,在復雜和嚴苛的工作環(huán)境中表現(xiàn)出色。然而,AMB基板在使用過程中可能會受到氧化的影響,導致性能下降甚至失效。因此,對AMB基板進行防氧化處理至關重要。
2024-03-22 10:22:4437 CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC);選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
這篇文章解釋了如何使用 IC 4017 設計和構建追逐 LED光波效應發(fā)生器電路。基本上,該電路是 LED 追逐器電路的增強形式,當 LED 從高亮度到低亮度依次循環(huán)和脈沖時,它會在 LED 上產生類似波的模擬。
2024-02-25 14:14:1293 株式會社村田制作所的生產子公司——株式會社出云村田制作所(島根縣出云市)將于2024年3月起開始建設新廠房。本次新廠房的建設目的是構建可應對多層陶瓷電容器中長期需求增加的生產體制。 新廠房位于
2024-02-21 15:11:08215 不同的圖像。 LED顯示屏的材質通常有以下幾種: LED芯片:LED芯片是LED顯示屏的核心部件,其材質可以是GaN(氮化鎵)等半導體材料。GaN具有較高的運動性和較寬的能隙,可以實現(xiàn)高亮度、高效率的發(fā)光。 PCB基板:PCB基板是LED顯示屏中用來支撐和連接LED芯片的主要材料,通常
2024-02-03 14:33:02520 蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜,使用10%、20%和30%的過氧化氫(H2O2
2024-02-02 17:56:45306 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比,這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
熱電分離銅基板與普通銅基板相比有何優(yōu)勢? 熱電分離銅基板與普通銅基板相比,在許多方面都具有顯著的優(yōu)勢。以下將詳細介紹熱電分離銅基板的優(yōu)點,并向您解釋其為何在許多應用中被廣泛采用。 首先,熱電分離
2024-01-18 11:43:47126 請問使用ADP150芯片datasheet所給的典型電路能否驅動白光led(led的驅動輸入為:3.0~3.2V20mA)
2024-01-09 06:29:04
介紹了光波干涉的原理是什么,以及該原理可以應用于什么領域。
2024-01-07 15:41:19339 事通訊設備產品規(guī)格描述:180瓦;DC-2GHz;氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz):0最高頻率(MHz):2000最高值輸出功率(W):200增益值(分貝):24.0效率(%):70額定電壓(V):27類型:封裝分立晶體管封裝類別:法蘭盤、丸狀技術應用:GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
陶瓷基板產業(yè)鏈上游主要為陶瓷粉體制備企業(yè),中游為陶瓷裸片及陶瓷基板生產企業(yè),下游則涵蓋汽車、衛(wèi)星、光伏、軍事等多個應用領域。縱觀陶瓷基板產業(yè)鏈,鮮有企業(yè)能夠打通垂直產業(yè)鏈,形成粉體、裸片、基板的一體化優(yōu)勢。
2023-12-26 11:43:29562 尼得科株式會社的集團公司尼得科儀器株式會社(舊日本電產三協(xié))開發(fā)出了能夠在真空環(huán)境下工作的液晶基板搬運機器人,該機器人具有與在大氣環(huán)境下工作同等的關節(jié)自由度。 在液晶面板和有機EL等顯示器的制造工藝
2023-12-22 15:27:31742 外媒消息,韓國首爾國立大學與成均館大學的研究團隊聯(lián)合開發(fā)了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法,通過該技術研究團隊生長出了LED微型陣列,并稱作微盤陣列(Microdisks arrays)。
2023-12-18 10:07:15510 Sumitomo 是全球最大的射頻應用氮化鎵 (GaN) 器件供應商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎設施、雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點對點無線電和其他應用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
12月11日,外媒消息,韓國首爾國立大學與成均館大學的研究團隊聯(lián)合開發(fā)了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法,通過該技術研究團隊生長出了LED微型陣列
2023-12-13 16:06:03401 作為全球兩大手機品牌蘋果與三星電子的關鍵上鏈企業(yè),村田制作所在消費換代周期拉長之時積極應對需求減緩的挑戰(zhàn)。研究機構Counterpoint數(shù)據(jù)佐證了新興市場需求的積極影響
