美國(guó)德州儀器(TI)天津舉辦的模擬技術(shù)研討會(huì)上，公布了集成有NexFET MOSFET技術(shù)的兩款降壓轉(zhuǎn)換器TPS56221與TPS56121，采用22引腳5mmx6mmQFN封裝。

　　其主要特性包括：1.輸入電壓為4.5V～14V時(shí)，在25A與15A峰值負(fù)載電流下，效率可超過90%;2.總體解決方案尺寸僅為315mm2，功率密度超過200W/in3。

　　TI(中國(guó))華北區(qū)技術(shù)應(yīng)用部經(jīng)理李志林TI解釋說：“NexFET MOSFET是我們于2009年收購(gòu)的以高功率MOSFET著稱的CICLON公司的第4代MOS管工藝技術(shù)。其此前第2代技術(shù)的特點(diǎn)是，柵極電容小，可以實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)，但導(dǎo)通電阻RDS(on)也較高;第2代技術(shù)的柵極電容大，導(dǎo)通電阻RDS(on)低。這次的第4代MOS管技術(shù)，即NexFET MOSFET綜合了前兩代的優(yōu)勢(shì)，利用它開發(fā)出的降壓轉(zhuǎn)換器TPS56221與市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)方案相比，尺寸減小了30%，功耗低了20%。在25℃、12V輸入、1.2V輸出、開關(guān)頻率500kHz時(shí)，低熱阻設(shè)計(jì)可在無風(fēng)扇條件下實(shí)現(xiàn)25A全額定電流。”

　　圖 降壓轉(zhuǎn)換器TPS56221演示板

　　15A、14V的TPS56121同步開關(guān)轉(zhuǎn)換器在5V輸入、1.2V輸出時(shí)，效率比競(jìng)爭(zhēng)方案高3%，開關(guān)速度高1倍。

　　另外，此前的CSD86350Q5D NexFET功率模塊的5mmx6mm堆棧型MOSFET采用接地引線框架SON封裝，頻率達(dá)1.5MHz。在25A電流下效率超過90%。與TPS40140雙相位DC/DC控制器一起使用時(shí)，可進(jìn)行50A、100A以上大電流的高效率、多相位負(fù)載點(diǎn)設(shè)計(jì)。

　　李志林表示，板裝電源通常有很多電路，因而需要更高的功率密度與電源效率，尤其是大電流系統(tǒng)，如電信、網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用。這兩款產(chǎn)品就是在此背景下推出的。

　　同時(shí)公布的還有另外兩款寬范圍輸入與高壓保護(hù)的降壓穩(wěn)壓器TPS7A4001和TPS40170。100V LDO與60V DC/DC控制器可在保持高效率的同時(shí)承受高壓瞬態(tài)，適于電機(jī)控制、HVAC繼電器、智能電表以及汽車零配件等應(yīng)用。

　　TPS7A4001 50 mA LDO的輸入電壓在7V～100V;50V瞬態(tài)事件只需不到500ns的快速建立時(shí)間;靜態(tài)電流Iq為25μA;4.7μF陶瓷輸出電容可確保噪聲環(huán)境下的高輸出精度。采用8引腳散熱增強(qiáng)型3mmx5mmMSOP封裝。

　　TPS40170同步降壓DC/DC控制器支持具備輸入電壓前饋補(bǔ)償?shù)碾妷耗Ｊ娇刂疲斎腚妷簽?.5V～60V，輸出電流12A。提供62V峰值電壓保護(hù)功能，支持75ns的快速FET接通時(shí)間與1.0μA的關(guān)閉電流。180°同步特性減小了紋波幅度，使輸入電容降低了50%。采用3.5mmx4.5mmQFN封裝。