英飛凌科技股份公司,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29117 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù),據(jù)官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù),相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181430 **VBsemi FDFS2P106-NL-VB MOSFET芯片**- **絲印:** VBA4658- **品牌:** VBsemi- **參數(shù):** - 2個(gè)P溝道MOSFET管
2024-03-19 14:20:45
器件型號(hào): E2P102L-VB絲印: VBA4338品牌: VBsemi參數(shù):- 2個(gè)P-Channel溝道- 額定電壓: -30V- 最大電流: -7A- 溝道內(nèi)阻: 35mΩ @ VGS
2024-03-18 16:44:43
- Vth=-1.5V封裝: SOP8詳細(xì)參數(shù)說明:D2P02-VB是一款雙P-Channel溝道功率MOSFET,工作電壓為-30V,最大電流為-7A。其靜態(tài)漏極-源極
2024-03-16 16:36:27
英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET,滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45203 AO4701-VB 是 VBsemi 品牌的 P 溝道 MOSFET,具有以下詳細(xì)參數(shù):- 2 個(gè) P 溝道溝道- 工作電壓范圍:-30V- 最大連續(xù)漏極電流:-7A- 開啟電阻:35m
2024-03-13 17:19:50
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,2.6 mOhm,160 A邏輯電平MOSFET PSMN2R5-40YLB數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 09:58:300 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,2.2 mOhm,180 A標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET PSMN2R2-40YSB數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 09:56:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,2.1 mOhm,180 A邏輯電平MOSFET PSMN2R0-40YLB數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 09:55:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,1.9 mOhm,200 A標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET PSMN1R9-40YSB數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 09:53:300 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,1.8 mOhm,200 A邏輯電平MOSFET PSMN1R7-40YLB數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 09:51:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,3.5 mOhm,120 A標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET PSMN3R5-40YSB數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 09:50:270 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,3.3 mOhm,120 A邏輯電平MOSFET PSMN3R2-40YLB數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 09:46:420 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,2.8 mOhm,160 A標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET PSMN2R8-40YSB數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 09:45:020 :** P-Channel 溝道 MOSFET- **電壓等級(jí):** -40V- **電流等級(jí):** -65A- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 10mΩ @
2024-02-20 11:15:00
產(chǎn)品型號(hào): NCE40P05Y-VB絲印: VB2355品牌: VBsemi**詳細(xì)參數(shù)說明:**- 封裝類型: SOT23- 溝道類型: P-Channel- 額定電壓: -30V- 最大電流
2024-02-20 09:43:16
**產(chǎn)品型號(hào):** IPD90P04P4-05-VB**絲印:** VBE2406**品牌:** VBsemi**參數(shù):**- 封裝:TO252- 溝道類型:P—Channel- 額定電壓
2024-02-19 17:20:56
ZC3201是一款40V高精度微安級(jí)功率LDO穩(wěn)壓器。只有l(wèi)uA的功耗使其適用于大多數(shù)高壓節(jié)電系
統(tǒng)。其最大工作電壓高達(dá)40V.