2023-12-13 13:50:52230 博捷芯半導體劃片機在LED陶瓷基板制造領域,晶圓劃片機作為一種先進的切割工具,正在為提升產業(yè)效率和產品質量發(fā)揮重要作用。通過精確的切割工藝,晶圓劃片機將LED陶瓷基板高效地切割成獨立的芯片,為LED
2023-12-08 06:57:26382 LED燈珠鋁基板有什么用? LED燈珠鋁基板具有多種用途和優(yōu)點,它在LED燈具制造過程中起到關鍵作用。在本文中,我們將詳細介紹LED燈珠鋁基板的用途、工作原理和優(yōu)勢。 一、LED燈珠的鋁基板用途
2023-12-07 09:59:32732 1開發(fā)板上,自然也不會少了它,其在開發(fā)板上的位置如圖1所示,共有3個,其顏色分別為紅、綠、黃3個色彩。
圖1LED燈
3個LED燈的電路見圖2所示,由此可知其是低電平點亮。
圖2LED電路
LED
2023-11-21 11:11:45
據(jù)日經XTECH消息,來自名古屋大學的初創(chuàng)企業(yè)U-MAP開發(fā)了一種打破常識的新型散熱材料——纖維狀氮化鋁基板及墊片,基板用于功率半導體和激光器等的封裝,墊片用于CPU等的散熱。
2023-11-21 10:38:55444 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講鋁基板打樣的方法有哪些?鋁基板打樣的四種方法。鋁基板一般都是led鋁基板,因為常見于LED照明產品。有正反兩面,白色的一面是焊接LED引腳的,另一面呈現(xiàn)鋁本色
2023-11-07 09:20:06356 燈板制作的新選擇,這些基板比鋁基板更好!
2023-11-06 10:06:02255 電子發(fā)燒友網站提供《LED小夜燈的制作和調試.pdf》資料免費下載
2023-11-06 08:31:292 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講PCB打樣鋁基板與fr4板的區(qū)別是什么?鋁基板與FR4板的區(qū)別。鋁基板和FR4板是PCB制板中常見的兩種板材,鋁基板常用做LED燈板,那么鋁基板與FR4板有什么區(qū)別呢?接下來深圳PCB板廠為大家介紹下。
2023-11-03 09:10:50585 電子發(fā)燒友網站提供《LED點陣電子顯示屏制作.doc》資料免費下載
2023-11-02 11:47:174 電子發(fā)燒友網站提供《LED七彩變色燈的制作.pdf》資料免費下載
2023-10-30 11:19:550 電子發(fā)燒友網站提供《點陣LED顯示屏的原理與制作.doc》資料免費下載
2023-10-30 10:15:092 ~采用業(yè)界先進的納秒量級柵極驅動技術,助力LiDAR和數(shù)據(jù)中心等應用的小型化和進一步節(jié)能~ 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出一款超高速驅動GaN器件的柵極驅動器IC
2023-10-25 15:45:02192 ~采用業(yè)界先進的納秒量級柵極驅動技術,助力LiDAR和數(shù)據(jù)中心等應用的小型化和進一步節(jié)能~ 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出一款超高速驅動GaN器件的柵極驅動器IC
2023-10-19 15:39:38214 陶瓷基板一簡介陶瓷基板(銅箔鍵合到氧化鋁基片上的板)是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面(單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復合基板具有優(yōu)良電絕緣
2023-10-16 18:04:55615 硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領域已經實現(xiàn)規(guī)模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術和低功率PA正在進行工程化開發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:31317 這種作方法屬于“有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)法”,通過在密閉裝置內充滿氣體狀原料,在基板上制造出氧化鎵的晶體。該方法與現(xiàn)有的“氫化物氣相外延(HVPE)法”相比,可以制作更高頻率器件。
2023-10-12 16:53:53616 紅外二氧化碳傳感器由紅外光源、反射式氣室和紅外傳感器組成。紅外傳感器接收紅外光源發(fā)出的光波,紅外傳感器可以測量到達的紅外光的強度。
2023-09-29 10:28:00524 LED(發(fā)光二極管)已經成為了現(xiàn)代照明和電子領域的主力軍,因為它們不僅具有高效能、長壽命和低能耗等優(yōu)點,還能夠發(fā)出多種不同的顏色的光。本文將從LED的類型、工作原理以及其優(yōu)點三個方面來探討LED能夠
