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電子發(fā)燒友網>新品快訊>田村制作所攜手光波開發(fā)出氧化鎵基板GaN類LED元

田村制作所攜手光波開發(fā)出氧化鎵基板GaN類LED元

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2023-06-19 08:36:25

什么是氮化功率芯片?

通過SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實現(xiàn)氮化器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

為什么氮化比硅更好?

度為1.1 eV,而氮化的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度,耗盡區(qū)窄短,從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。例如,一個典型的650V橫向氮化晶體管,可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16

氮化: 歷史與未來

200℃。 1972年,基于氮化材質的 LED 發(fā)光二極管才被發(fā)明出來(使用摻有鎂的氮化),。這是里程碑式的歷史事件。雖然最初的氮化 LED ,它的亮度還不足以商用,但這是人類第一次制備出能夠發(fā)出
2023-06-15 15:50:54

為什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術相比,不僅性能優(yōu)異,應用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉換方面,已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44

什么是氮化GaN)?

的 3 倍多,所以說氮化擁有寬禁帶特性(WBG)。 禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細窄的耗盡區(qū),從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16

氮化功率芯片的優(yōu)勢

時間。 更加環(huán)保:由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成,氮化功率芯片制造時的二氧化碳排放量,比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上,基于氮化的充電器,從制造和運輸環(huán)節(jié)產生的碳足跡,只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41

誰發(fā)明了氮化功率芯片?

,是氮化功率芯片發(fā)展的關鍵人物。 首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業(yè)生涯中,長期擔任副總裁及更高級別的管理職位,并領導研發(fā)工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08

什么是氮化功率芯片?

氮化(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化芯片上,能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化功率芯片,能令先進的電源轉換拓撲結構,從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56

DBC直接覆銅技術中銅箔預氧化的影響因素

直接覆銅技術(DBC)是一種基于氧化鋁陶瓷基板金屬化的技術,最早出現(xiàn)于20世紀70年代。DBC技術是利用銅的含氧共晶液將銅直接與陶瓷進行敷接的一項技術,其基本原理是先通過預氧化的方法在銅箔中引入
2023-06-14 16:18:31964

制作Hexabitz RGB LED項鏈

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2023-06-12 14:42:080

為架子鼓制作動畫燈/LED

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2023-06-09 10:48:090

LXES15AAA1-153 靜電保護二極管 ESD-MURATA/TVS二極管

供應LXES15AAA1-153 靜電保護二極管 ESD-MURATA/TVS二極管,提供LXES15AAA1-153 關鍵參數(shù) ,更多產品手冊、應用料資請向深圳驪微電子申請。>>
2023-06-08 10:24:43

最新成果展示:AlInN/GaN DBR模型數(shù)據(jù)庫的開發(fā)與應用

賽米卡爾科技有限公司技術團隊基于先進的TCAD仿真設計平臺開發(fā)出了晶格匹配的AlInN/GaN DBR模型數(shù)據(jù)庫,并系統(tǒng)地研究了晶格匹配的AlInN/GaN底部DBR結構對GaN基垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)電學和熱學特性的影響。
2023-06-07 13:49:03271

陶瓷、高頻、普通PCB板材區(qū)別在哪?

工藝區(qū)別傳統(tǒng)方法,以磁控濺射新技術在完成金屬化制作的陶瓷線路板上生長一層陶瓷介質,再在這層介質上重新金屬化制作第二層線路。 2、陶瓷基板性能和應用不同。 陶瓷基板的導熱率遠遠超過普通PCB板,氧化鋁陶瓷
2023-06-06 14:41:30

常用的PCBA基板類型選擇

PCBA基板是PCBA主板的主要載體,制作PCBA基板的材料質量對整個產品的整體性能有非常大的影響。
2023-06-02 14:33:17541

國瓷材料:DPC陶瓷基板國產化突破

氮化鋁為大功率半導體優(yōu)選基板材料。氧化鈹(BeO)、氧化鋁(Al2O3)、 氮化鋁(AlN)和氮化硅(Si3N4)4 種材料是已經投入生產應用的主要陶瓷基板 材料,其中氧化鋁技術成熟度最高、綜合性能好、性價比高,是功率器件最為常用 的陶瓷基板,市占率達 80%以上。
2023-05-31 15:58:35876

AMEYA360:村田創(chuàng)新開發(fā)0603M尺寸小型多層陶瓷電容器

株式會社村田制作所創(chuàng)新開發(fā)出一款在0603M尺寸(0.6 x 0.3mm)中具有超大靜電容量10μF的多層陶瓷電容器,。該產品在以智能手機為主的各種電子設備中被越來越多的使用。
2023-05-31 14:35:37519

一文了解DPC陶瓷基板工藝流程

直接鍍銅陶瓷基板(Direct Plating Copper, DPC)是在陶瓷薄膜工藝加工基礎上發(fā)展起來的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板,采用濺鍍工藝于基板表面復合金屬層,并以電鍍和光刻工藝形成電路。
2023-05-31 10:32:021587

基于氧化鋁陶瓷基板工藝原理

使用DBC基板作為芯片的承載體,可有效的將芯片與模塊散熱底板隔離開,DBC基板中間的Al2O3陶瓷層或者AlN陶瓷層可有效提高模塊的絕緣能力(陶瓷層絕緣耐壓>2.5KV)。
2023-05-26 15:04:022075

一文詳解光波導相控陣技術

在簡述電光效應和熱光效應的基礎上綜述了國內外光波導相控陣技術研究進展,包括一維和二維光波導相控陣的技術途徑、結構特點和性能指標,給出了光波導相控陣的優(yōu)勢以及在激光雷達、成像等領域的應用前景。 結果表明,光波導相控陣技術正向著大掃描角度、高掃描精度、高響應速率、低控制電壓、高集成度的方向發(fā)展。
2023-04-23 09:55:501538

字型電容橋有什么作用?

電路的作用問題:這種“”字電容電路有什么作用?檢測嗎?
2023-04-19 17:35:04

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導體,日本和海外正在進行研究和開發(fā)
2023-04-14 15:42:06363

OpenHarmony 開發(fā)者大會2023 活動開始報名啦!

路555號)(報名請?zhí)砑庸ぷ魅藛T微信查詢:elecfans123)議程安排主論壇 9:30-12:20重磅發(fā)布OpenHarmony 3.2 Release 版本特性及最佳實踐分享分論壇:14
2023-04-13 17:22:19

分析金屬基板在車燈大功率LED導熱原理研究進展

摘要:文章簡要介紹大功率LED導熱原理,著重分析金屬基板導熱的研究進展,綜述金屬基板導熱在大功率LED導熱領域的應用現(xiàn)狀,展望大功率LED導熱的未來。關鍵詞:導熱;大功率LED;金屬基板1、前言
2023-04-12 14:31:47887

陶瓷基板與鋁基板的對比詳情

陶瓷基板是指銅箔下直接鍵合到氧化鋁(AI2O3)或氧化鋁(ALN)陶瓷基片表面(單面/雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄符合基板具有優(yōu)良電絕緣性能,高導熱特性,優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強度,并能
2023-04-12 10:42:42708

N32G430C8L7_STB開發(fā)

N32G430C8L7_STB開發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開發(fā)
2023-03-31 12:05:12

N32G4FRML-STB開發(fā)

高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發(fā)開發(fā)板主MCU芯片型號N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12

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