其他功能包括低壓差,±1%的極高輸出精度,限流保護(hù)和高紋波抑制比
2024-02-19 16:12:50
VBsemi MDS3754ARH-VB P—Channel MOSFET 參數(shù):- 封裝:SOP8- 溝道類型:P—Channel- 最大電壓:40V- 最大電流:11A- RDS(ON):13m
2024-02-19 10:59:41
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LFPAK56中的N溝道40 V,1.3 mΩ邏輯電平MOSFET BUK9Y1R3-40H數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-26 09:25:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,0.81 mOhm,320 A標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET PSMNR70-40YSN英文資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-04 14:19:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF040120L4A0:1200 V,40 mΩ,N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 16:26:191 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙N溝道40 V,13 mOhm邏輯電平MOSFET LFPAK56D(半橋配置)產(chǎn)品數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 14:31:020 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化,主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 概述PC5028是一款高性能的增壓器驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET的控制器同步升壓功率級(jí),從寬輸入電源范圍從4.5V到40V。當(dāng)控制器從輸出電壓偏置控制器可以從低至啟動(dòng)后1V。開關(guān)頻率可以通過編程FREQ
2023-12-25 18:23:47
型號(hào):50P06-VB絲印:VBE2625品牌:VBsemi參數(shù):- P溝道 MOSFET- 額定電壓:-60V- 最大持續(xù)電流:-50A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):20mΩ @ 10V
2023-12-20 15:07:09
型號(hào):AM40P03-20D-T1-PF-VB絲印:VBE2317品牌:VBsemi參數(shù):P溝道,-30V,-40A,RDS(ON),18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V
2023-12-20 11:19:59
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF040L3A0:1200伏,40米?,NN溝道SiC MOSFET應(yīng)用指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:37:520 **參數(shù):**- 溝道類型:P溝道- 額定電壓:-30V- 最大電流:-60A- 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):12mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V
2023-12-18 17:31:41
型號(hào):HAT1024R-VB絲印:VBA4338品牌:VBsemi參數(shù)說明:- **雙P溝道:** 該器件包含兩個(gè)P溝道MOSFET,電流在P溝道中流動(dòng),通常用于不同類型的應(yīng)用,如電源開關(guān)等
2023-12-18 17:03:12
型號(hào):CES2301-VB絲印:VB2290品牌:VBsemi參數(shù)說明:- **P溝道:** 該器件是一種P溝道MOSFET,電流在P溝道中流動(dòng),通常用于不同類型的應(yīng)用,如電源開關(guān)等。- **工作
2023-12-18 11:45:33
型號(hào):MMSF7P03HDR2G-VB絲印:VBA2333品牌:VBsemi參數(shù)說明:- **P溝道:** 該器件是一種P溝道MOSFET,電流在P溝道中流動(dòng),通常用于不同類型的應(yīng)用,如電源開關(guān)等
2023-12-18 10:18:54
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓 (Vth):-2V- 封裝:TO220應(yīng)用簡(jiǎn)介:HM70P04-VB是一款高性能P溝道MOSFET,適用于需要高電流承
2023-12-15 10:08:42
型號(hào):FDG6316P-VB絲印:VBK4223N品牌:VBsemi參數(shù)說明:- MOSFET類型:2個(gè)P溝道- 額定電壓:-20V- 最大電流:-1.5A- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):230m
2023-12-14 13:37:54
Ω @ 10Vgs、240mΩ @ 4.5Vgs- 閾值電壓(Vth):2V 到 4V 可調(diào)- 封裝類型:SOT223應(yīng)用簡(jiǎn)介:FQT5P10TF-VB是一款P溝道MOSFET
2023-12-13 16:15:14
(± V);-1.92Vth(V);TO252詳細(xì)參數(shù)說明:- 型號(hào): SQD40P10-40L-GE3-VB- 功能類型: P溝道功率MOSFET- 最大電壓: -1
2023-12-13 14:24:33
:±20V- 閾值電壓:-0.83V- 封裝:SOT223詳細(xì)參數(shù)說明:FDT434P-NL-VB是一款P溝道功率MOSFET,工作電壓為-40V,工作電流為-6
2023-12-13 11:40:57
:IFNNY)順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì),推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:37494 。
SL3061 40V/2.5A開關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品概述:SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器,工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓(6V至40V)可提供
2023-12-12 16:11:08
:P9006EDG適用于功率開關(guān)和逆變器等應(yīng)用的P溝道MOSFET。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高效率和降低功率損耗。適用領(lǐng)域與模塊:適用于電源開關(guān)、逆變器和功率放
2023-12-08 16:36:21
:DTU40P06適用于功率開關(guān)和逆變器等應(yīng)用的P溝道MOSFET。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高效率和降低功率損耗。適用領(lǐng)域與模塊:適用于電源開關(guān)、逆變器和功率放大
2023-12-06 15:17:33
本文提供了來自英飛凌的兩個(gè)文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin,其中在OptiMOS_n.sin這個(gè)單個(gè)模板中文件中包含了286個(gè)模型。
2023-12-06 11:32:46505 硬件面試中有遇到過這樣的事嗎?通常讓你畫一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET,或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 3.3V 單電源給AD8138 運(yùn)放供電時(shí),AD8138信號(hào) 輸入輸出范圍是多少?看手冊(cè)比較疑惑,
我現(xiàn)在的設(shè)計(jì)是:
輸入0.7v - 2.7v 的10M 單端 2v p-p 的信號(hào),
輸出
2023-11-20 08:15:48
產(chǎn)品使用線性CMOS圖像傳感器,輸出 0.7v-2.7v 的10M 頻率2v p-p的單端視頻信號(hào),準(zhǔn)備用AD8132或者AD8138或AD4932驅(qū)動(dòng) AD9235-20 做ADC轉(zhuǎn)換,希望
2023-11-20 06:32:55
轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品概述:SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器,工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓(6V至40V)可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061
2023-11-13 15:24:19
想用運(yùn)放實(shí)現(xiàn)1~-40V的脈沖電源,1到-40V的時(shí)間為2us,計(jì)算SR至少要求63V/us,看了下幾款車規(guī)級(jí)高壓運(yùn)放,請(qǐng)問下使用LT1010可以實(shí)現(xiàn)嗎?能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型?