2023-09-27 08:15:011261 目前傳統(tǒng)硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限, 即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲,效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT(gallium
2023-09-18 07:27:50
Sunic System開發(fā)了可以在玻璃基板上實現(xiàn)高分辨率有機發(fā)光二極管(OLED )的顯示設備。
2023-09-08 14:24:21380 本文研究金屬化的陶瓷基板,主要包括DBC陶瓷基板、DPC陶瓷基板、AMB陶瓷基板和DBA陶瓷基板等,上游是白板(氧化鋁白板、氮化鋁白板和氮化硅白板)。下游主要應用是功率模塊、LED、制冷
2023-09-08 11:03:081052 在消費類應用領域,由于快速充電器的快速增長,GaN 技術在 2020-2021 跨越了鴻溝,目前其他交直流應用場景中也采用了GaN? 帶有嵌入式驅動程序 / 控制器(MasterGaN、VIPerGaN)的系統(tǒng)封裝 (SiP) 由于集成簡單,將有助于更廣泛的使用
2023-09-07 07:20:19
捷多邦氧化鋁陶瓷基板:電子封裝材料的新選擇
2023-09-06 10:16:59331 氧化鋁陶瓷基板:5G時代的材料革命
2023-09-06 10:15:18377 ,HarmonyOS生態(tài)、元服務新應用形態(tài)更好的未來由我們共同去創(chuàng)造。
二、演講部分內容
1.我在HDC2023分論壇的演講《與HarmonyOS同行,全面助力開發(fā)者成長》
2.HarmonyOS應用分類與元服務的優(yōu)勢
2023-09-05 10:23:37
本文轉載分享自華為開發(fā)者論壇《?HarmonyOS元服務開發(fā)實踐:桌面卡片字典?》,作者:蛟龍騰飛
一、項目說明
1.DEMO創(chuàng)意為卡片字典。
2.不同卡片顯示不同內容:微卡、小卡、中卡、大卡,根據(jù)
2023-08-24 16:55:32
激光波段分類有哪些 激光波段分類是指將激光光線按照波長范圍進行分類,通常將激光波段劃分為紅外、可見光和紫外三類。每種波段的激光應用范圍不同,下面將分別介紹它們的特點和應用。 一、紅外激光波段 紅外
2023-08-23 16:14:365014 陶瓷散熱基板中的“陶瓷”,并非我們通常認知中的陶瓷,屬于電子陶瓷材料,主要用于陶瓷封裝殼體和陶瓷基板,主要成分包括氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化鈹(BeO)等。與傳統(tǒng)的陶瓷有個共性,主要化學成分都是硅、鋁、氧三種元素。
2023-08-23 15:07:30638 降低了產品成本。搭載GaN的充電器具有元件數(shù)量少、調試方便、高頻工作實現(xiàn)高轉換效率等優(yōu)點,可以簡化設計,降低GaN快充的開發(fā)難度,有助于實現(xiàn)小體積、高效氮化鎵快充設計。 Keep Tops氮化鎵內置多種
2023-08-21 17:06:18
基于NTC熱敏電阻的LED閃光基板的溫度檢測
2023-08-17 14:34:13294 氧化鋁陶瓷基材 機械強度高,絕緣性好,和耐光性.它已廣泛應用于多層布線陶瓷基板、 電子封裝 和 高密度封裝基板 。 1. 氧化鋁陶瓷基板的晶體結構、分類及性能 氧化鋁有許多均勻的晶體
2023-08-02 17:02:46752 隨著科技的進步,電影制作技術也在不斷提升,其中一個具有革命性的技術改變就是LED虛擬制作的使用。LED虛擬制作的使用已經在革新電影制作過程,它不僅減少了制作成本,也提高了視覺效果,甚至改變了電影拍攝
2023-08-01 17:43:30283 陶瓷基板DPC(Direct Plating Copper)工藝和DBC(Direct Bond Copper)工藝是兩種常用的陶瓷基板制作工藝。盡管它們都是用于制作陶瓷基板的方法,但它們之間存在一些重要的區(qū)別,導致DPC工藝比DBC工藝更貴。
2023-07-28 10:57:27928 株式會社村田制作所已開發(fā)出檢測距離為15~550cm的ADAS(先進駕駛輔助系統(tǒng))用防水型超聲波傳感器“MA48CF15-7N”,現(xiàn)已經開始量產。
2023-07-27 11:15:16343 隨著科技的不斷進步,LED虛擬制作技術已經成為現(xiàn)代娛樂產業(yè)的重要組成部分。LED虛擬制作以其獨特的優(yōu)勢,已經在全球范圍內改變了影視、直播和舞臺表演的制作方式。本文將探討LED虛擬制作的優(yōu)勢,以及
2023-07-21 17:28:52260 問題是Micro LED很難量產。像以往制作顯示元件的方式一樣,使用機械臂將零件一個接一個地組裝在基板上的方式,Micro LED零件的數(shù)量太小,導致良率下降。
2023-07-14 12:47:46173 電子發(fā)燒友網站提供《使用螺栓模塊制作的LED玩具.zip》資料免費下載
2023-07-11 16:23:300 在本文中,工程師展示了如何使用Arduino Uno開發(fā)板和三個LED制作簡單的電子蠟燭,你可以根據(jù)需要增加LED的數(shù)量。
