IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
億緯鋰能3月11日宣布，公司與StoreDot Ltd.簽訂了《戰略合作框架協議書》，旨在充分整合雙方資源及技術優勢，力促大規模生產安全的“超高速可充電電池”項目加速落地。
2024-03-13 15:09:38
261 蓉矽半導體近日宣布，其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力，也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228 全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:19282 智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 Picotest 是一家專門從事電源完整性和電源系統測試定制測試設備的公司，推出了一系列超高速瞬態負載電流步進器，徹底改變了電源完整性、熱設計功率 (TDP)、IC 封裝評估和電源系統測試的行業標準
2023-11-26 16:44:23877 Picotest 是一家專門從事電源完整性和電源系統測試定制測試設備的公司，推出了一系列超高速瞬態負載電流步進器，徹底改變了電源完整性、熱設計功率 (TDP)、IC 封裝評估和電源系統測試的行業標準
2023-11-15 16:26:10323 超高速實時運動控制卡XPCIE1032H硬件介紹、交互原理以及指令說明。
2023-11-10 14:00:30299 
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT MODULE 1200V 5000W
2023-11-01 10:26:39
如何檢測復雜的超高速調制光信號？ 1. 背景介紹 隨著通信技術的不斷發展，越來越多的通信系統采用了超高速調制光信號傳輸數據。超高速調制光信號的傳輸速度非常快，可以達到每秒數十億次甚至數百億次。然而
2023-10-30 11:01:09212 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:10422 
2023年10月，凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優異，開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18V驅動，能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。
2023-10-20 09:43:26485 
;1200V系列SiC二極管。
陸芯科技的產品（IGBT、SJMOS、SiC）包括芯片、單管和模塊，具有以下技術優勢：通過優化耐壓終端環，實現IGBT高阻斷電壓，有效減少芯片面積，達到工業級和汽車級可靠
2023-10-16 11:00:14
來源：半導體芯科技編譯 Magnachip開始全面量產用于電動汽車PTC加熱器的1200V和650V IGBT。 Magnachip Semiconductor推出了1200V和650V絕緣
2023-09-19 16:04:38306 在一篇名為“衍射門控實時超高速測繪攝影”的論文中，Liang與加拿大Concordia大學和Meta Platforms Inc.的合作者展示了一款新型衍射門實時超高速繪圖(DRUM)相機，可以在每秒480萬幀的單次曝光中捕捉動態事件。
2023-09-16 09:46:111139 電子發燒友網站提供《Xilinx FPGA和SoC的超高速設計方法指南.pdf》資料免費下載
2023-09-14 09:41:06
0 電子發燒友網站提供《簡化超高速數字系統中確定性延遲的設計.pdf》資料免費下載
2023-09-14 09:27:370 繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200VIGBT7P7芯片，并將其應用在PrimePACK模塊中，再次刷新
2023-09-14 08:16:10430 
高速電機的研究主要分為超高速化和大功率化兩個方面。
國外對高速電機的研究時間相對較早，技術較為成熟，并開始向系列化和產業化發展。
國內在超高速與大功率高速電機方面的研究已經
2023-09-06 11:15:55270 
XPCIE1028超高速實時運動控制卡在六面外觀檢測高速視覺篩選中的應用，結合正運動技術提供的專用篩選機調試軟件，可實現15000+pcs/分鐘的IO觸發檢測速度，只需簡單參數設置，搭配圖像采集硬件和視覺處理軟件，即可快速實現全自動CCD視覺篩選。
2023-08-28 15:17:44661 
型號：1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT，適用于高效能和高可靠性的應用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值，能夠提供低導通
2023-08-25 16:58:531477 
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管，產品型號為 JHY140N120HA。產品外觀和內部電路拓撲如下圖所示。
2023-08-25 15:40:571056 
超高速視覺篩選機PCIe實時運動控制卡XPCIE1028
2023-08-22 09:31:24508 
新品用于高速開關應用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測
2023-07-31 16:57:59584 增強型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC，并有使用預涂的熱界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44231 電子發燒友網站提供《PI3EQX7741ST/PI3EQX7742ST源應用程序中的超高速轉接驅動器.pdf》資料免費下載
2023-07-25 18:28:360 電子發燒友網站提供《PI3EQX7701超高速USB電源應用.pdf》資料免費下載
2023-07-25 16:03:470 供應ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
在此方向上，青桐資本項目伙伴「量芯微半導體（GaNPower）」（以下簡稱「量芯微」）在全球范圍內率先實現1200V 硅基GaN HEMT的商業化量產，并于近日與泰克科技（Tektronix Inc.）合作進行了器件測試。
2023-07-19 16:37:301366 
RJH1CM5DPQ-E0 數據表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500 RJH1CM6DPQ-E0 數據表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350 RJH1CM7DPQ-E0 數據表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:220 RJH1CV7DPQ-E0 數據表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330 國產芯熾SC7508是一款超高速電流反饋型放大器，壓擺率高達5500V/μs，上升時間僅為545ps，因而非常適合用作脈沖放大器。
2023-06-20 14:22:53350 
的汽車驅動產品來實現“充電五分鐘續航百公里”的效果。 ? 針對這一需求，士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅動模塊——600A/1200V IGBT模塊（B3模塊）, 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動力，為用戶帶來更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:48735 本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
本應用筆記介紹了達拉斯半導體DS89C430和DS89C450超高速微控制器的全新串行端口特性。增加時鐘倍頻器允許用戶選擇原始頻率四分之一的晶體，以產生相同的波特率并降低EMI。
2023-06-13 16:27:58421 