謝謝!
2023-11-13 14:20:54
型號(hào) SQD40P10-40L-GE3-VB 功能類型 P溝道功率MOSFET 最大電壓 -100V 最大電流
2023-11-09 16:05:38
型號(hào) NCE40P40K-VB絲印 VBE2412品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 P溝道 額定電壓  
2023-11-09 11:26:03
地址送到P0和P2后,程序執(zhí)行的時(shí)序是ALE的脈沖產(chǎn)生的嗎
2023-11-09 08:30:43
一般說明
PL2700是一種經(jīng)濟(jì)有效、低電壓、單P-MOSFET負(fù)載開關(guān),為自供電和總線供電的通用串行總線(USB)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。該開關(guān)的輸入范圍從2.4V到5.5V,使它非常適合3V和5V系統(tǒng)
2023-11-08 16:44:46
型號(hào) SI4401DDYT1GE3絲印 VBA2412品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 11A 導(dǎo)通電阻 13mΩ@10V, 17m
2023-11-06 11:15:08
Ω @ 4.5V 額定柵極源極電壓(Vgs) 20V (±V) 閾值電壓(Vth) 1.3V 封裝類型 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 2SJ245S是一款P溝道MOSFET,具
2023-11-03 15:41:20
)- 閾值電壓 -1.5Vth (V)- 封裝類型 SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介 P06B03LVG是一款2個(gè)P溝道MOSFET,適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。具有負(fù)的額定電壓和額
2023-11-02 14:42:23
型號(hào) NTF6P02T3G絲印 VBJ2456品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 6A 導(dǎo)通電阻 42mΩ @10V, 49m
2023-11-02 10:16:18
型號(hào) SQD50P0615LGE3絲印 VBE2625品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 50A 導(dǎo)通電阻 20mΩ @10V, 25m
2023-11-02 09:28:15
國產(chǎn)新風(fēng)尚!WAYON維安針對(duì)PC及PC電源推出MOSFET細(xì)分產(chǎn)品
2023-11-01 15:10:01231 型號(hào) MDD3754RH絲印 VBE2412品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 65A 導(dǎo)通電阻 10mΩ @10V, 13m
2023-10-31 16:14:45
);SOP8該產(chǎn)品具有以下詳細(xì)參數(shù)說明 類型 P溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管 最大耐壓 40V 最大漏極電流 11A 導(dǎo)通時(shí)的電阻(RDS(ON)) 13mΩ@10V, 1
2023-10-30 15:43:23
型號(hào) 2SJ668絲印 VBE2610N品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 38A 導(dǎo)通電阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
2023-10-30 15:13:18
1.2~2.2Vth (V) 封裝類型 SOT236應(yīng)用簡(jiǎn)介 FDC6306P是一款雙P溝道MOSFET,適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。它具有負(fù)的額定電壓和
2023-10-30 11:44:53
型號(hào) AP4563GH絲印 VBE5415品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N+P溝道MOSFET 最大耐壓 ±40V 最大電流 50A/50A 導(dǎo)通電阻 15mΩ @10V
2023-10-28 16:06:13
型號(hào) SUD50P0408GE3絲印 VBE2412品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 65A 導(dǎo)通電阻 10mΩ@10V, 13m
2023-10-28 15:35:51
型號(hào) FDD5614P絲印 VBE2610N品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 38A 導(dǎo)通電阻 61mΩ @10V, 72m
2023-10-28 11:48:41
AON6884,規(guī)格書, 設(shè)計(jì)方案,使用方法,AOS/萬代,40V雙N溝道MOSFET 一般說明,AON6884采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)以低柵極電荷提供優(yōu)異的RDS(ON)。這是一個(gè)適用于大范圍
2023-10-24 15:03:33
AP64200Q 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的AP64200Q這款是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的 2A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,具有 3.8V 至 40V 的寬輸入電壓范圍。該器件完全
2023-10-23 19:56:00
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z,一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518 單元(ECU)市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在未來幾年持續(xù)增長。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)針對(duì)這一發(fā)展趨勢(shì),推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封裝的新半導(dǎo)體產(chǎn)品