2023-07-11 09:49:03994 GaN基Micro LED與其驅動(如HEMT、MOSFET等)的同質集成能充分發(fā)揮出GaN材料的優(yōu)勢,獲得更快開關速度、更高耐溫耐壓能力以及更高效率的Micro LED集成單元,其在Micro LED透明顯示、柔性顯示以及可見光通訊中都展現(xiàn)出巨大的應用前景。
2023-07-07 12:41:19332 氧化鋁陶瓷通常以基體中氧化鋁的含量來分類,例如一般把氧化鋁含量在99%、95%、90%左右的依次稱為“99瓷”、“95瓷”和“90瓷”。按顏色可分為白色、紫色、黑色氧化鋁等。
2023-07-04 10:01:15852 電子發(fā)燒友網站提供《使用LED和紙巾管制作萬圣節(jié)項目.zip》資料免費下載
2023-06-29 10:23:340 電機集團近日(2023年6月8日)宣布,該公司已開發(fā)出首款使用單個放大器即可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器。該技術已被證明可用于在單個基站中以不同頻率運行的4G、5G和Beyond
2023-06-27 15:10:27499 6 月 26 日消息,日本電容器(MLCC)大廠村田制作所近日宣布,計劃到 2028 年,對日本國內的金澤村田制作所、仙臺村田制作所和芬蘭子公司合計投資約 100 億日元,將硅電容器產能提高兩倍
2023-06-27 08:44:49279 地被開發(fā)出來。GaN器件的低導通內阻、低寄生電容和高開關速度等特性,使得對應的Class D功放系統(tǒng)能夠具有更高的效率,更高的功率密度,同時因為更少的反饋需求所帶來的非線性失真度將更低,由此Class
2023-06-25 15:59:21
開發(fā)基于物理的模型,從而可用準確地預測到氮化鎵產品在通用操作條件下的安全使用壽命,讓設計人員可以根據(jù)其設計要求,對氮化鎵器件進行評估。
“測試器件至失效”的測試報告結果可瀏覽GaN 可靠性。
誤解3
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性,可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能,有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
陶瓷基板以其優(yōu)良的導熱性和氣密性,廣泛應用于功率電子、電子封裝、混合微電子和多芯片模塊等領域。
2023-06-19 17:39:58872 氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
度為1.1 eV,而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度,耗盡區(qū)窄短,從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。例如,一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管,可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
200℃。
1972年,基于氮化鎵材質的 LED 發(fā)光二極管才被發(fā)明出來(使用摻有鎂的氮化鎵),。這是里程碑式的歷史事件。雖然最初的氮化鎵 LED ,它的亮度還不足以商用,但這是人類第一次制備出能夠發(fā)出藍
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術相比,不僅性能優(yōu)異,應用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉換方面,已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細窄的耗盡區(qū),從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
時間。
更加環(huán)保:由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成,氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量,比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上,基于氮化鎵的充電器,從制造和運輸環(huán)節(jié)產生的碳足跡,只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
,是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業(yè)生涯中,長期擔任副總裁及更高級別的管理職位,并領導研發(fā)工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上,能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進的電源轉換拓撲結構,從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
直接覆銅技術(DBC)是一種基于氧化鋁陶瓷基板金屬化的技術,最早出現(xiàn)于20世紀70年代。DBC技術是利用銅的含氧共晶液將銅直接與陶瓷進行敷接的一項技術,其基本原理是先通過預氧化的方法在銅箔中引入
