效隨機(jī)數(shù)據(jù)準(zhǔn)備就緒時(shí)，會(huì)出現(xiàn)1個(gè)標(biāo)志。–2種子上出現(xiàn)異常序列的標(biāo)志（相同值的連續(xù)64位以上或連續(xù)32位
0和1的交替）2個(gè)頻率錯(cuò)誤標(biāo)志（PLL48CLK時(shí)鐘過低）。
?1次中斷-指示錯(cuò)誤（異常種子序列或頻率錯(cuò)誤）
2023-09-11 07:29:09
蘋果將于9月12日推出新款iPhone 15系列。
2023-09-05 14:38:53664 我們知道除了只讀存儲(chǔ)器外還有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，這一篇將介紹另一種 存儲(chǔ)類IP核 ——RAM的使用方法。RAM是 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （Random Access Memory），是一個(gè)易失性存儲(chǔ)器，斷電丟失。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入或讀出數(shù)據(jù)。
2023-08-29 16:46:071658 
和“讀寫”段，前者包含代碼和只讀數(shù)據(jù)，后者包含初始化和未初始化或零初始化(ZI)數(shù)據(jù)。
通常，“只讀”段被放在只讀存儲(chǔ)器中，而“讀寫”段在開始執(zhí)行之前從只讀存儲(chǔ)器復(fù)制到隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
2023-08-24 08:23:51
AMBA靜態(tài)存儲(chǔ)器接口(SMI)是一個(gè)示例設(shè)計(jì)，它顯示了AMBA系統(tǒng)中外部總線接口(EBI)的基本要求。
它并不打算成為真正系統(tǒng)的“現(xiàn)成”EBI。
這樣的EBI設(shè)計(jì)必須考慮到流程、包裝和各種外部延遲
2023-08-21 06:22:01
特斯拉決定在推出新產(chǎn)品的同時(shí)，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)降低價(jià)格銷售新型產(chǎn)品。8月14日，特斯拉在推特上表示，從今天起，Model Y長(zhǎng)期型號(hào)的銷售價(jià)格將從31萬3900元下調(diào)到29萬9900元，Model Y高性能型號(hào)的價(jià)格將從36萬3900元下調(diào)到34萬9900元，分別下調(diào)1.4萬元。
2023-08-15 10:56:49860 海凌科推出新款百元左右的路由模塊，集2.4G/5G雙頻段 + WiFi5 于一體，支持 5 路千兆路由，體積小巧，接口豐富，性價(jià)比高。 1 RM50產(chǎn)品介紹 HLK-RM50 是海凌科電子推出
2023-08-14 09:44:57657 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。
2023-08-03 12:27:03649 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）
?片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備中已經(jīng)存在的高速鏈路。
TMC也可以作為系統(tǒng)中的先進(jìn)先出（FIFO）操作。這減少了跟蹤
通過平均跟蹤帶寬得出溢出和跟蹤端口大小
2023-08-02 14:35:05
，用于從計(jì)算機(jī)的RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）或其他設(shè)備的內(nèi)存中提取關(guān)鍵信息，以便了解設(shè)備在特定時(shí)間點(diǎn)的狀態(tài)和活動(dòng)。內(nèi)存取證的主要目的？內(nèi)存取證的主要目的是獲取在計(jì)算機(jī)或設(shè)
2023-08-01 11:21:511056 
倍加福推出新款 VOC工業(yè)事件相機(jī) ，再次擴(kuò)展工業(yè)視覺產(chǎn)品系列。該相機(jī)可以實(shí)現(xiàn) 在觸發(fā)信號(hào)前后長(zhǎng)達(dá) 60 秒、以事件為驅(qū)動(dòng)的視頻記錄 ，從而實(shí)現(xiàn)針對(duì)性的簡(jiǎn)單遠(yuǎn)程診斷以及 自動(dòng)文檔記錄 。
2023-07-28 14:10:23513 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和嵌入式閃存、一個(gè)提供時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理功能的模擬子系統(tǒng)以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)子系統(tǒng)組成。本數(shù)據(jù)手冊(cè)描述ADuCM4050 MCU的A
2023-07-17 15:08:25
和微控制器單元 (MCU) 子系統(tǒng)。ADuCM300 具有 128 kB 程序閃存/EE、4 kB 數(shù)據(jù)閃存/EE 和 6 kB 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM)
2023-07-17 13:56:20
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）用于實(shí)時(shí)存儲(chǔ)CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫入和擦除。RAM是存儲(chǔ)當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲(chǔ)器。
2023-07-06 14:22:271948 ，非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28873 。 踩內(nèi)存，輕則導(dǎo)致功能異常，重則導(dǎo)致程序崩潰死機(jī)。 內(nèi)存，粗略地分： 靜態(tài)存儲(chǔ)區(qū) 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)區(qū) 存儲(chǔ)于相同存儲(chǔ)區(qū)的變量才有互踩內(nèi)存的可能。 靜態(tài)存儲(chǔ)區(qū)踩內(nèi)存 分享一個(gè)之前在實(shí)際項(xiàng)目中遇到的問題。 在Linux中，一個(gè)進(jìn)程默認(rèn)可
