Intel 公司和Micron Technology公司今日宣布推出NAND閃存技術新基準 flash technology – 世界第一款20納米、128Gb的多層單元(MLC)器件。這兩家公司還宣布其64Gb、20納米NAND器件已投入批量生產，進一步提高了該兩家公司在 NAND制程技術上的領導地位。

　　采用Intel和Micron合資的IM閃存技術 (IMFT) 公司開發的新款20納米、 128Gb單片器件是業界第一只能存儲1兆兆位(TB)數據的器件，在其僅僅指尖大小的空間內封裝了8片裸片。新款20納米、128Gb MLC NAND器件的存儲容量和性能是該兩家公司現有20納米、 64Gb NAND器件的二倍。該 128Gb器件滿足高速ONFI 3.0規范的要求，可達到333兆/秒(MT/s)的傳輸率，為客戶提供一個更具成本效益的超薄，流線造型優美產品設計，例如平板電腦、智能手機和大容量 固態硬盤(SSD)等。

　　它們在20納米制程技術上取得成功的關鍵是由于采用了一種創新的單元結構，其比傳統結構能容納更大規模的單元。它們的20納米NAND器件采用 一種平面式單元結構--這在本行業是首次采用--以克服與先進制程技術伴隨而來的內在困難，這使得其性能和可靠性與與上一代產品媲美。由于在NAND產品 上集成了第一Hi-K/金屬柵棧，這種平面式單元結構成功地突破了標準NAND浮動柵的比例瓶頸。