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25nm工藝 Intel新推313系列緩存式SSD
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2024-03-21 15:51:43
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85具有AM干擾抑制功能的4W、25W無濾波器D類立體聲放大器TPA313xD2數據表
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新思科技數字和模擬 EDA 流程經過認證和優化，針對Intel 18A工藝實現功耗、性能和面積目標
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237是德科技與Intel Foundry成功驗證支持Intel 18A工藝的電磁仿真軟件
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310三星與高通續簽合作，Galaxy S25 Ultra將搭載驍龍8 Gen 4
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208蘋果將搶先采用臺積電2nm工藝，實現技術獨享
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202讀寫性能提高40%！江波龍FORESEE XP2200系列SSD推出M.2 2280規格
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FORESEE XP2200系列SSD推出M.2 2280規格
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如何選擇合適的本地緩存？
小編最近在使用系統的時候，發現盡管應用已經使用了 redis 緩存提高查詢效率，但是仍然有進一步優化的空間，于是想到了比分布式緩存性能更好的本地緩存，因此對領域內常用的本地緩存進行了一番調研，有早期
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據悉，臺積電自2022年12月份起開始量產3nm工藝，然而由于成本考量，第一代3納米工藝僅由蘋果使用。其他如聯發科、高通等公司則選擇了4nm工藝。
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193臺積電第一家日本工廠即將開張：預生產28nm工藝芯片
這座晶圓廠于2022年4月開始新建，大樓主結構已完工，且辦公室部分區域也在今年8月啟用。將生產N28 28nm級工藝芯片，這是日本目前最先進的半導體工藝。22ULP工藝也會在這里生產，但注意它不是22nm，而是28nm的一個變種，專用于超低功耗設備。
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433臺積電3nm工藝預計2024年產量達80%
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ADXL313如何消除重力影響？
想問一下ADXL313這款芯片沒有重力影響消除的方法或裝置呢？因為我們放在物體上監測的時候不是垂直放置的，我們要放到隔水管進行監測，傳感器會跟著隔水管一起下放，下放的時候會有一定的傾斜，而這個初始
2023-12-27 06:06:10
英特爾20A、18A工藝流片，臺積電面臨挑戰
英特爾的Intel 20A和Intel 18A工藝已經開始流片，意味著量產階段已經不遠。而2nm工藝和1.8nm工藝的先進程度無疑已經超過了三星和臺積電的3nm工藝。
2023-12-20 17:28:52799
799臺積電首次提及 1.4nm 工藝技術，2nm 工藝按計劃 2025 年量產
12 月 14 日消息，臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會議（IEDM）的小組研討會上透露，其 1.4nm 級工藝制程研發已經全面展開。同時，臺積電重申，2nm 級制程將按計劃于 2025
2023-12-18 15:13:18191
191今日看點丨臺積電首次提及 1.4nm 工藝技術，2nm 工藝按計劃 2025 年量產；消息稱字節跳動將取消下一代 VR 頭顯
1. 臺積電首次提及 1.4nm 工藝技術，2nm 工藝按計劃 2025 年量產 ? 臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會議（IEDM）的小組研討會上透露，其 1.4nm 級工藝制程研發已經
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2nm意味著什么？2nm何時到來？它與3nm有何不同？
3nm工藝剛量產，業界就已經在討論2nm了，并且在調整相關的時間表。2nm工藝不僅對晶圓廠來說是一個重大挑戰，同樣也考驗著EDA公司，以及在此基礎上設計芯片的客戶。
2023-12-06 09:09:55693
693mybatis一級緩存和二級緩存的原理
MyBatis是一種輕量級的持久化框架，它提供了一級緩存和二級緩存的機制來優化數據庫操作性能。一級緩存是默認開啟的，而二級緩存需要手動配置啟用。 一、一級緩存 1.1 緩存生命周期 一級緩存存在于
2023-12-03 11:55:11438
43822nm平面工藝流程介紹
今天分享另一篇網上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進行對比學習。 言歸正傳，接下來介紹平面工藝最后一個節點22nm process flow。
2023-11-28 10:45:514232