ROHM羅姆確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度地激發出GaN等高速開關器件的性能。近年來，GaN器件因其具有高速開關的特性優勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負責GaN器件的驅動控制）的速度已成為亟需解決的課題。
2023-06-06 15:04:07439 /引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EVcharger、焊機
2023-05-31 16:51:27636 EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產品，用于高功率應用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器、泵和風機（高達10kW）。
2023-05-18 16:18:24315 合作關系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
RJH1CM5DPQ-E0 數據表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590 RJH1CM6DPQ-E0 數據表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480 RJH1CM7DPQ-E0 數據表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:300 RJH1CV7DPQ-E0 數據表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540 中，采用了羅姆的新產品—— 1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd.董事 常務執行官 CFO 伊野和英（左）賽米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen（右） 隨著全球電動化技術的快速發展，對功
2023-04-26 15:27:11517 
。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官?CFO 伊野和英 （左） ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51606 
隨著軌道列車運行速度的不斷提升，現有的列車信號傳輸系統容易受到外部因素影響，造成信號傳輸的不穩定和不準確。 為減少超高速行駛環境對列車信號傳輸的不良影響，TXGA研發生產的混合型D-sub連接器
2023-04-25 10:18:51479 飛創【超高速·長行程】直線電機模組總長9500mm，有效行程9m，寬230mm，高110mm，額定運行速度6m/s，最高運行速度8m/s，負載≤5kg，使用1個動子，水平安裝方式。
2023-04-07 11:22:24701 
雙路超高速大電流外設驅動器
2023-04-06 21:54:46
USB - A USB 3.0，超高速 插座 連接器 9 位 通孔，垂直
2023-04-04 15:05:00
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應用。產品特點得益于著名
2023-03-31 10:52:07472 新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產品系列產品型號：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
2023-03-31 10:49:58674 USB - A USB 3.0，超高速 插座 連接器 9 位 通孔，直角
2023-03-30 20:36:53
USB - A USB 3.0，超高速 插座 連接器 9 位 通孔，直角
2023-03-30 20:36:47
IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD
2023-03-29 15:28:38
IGBT 1200V 32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:15
IGBT 1200V 32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:11
IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:46
IGBT MODULE 1200V 183A HEX
2023-03-29 15:14:45
IGBT MODULE 1200V 108A HEX
2023-03-29 15:14:42
IGBT MODULE 1200V 325A
2023-03-29 15:14:41
IGBT MODULE 1200V 108A HEX
2023-03-29 15:14:39
IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
2023-03-29 15:14:37
IGBT MODULE 1200V 60A
2023-03-29 15:14:35
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:35
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:31
IGBT MODULE 1200V 250A
2023-03-29 15:14:30
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:21
IGBT MODULE 1200V 40A
2023-03-29 15:14:21
IGBT MODULE 1200V 60A
2023-03-29 15:14:21
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:15
IGBT MODULE 1200V 40A
2023-03-29 15:14:13
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:14:12
IGBT MODULE 1200V 40A
2023-03-29 15:14:12
IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:11
IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:11
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:05
IGBT MODULE 1200V 28A HEX
2023-03-29 15:14:03
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:02
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:01
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:57
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:56
IGBT MODULE 1200V ISOPLUS247
2023-03-29 15:13:53
超高速接口靜電防護
2023-03-28 15:18:27
表面貼裝超高速整流器
2023-03-28 12:54:53
表面貼裝超高速整流器
2023-03-28 12:54:53
給大家解讀超高速電路設計面臨的挑戰與廣義信號完整性(GSI)內涵和走勢。
2023-03-27 08:55:331119 
超高速1T 8051內核16路雙模觸控Flash MCU
2023-03-24 13:46:06
超高速1T 8051內核16路雙模觸控Flash MCU
2023-03-24 13:41:41
超高速1T 8051內核16路雙模觸控Flash MCU
2023-03-24 13:41:40
超高速1T 8051內核16路雙模觸控Flash MCU
2023-03-24 13:41:40
電子發燒友App
工商網監
湘ICP備 2023018690 號
評論