2023-10-13 13:57:361132 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數(shù)據(jù)表的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料
2023-10-08 16:47:10
DMP4047SSDQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 DMP4047SSDQ 這款新一代 40V P 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時(shí)保持卓越
2023-09-15 10:01:52
DMP4047SSD 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 DMP4047SSD 這款新一代 40V P 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能
2023-09-15 09:54:20
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET,根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低,使其特別適用于需要更多高效,更緊湊,LED照明,高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
DMP4047LFDE 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 DMP4047LFDE 這款新一代 40V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能
2023-09-14 19:46:59
DMP4013LFGQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 DMP4013LFGQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),受 PPAP 支持,非常適合用于:反
2023-09-14 18:15:26
IEEE802.3af 標(biāo)準(zhǔn),輸入端允許輸入 36 至 57 VDC 的電壓,并為電路板提供 5V 的電壓。這是一個(gè)出色的解決方案,并為該小板的適用性帶來了顯著的好處。一旦我們將 P2 Pro 連接到 PoE 網(wǎng)絡(luò)
2023-09-13 12:21:21
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:45474 。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容,此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案,在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGL(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 這種40V雙電源電路是應(yīng)菲律賓Michael的要求而設(shè)計(jì)的。他的應(yīng)用是為此處發(fā)布的150瓦放大器電路供電。我認(rèn)為這種電源設(shè)計(jì)足以達(dá)到目的。變壓器T1降低電源電壓,電橋D1執(zhí)行整流,C1和C2執(zhí)行濾波工作。C3和C4是去耦電容。
2023-07-18 17:41:321035 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用:汽車
2023-07-04 20:37:240 RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用:汽車
2023-07-04 20:37:050 采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302 供應(yīng)HY3810NA2P TO-220AB 100v耐壓mos管100V/180A N溝道增強(qiáng)型MOSFET,提供HY3810NA2P關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-10 14:21:45
向日葵p2插座燒了 這個(gè)紅色框位置是保險(xiǎn)絲還是電阻?請(qǐng)大神支招。
2023-06-06 12:01:17
【 2023 年 5 月 12 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 *附件:power1.pdf
遇到一個(gè)電源板無法供電故障,此電源電路采用P溝道MOS限流保護(hù)設(shè)計(jì)。正常啟動(dòng)時(shí)Q14柵極上電慢,低于源極,MOS管導(dǎo)通,經(jīng)過后級(jí)U9基準(zhǔn)和U27運(yùn)放組成恒壓源電路,限制
2023-06-05 22:50:12
隨著科技的不斷進(jìn)步,電子設(shè)備的功能日益強(qiáng)大,對(duì)功率管理的需求也越來越高。在這個(gè)快節(jié)奏的時(shí)代,我們需要一種先進(jìn)的元件來滿足不同應(yīng)用的電源管理需求。ASDM40P55KQ P
2023-06-05 11:09:47
在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路,該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288 MOSFET是以金屬層(M)柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同,MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型,通常又稱為N型MOSFET(NMOSFET)和P型MOSFET(PMOSFET)。
2023-04-13 09:40:30691 應(yīng)用: DC-DC轉(zhuǎn)換 SMPS中的同步整流 硬開關(guān)和高速電路 電動(dòng)工具 電機(jī)控制 概述: PL1303N04是寶礫微推出的4開關(guān)N溝道功率MOSFET,采用QFN6*6-40L封裝。產(chǎn)品具有較強(qiáng)
2023-04-11 14:47:50513
評(píng)論
查看更多