2023-06-14 16:18:31964 電子發(fā)燒友網站提供《制作Hexabitz RGB LED項鏈.zip》資料免費下載
2023-06-12 14:42:080 電子發(fā)燒友網站提供《為架子鼓制作動畫燈/LED.zip》資料免費下載
2023-06-09 10:48:090 供應LXES15AAA1-153 靜電保護二極管 ESD-MURATA/村田TVS二極管,提供LXES15AAA1-153 關鍵參數(shù) ,更多產品手冊、應用料資請向深圳驪微電子申請。>>
2023-06-08 10:24:43
賽米卡爾科技有限公司技術團隊基于先進的TCAD仿真設計平臺開發(fā)出了晶格匹配的AlInN/GaN DBR模型數(shù)據(jù)庫,并系統(tǒng)地研究了晶格匹配的AlInN/GaN底部DBR結構對GaN基垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)電學和熱學特性的影響。
2023-06-07 13:49:03271 工藝區(qū)別傳統(tǒng)方法,以磁控濺射新技術在完成金屬化制作的陶瓷線路板上生長一層陶瓷介質,再在這層介質上重新金屬化制作第二層線路。
2、陶瓷基板性能和應用不同。 陶瓷基板的導熱率遠遠超過普通PCB板,氧化鋁陶瓷
2023-06-06 14:41:30
PCBA基板是PCBA主板的主要載體,制作PCBA基板的材料質量對整個產品的整體性能有非常大的影響。
2023-06-02 14:33:17541 氮化鋁為大功率半導體優(yōu)選基板材料。氧化鈹(BeO)、氧化鋁(Al2O3)、 氮化鋁(AlN)和氮化硅(Si3N4)4 種材料是已經投入生產應用的主要陶瓷基板 材料,其中氧化鋁技術成熟度最高、綜合性能好、性價比高,是功率器件最為常用 的陶瓷基板,市占率達 80%以上。
2023-05-31 15:58:35876 株式會社村田制作所創(chuàng)新開發(fā)出一款在0603M尺寸(0.6 x 0.3mm)中具有超大靜電容量10μF的多層陶瓷電容器,。該產品在以智能手機為主的各種電子設備中被越來越多的使用。
2023-05-31 14:35:37519 直接鍍銅陶瓷基板(Direct Plating Copper, DPC)是在陶瓷薄膜工藝加工基礎上發(fā)展起來的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板,采用濺鍍工藝于基板表面復合金屬層,并以電鍍和光刻工藝形成電路。
2023-05-31 10:32:021587 使用DBC基板作為芯片的承載體,可有效的將芯片與模塊散熱底板隔離開,DBC基板中間的Al2O3陶瓷層或者AlN陶瓷層可有效提高模塊的絕緣能力(陶瓷層絕緣耐壓>2.5KV)。
2023-05-26 15:04:022075 在簡述電光效應和熱光效應的基礎上綜述了國內外光波導相控陣技術研究進展,包括一維和二維光波導相控陣的技術途徑、結構特點和性能指標,給出了光波導相控陣的優(yōu)勢以及在激光雷達、成像等領域的應用前景。 結果表明,光波導相控陣技術正向著大掃描角度、高掃描精度、高響應速率、低控制電壓、高集成度的方向發(fā)展。
2023-04-23 09:55:501538 電路的作用問題:這種“田”字電容電路有什么作用?檢測嗎?
2023-04-19 17:35:04
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導體,日本和海外正在進行研究和開發(fā)。
2023-04-14 15:42:06363 田村路555號)(報名請?zhí)砑庸ぷ魅藛T微信查詢:elecfans123)議程安排主論壇 9:30-12:20重磅發(fā)布OpenHarmony 3.2 Release 版本特性及最佳實踐分享分論壇:14
2023-04-13 17:22:19
摘要:文章簡要介紹大功率LED導熱原理,著重分析金屬基板導熱的研究進展,綜述金屬基板導熱在大功率LED導熱領域的應用現(xiàn)狀,展望大功率LED導熱的未來。關鍵詞:導熱;大功率LED;金屬基板1、前言
2023-04-12 14:31:47887 陶瓷基板是指銅箔下直接鍵合到氧化鋁(AI2O3)或氧化鋁(ALN)陶瓷基片表面(單面/雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄符合基板具有優(yōu)良電絕緣性能,高導熱特性,優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強度,并能
2023-04-12 10:42:42708 N32G430C8L7_STB開發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開發(fā)
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發(fā),開發(fā)板主MCU芯片型號N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
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