碳化硅功率器件市場領先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 繼續其在碳化硅功率器件向主流功率應用的推廣。與硅功率器件相比,科銳先進的碳化硅技術可降低系統成本、提高可靠性,并為能源效率建立新的標準。科銳公司最新推出的1200V Z-Rec? 碳化硅肖特基二極管產品均采用行業標準的TO-252 D-Pak表面貼裝封裝,提供額定電流分別為2A,5A,8A 和 10A的表面貼裝器件。科銳公司是目前世界上首家提供使用D-Pak表面貼裝封裝的可應用于全范圍額定電流的商用1200V碳化硅肖特基二極管制造商。如太陽能微型逆變器等系統設計人員現在能擁有更多的選擇來研發出更小、更輕以及成本更低的電源轉換電路。新型表面貼裝器件以更小的 PCB 尺寸和面積,并具備與科銳 TO-220 肖特基二極管相同的性能。
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科銳副總裁兼功率和射頻 (RF) 產品研發部門總經理 Cengiz Balkas 指出:“這些新型碳化硅肖特基二極管表面貼裝器件能夠以更小的尺寸和更低的板載實現包括零反向恢復損耗、不受溫度影響的開關、在更高頻率下工作并能夠支持低電磁干擾(EMI)信號、以及更高的浪涌額定值和電子雪崩性能等優點。額定電流為2A的新型器件充分發揮碳化硅材料本身的優勢,非常適合于較低功率的應用,能夠提供最佳的性能及成本選擇。此外,具有相同尺寸和節約成本的8A 和 10A 器件則適用于更高功率的應用中。”
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Balkas 進一步指出:“在高效功率電子系統中使用碳化硅功率器件,能夠具有以更少的器件數量實現更高的額定電流和額定電壓等顯著設計優勢。通過減少器件數量,設計人員能夠降低整體系統成本的同時,提高整體系統可靠性和實現最高效率。在全碳化硅設計中配合科銳最新系列1200V碳化硅MOSFET使用時,這些肖特基二極管使得高功率電子系統成為可能,其開關頻率較傳統以硅為材料的解決方案可高出5倍至8倍。在更高的開關頻率下可使用較小磁性和電容性的元件,從而可以縮減系統體積、降低重量和成本。”
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科銳C4D02120E系列肖特基二極管的額定電流/電壓為2A/1200V;C4D05120E系列肖特基二極管的額定電流/ 電壓為5A/1200V;C4D08120E系列肖特基二極管的額定電流/電壓為8A/1200V;C4D10120E系列肖特基二極管的額定電流為10A/1200V。所有C4DXX120E器件的工作結溫為-55°C 至 +175°C。
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科銳C4DXX120E表面貼裝肖特基二極管已經發布并完全具備生產使用資格。欲了解器件的供貨情況,敬請與科銳聯系。
科銳推出新型碳化硅肖特基二極管
- 二極管(160828)
- 科銳(23529)
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2023-07-25 10:09:36
C3D04060F是一款二極管
600 V、4 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 10:07:08
C3D04060E是一款二極管
600 V、4 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 09:51:09
C3D03060A是一款二極管
600 V、3 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 09:21:52
C3D03060F是一款二極管
600 V、3 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-25 09:18:50
C3D03060E是一款二極管
600 V、3 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-24 17:45:09
C3D02060A是一款二極管
600 V、2 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-24 17:42:41
C3D02060F是一款二極管
600 V、2 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-24 17:37:00
C3D02060E是一款二極管
600 V、2 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-24 17:32:22
CSD01060A是一款二極管
600 V、1 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基
2023-07-24 17:29:42
CSD01060E是一款二極管
600 V、1 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設計,比
2023-07-24 17:23:06
MSM06065G1碳化硅二極管,耐壓650V 6A DFN5*6封裝
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1碳化硅二極管,耐壓650V 6A DFN5*6封裝,原裝,庫存現貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量,可提升全負載條件下
2023-07-05 16:00:20
MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管,原裝,庫存現貨熱銷MSM06065G1 品牌:美浦森 封裝:DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6,原裝,庫存現貨熱銷 MSM06065G1 品牌:美浦森 封裝:DFN5
2023-07-05 15:50:06
GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實現更快的開關瞬變
SiC JBS二極管提供卓越的功能,包括但不限于高溫操作,高阻斷電壓和快速開關能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
具有溫度不變勢壘高度和理想因數的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管
本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
碳化硅肖特基二極管的原理及應用
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應,即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘,使得半導體中的載流子向金屬一側偏移,形成整流效應。
2023-06-07 17:10:34800
碳化硅肖特基二極管的原理及應用
碳化硅肖特基二極管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一種高性能半導體器件,具有低開啟電壓、高速開關、高溫性能等優點,廣泛應用于電源、驅動、逆變器、電動汽車等領域。
2023-06-04 16:09:002089
碳化硅MOSFET什么意思
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180
碳化硅二極管是什么
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747
碳化硅功率模組有哪些
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390
瀚薪科技完成B輪融資,已出貨碳化硅二極管、MOSFET超3000萬顆
根據公司披露:上海瀚薪具備多年的車規級SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發及量產經驗。量產產品均在各市場龍頭企業得到認可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍
2023-05-25 10:34:27903
碳化硅肖特基二極管的基本原理
在典型的二極管中,p-n結由p型和n型半導體組合而成。然而,肖特基二極管是不同的:使用金屬代替p型半導體。然后,你有一個被稱為肖特基勢壘的m-s結,而不是p-n結(這是這些二極管得名的地方)。
2023-05-24 11:19:54506
麗智芯片肖特基二極管-阻容1號
本帖最后由 jf_31420921 于 2023-5-23 14:51 編輯
肖特基二極管(Schottky Diode)是一種電子器件,因其具有低電壓降和快速開關速度而廣泛應用于電源電路
2023-05-23 14:47:57
使用SpeedFit 2.0設計模擬器快速啟動基于碳化硅的設計
了解電源中碳化硅 (SiC) MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設計過程中的關鍵組件。與硅基技術相比,作為一項相對較新的技術,可視化這些碳化硅組件的性能可以幫助設計人員更輕松地利用這項技術。
2023-05-20 17:02:261014
碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優勢
碳化硅的RDS(ON)較低,因而開關損耗也較低,通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術領域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-05-18 12:46:40277
Nexperia(安世半導體)針對要求嚴苛的電源轉換應用推出先進的650 V碳化硅二極管
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319
Nexperia針對要求嚴苛的電源轉換應用推出先進的650 V碳化硅二極管
合并PIN肖特基結構可帶來更高的穩健性和效率 ? 奈梅亨, 2023 年 4 月 20 日: 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管
2023-04-20 09:39:30796
碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應用
能力是硅的2~3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數及反向恢復時間接近零的特點,使得在PFC電路(功率因數校正)上的MOSFET開通損耗減少,效率得到進一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384
碳化硅SiC MOSFET:低導通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
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