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今日看點丨消息稱英偉達 RTX 50 顯卡采用臺積電 3nm 工藝；起亞稱不放棄中國市場，正與百度研發車機系統
1. 消息稱英偉達 RTX 50 顯卡采用臺積電 3nm 工藝 ? 據報道，英偉達 RTX 50 系列顯卡所采用的 GB200 系列 GPU 將采用臺積電 3nm 工藝。 ? 據此前相關媒體報道
2023-11-20 11:05:44632
632詳細解讀7nm制程，看半導體巨頭如何拼了老命為摩爾定律延壽
Tick-Tock，是Intel的芯片技術發展的戰略模式，在半導體工藝和核心架構這兩條道路上交替提升。半導體工藝領域也有類似的形式存在，在14nm/16nm節點之前，半導體工藝在相當長的歷史時期里有著“整代”和“半代”的差別。
2023-11-16 11:52:25963
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全球首顆3nm電腦來了！蘋果Mac電腦正式進入3nm時代
前兩代M1和M2系列芯片均采用5nm制程工藝，而M3系列芯片的發布，標志著蘋果Mac電腦正式進入3nm時代。 3nm利用先進的EUV（極紫外光刻）技術，可制造極小的晶體管，一根頭發的橫截面就能容納兩百萬個晶體管。蘋果用這些晶體管來優化新款芯片的每個組件。
2023-11-07 12:39:13310
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三星披露下一代HBM3E內存性能
FinFET立體晶體管技術是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導體制造工藝的根基，接下來在Intel 20A、臺積電2nm、三星3nm上，都將轉向全環繞立體柵極晶體管。
2023-10-23 11:15:08279
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2nm芯片什么時候出 2nm芯片手機有哪些
2nm芯片什么時候出 2nm芯片什么時候出這個問題目前沒有相關官方的報道，因此無法給出準確的回答。根據網上的一些消息臺積電于6月16日在2022年度北美技術論壇上首次宣布，將推出下一代先進工藝制程
2023-10-19 17:06:18799
7992nm芯片是什么意思 2nm芯片什么時候量產
2nm芯片是什么意思 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出來的芯片，制程工藝的節點尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達到2納米級別。 更小的節點尺寸
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1958今日看點丨首次采用EUV技術！英特爾宣布Intel 4已大規模量產；佳能開始銷售 5nm 芯片生產設備
1. 傳蘋果確認iPhone 16 系列將采用臺積電第二代3nm 工藝N3E ? 蘋果近日確認iPhone 16系列將采用臺積電第二代3nm工藝N3E。據悉，蘋果在 iPhone 15 Pro
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如何使用緩存
緩存技術被認為是減輕服務器負載、降低網絡擁塞、增強Web可擴展性的有效途徑之一，其基本思想是利用客戶訪問的時間局部性（Temproral Locality）原理， 將客戶訪問過的內容在Cache
2023-10-08 14:07:17300
300本地緩存的技術實踐
一、摘要 說到緩存，面試官基本上會繞不開以下幾個話題！ 項目中哪些地方用到了緩存？為什么要使用緩存？怎么使用它的？引入緩存后會帶來哪些問題？ 這些問題，基本上是互聯網公司面試時必問的一些問題，如果
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什么是3nm工藝芯片？3nm工藝芯片意味著什么？
的大部分時間里，用于制造芯片的工藝節點的名稱是由晶體管柵極長度的最小特征尺寸（以納米為單位）或最小線寬來指定的。350nm工藝節點就是一個例子。
2023-09-19 15:48:434477
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CW32產品資料
01CW24x系列串行EEPROM具有低引腳數、高可靠性、多種存儲容量用于靈活的參數管理和小代碼存儲，滿足穩定的數據保存、低功耗和空
02間受限的需要
03采用華虹95nm最先進工藝，晶圓CP測試
2023-09-15 08:22:26
ST25TV芯片系列介紹
意法半導體ST25TV芯片系列提供了NFC forum標簽，使消費者能夠體驗數字化生活。嵌入式EEPROM存儲器的存儲密度范圍從512位到64 Kb不等，可覆蓋各種應用，包括品牌保護和門禁控制。
ST25TV系列提供最先進的RF性能以及強大的保護功能，例如block lock機制與加密密碼。
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升級版PCIe 5.0 SSD深度評測解析
為了提升SSD的性能，HOF名人堂EX50S PCIe 5.0 M.2 SSD采用了獨立緩存設計。本次測試的2TB產品配備了多達4GB獨立緩存（編號為H9HCNNNCPUML XRNEE的SK海力士
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cpu處理器參數怎么看
的架構，常見的有x86和x64。
指令集：如SSE、AVX等，用于拓展CPU的功能。
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制造工藝：如22nm、14nm等，表示CPU制造過程中的最小尺寸。