2023-06-22 11:37:00227 
根據(jù)《通信原理》一書可知，m序列是最長(zhǎng)線性反饋移位寄存器的簡(jiǎn)稱，它產(chǎn)生的偽隨機(jī)序列的周期與其反饋移存器級(jí)數(shù)有關(guān);
2023-06-16 15:12:311075 
16-MBIT（1M X 16）靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-06-01 09:18:00
無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會(huì)定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），今天的計(jì)算機(jī)甚至無法啟動(dòng)。
2023-05-30 15:19:55313 我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
SDRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，與CPU的時(shí)鐘速度同步。SDRAM也代表SDR SDRAM（單數(shù)據(jù)速率SDRAM）。單數(shù)據(jù)速率意味著SDR SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只能讀/寫一拍數(shù)據(jù)。在傳輸下一個(gè)讀/寫操作之前，需要等待命令完成。SDR 速度從 66 MHz 到 133 MHz 不等。
2023-05-26 10:43:371535 
亮鉆推出新款核心板Y-3566，其采用四核Cortex-A55內(nèi)核的瑞芯微RK3566處理器，主頻可達(dá)1.8GHz。郵票孔接口設(shè)計(jì)，支持8GB大內(nèi)存，集成最高1Tops AI算力的NPU，為用戶提供“嵌入式”+“AI”解決方案平臺(tái)。
2023-05-17 15:57:27965 
在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別，硬盤屬于“ 非易失性存儲(chǔ)器”，而內(nèi)存是“隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”，屬于“易失性存儲(chǔ)設(shè)備“。
2023-05-17 15:40:191537 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布推出新款高速四通道數(shù)字隔離器“DCL54xx01”系列，該系列具有100kV/μs（最小值）的高共模瞬態(tài)抑制（CMTI）和150Mbps的高速數(shù)據(jù)速率。該系列六款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-05-10 09:37:18600 
這款單片機(jī)下,通過燒寫器燒寫之后會(huì)出現(xiàn)讀取內(nèi)存失敗的問題,具體的原因問了客服,由于是周末,技術(shù)不上班,所以需要等工作日了再跟野火技術(shù)溝通一下具體是怎么回事.
如果是不啟用序列號(hào)的功能,燒寫進(jìn)去的程序是沒有問題的.
其他的加密功能,隨機(jī)數(shù)功能等待下次在測(cè)試了.
2023-05-07 00:00:49
計(jì)算機(jī)關(guān)閉時(shí)，RAM 中存儲(chǔ)的信息會(huì)丟失，而長(zhǎng)期存儲(chǔ)設(shè)備（SSD 或HDD）中的數(shù)據(jù)會(huì)保留。
2023-05-05 15:35:541733 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
RAM ：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”。
2023-04-25 15:58:205062 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462540 隨機(jī)驗(yàn)證中的隨機(jī)其實(shí)都是基于偽隨機(jī)發(fā)生器的，即每次都使用一個(gè)唯一的種子生成相應(yīng)的激勵(lì)。
2023-04-17 10:12:272709 在統(tǒng)計(jì)學(xué)中，相關(guān)是描述兩個(gè)隨機(jī)變量序列或二元數(shù)據(jù)之間的統(tǒng)計(jì)關(guān)系，無論是否具有因果關(guān)系。
2023-04-15 09:14:574058 
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
WATERPROOF PACKINGS FOR NV3W
2023-03-29 19:55:44
Battery NV Series
2023-03-29 19:55:43
ReRAM代表電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種非易失性存儲(chǔ)器，具有如低功耗和快速寫入的特長(zhǎng)。該存儲(chǔ)器在所有存儲(chǔ)器產(chǎn)品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽器等可穿戴設(shè)備。
2023-03-25 15:49:351054 我目前正在嘗試防止臨時(shí)對(duì)稱密鑰在重新啟動(dòng)后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計(jì)劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時(shí)歸零）對(duì)它們進(jìn)行異或，我在重啟時(shí)將其設(shè)置為隨機(jī)數(shù)。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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