查看CPU處理器參數可以通過Intel官網或CPU-Z等工具實現。
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MySQL服務器優化LSI MegaRAID CacheCade Pro 2.0讀寫緩存軟件和固態硬盤(SSD)
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全志h313和全志h618的區別
全志h313和全志h618的區別 全志科技是一家成立于2007年的中國半導體公司，專注于嵌入式應用處理器和智能可穿戴技術的開發。全志h313和全志h618都是全志科技推出的嵌入式應用處理器，它們之間
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4295全志h618和h313參數對比
全志h618和h313參數對比 全志h618和h313是兩款流行的芯片，它們都是全志科技公司開發的。h618是一款高性能處理器，通常用于高端移動設備和虛擬現實產品。相比之下，h313則是一款入門級
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6845Intel Raptor Lake-S產品介紹
Raptor Lake-S采用和前代相同的Intel 7工藝打造，小核心同為Gracemont架構，核顯相對于12代并未迭代，接口仍為LGA1700，同樣支持DDR4/DDR5內存以及PCIe5.0，兼容600系及700系列主板。
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蘋果拒絕為3nm工藝缺陷買單 臺積電3nm按良率收費！
根據外媒報道，據稱臺積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%。不過根據獨家條款，該公司僅向蘋果收取良品芯片的費用！
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780Intel4工藝太難了！酷睿Ultra終于突破5GHz
無論是14nm還是10nm，Intel這些年的新工藝都有一個通性：剛誕生的時候性能平平，高頻率都上不去，只能用于筆記本移動端(分別對應5代酷睿、10代酷睿)，后期才不斷成熟，比如到了13代酷睿就達到史無前例的6GHz。
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SSD20X USB攝像頭使用
本文主要介紹基于PurplePiR1演示如何配置USB攝像頭，此方法適用于SSD201/202全系列產品。PurplePiR1主板，是基于SigmaStarSSD201SoC（ARMCortexA7
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Intel自曝：3nm工藝良率、性能簡直完美！
Intel將在下半年發布的Meteor Lake酷睿Ultra處理器將首次使用Intel 4制造工藝，也就是之前的7nm，但是Intel認為它能達到4nm級別的水平，所以改了名字。
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561工藝制程是什么意思 7nm5nm是什么意思
如果工藝制程繼續按照摩爾定律所說的以指數級的速度縮小特征尺寸，會遇到兩個阻礙，首先是經濟學的阻礙，其次是物理學的阻礙。 經濟學的阻礙是，隨著特征尺寸縮小，由于工藝的復雜性設計規則的復雜度迅速增大，導致芯片的成本迅速上升。
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芯片工藝的"7nm" 、"5nm"到底指什么？
近幾年，芯片產業越來越火熱，一些行業內的術語大家也聽得比較多了。那么工藝節點、制程是什么，"7nm" 、"5nm"又是指什么？
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ADXL313WACPZ-RL7是一款速度計
ADXL313是一款小而薄的低功耗3軸加速度計，分辨率高（13位），測量范圍達±4 g。數字輸出數據為16位二進制補碼格式，可通過串行端口接口(SPI)（3線式或4線式）或I2C數字接口訪問
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英特爾全新16nm制程工藝有何優勢
英特爾獨立運作代工部門IFS后，將向三方開放芯片制造加工服務，可能是為了吸引客戶，英特爾日前發布了全新的16nm制程工藝。
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757Cadence發布面向TSMC 3nm 工藝的 112G-ELR SerDes IP 展示
3nm 時代來臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術研討會期間發布了面向臺積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產品的新成員。
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406HT313丨20W單聲道D類音頻功放
HT313是一款高效D類音頻功率放大器。在12V供電的單聲道模式下，THD+N = 1%, 能夠持續提供23W/2 ?功率輸出。 HT313具有先進的擴頻功能來抑制EMI，使用價格低廉且小體積鐵氧體
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MAX313LESE+ - (Maxim Integrated) - 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器
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盡管英特爾的第14代酷睿尚未發布，但第15代酷睿（代號Arrow Lake）已經曝光。新的酷睿系列產品將改為酷睿Ultra系列，并使用臺積電的3nm工藝，預計會有顯著的性能提升。
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1100【視頻】紫光同創Logos2系列PG2L100H關鍵特性評估板@盤古100K開發板#小眼睛FPGA盤古系列開發板
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聊聊本地緩存和分布式緩存
本地緩存 ：應用中的緩存組件，緩存組件和應用在同一進程中，緩存的讀寫非常快，沒有網絡開銷。但各應用或集群的各節點都需要維護自己的單獨緩存，無法共享緩存。
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揭秘半導體制程：8寸晶圓與5nm工藝的魅力與挑戰
在探討半導體行業時，我們經常會聽到兩個概念：晶圓尺寸和工藝節點。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個重要的概念。
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Crucial英睿達T700第五代SSD，采用232層TLC NAND
Crucial 英睿達 T700 第五代 SSD 采用 232 層 TLC NAND，順序讀取速度高達 12,400MB/s，速度幾乎是先前第四代高性能 SSD2 的兩倍，專為 Intel 第 13 代和 AMD Ryzen 7000 系列 CPU 以及 PCIe 5.0 桌面電腦和主板而設計。
2023-06-01 15:01:44369
369Intel 4工藝14代酷睿將升級全新的CPU/GPU架構
14nm、10nm、4……Intel近幾年的制造工藝，每次首秀都不太順利，頻率和性能不達標，只能用于移動版，優化個一兩年才能上桌面，然后性能又非常好。
2023-05-24 11:33:42985
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Caffeine教程緩存介紹
緩存(Cache)在代碼世界中無處不在。從底層的CPU多級緩存，到客戶端的頁面緩存，處處都存在著緩存的身影。緩存從本質上來說，是一種空間換時間的手段，通過對數據進行一定的空間安排，使得下次進行數據訪問時起到加速的效果。
2023-05-22 11:01:14637
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Cadence 發布面向 TSMC 3nm 工藝的 112G-ELR SerDes IP 展示
Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產品的新成員。在后摩爾時代的趨勢下，FinFET 晶體管的體積在 TSMC 3nm 工藝下進一步縮小，進一步采用系統級封裝設計（SiP）。通過
2023-05-19 16:25:12784
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Cadence發布面向TSMC 3nm工藝的112G-ELR SerDes IP展示
3nm 時代來臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術研討會期間發布了面向臺積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產品的新成員。
2023-05-19 15:23:07675
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Intel推出全新工藝節點,或將邁入2nm時代
Intel將于6月11日至16日舉辦的VLSI Symposium 2023研討會上，首次展示PowerVia技術。有關信息顯示,Intel的20A工藝將引入PowerVia背部供電和RibbonFET全環繞柵極晶體管等全新技術。
2023-05-10 15:07:51345
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1064nm TO8、TO31系列，四象限硅光電二極管
1064nm四象限硅光電二極管
TO金屬封裝（TO8S、TO8Si 、TO1032i、TO1081i ）
四象限光電二極管是分立元器件，由小間隙隔開四個有效探測區域組成。
該系列光電二極管可用于諸多
2023-05-09 17:10:53
505nm、785nm、808nm、940nm激光二極管TO56 封裝、 500mW 100mw
1300NM
金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座，在其內部安裝芯片或基板并進行鍵合連接，外引線通過金屬-玻璃（或陶瓷）組裝工藝穿過金屬外殼，將內部元件的功能引出、外部電源信號等輸人的一種電子
2023-05-09 11:23:07
如何在SpringBoot中解決Redis的緩存穿透等問題
今天給大家介紹一下如何在SpringBoot中解決Redis的緩存穿透、緩存擊穿、緩存雪崩的問題。
2023-04-28 11:35:19495
49545nm工藝直躍2nm工藝，日本芯片工藝憑什么？
搞定2nm工藝需要至少3方面的突破，一個是技術，一個是資金，一個是市場，在技術上日本是指望跟美國的IBM公司合作，后者前兩年就演示過2nm工藝，但IBM的2nm工藝還停留在實驗室級別，距離量產要很遠。
2023-04-14 10:24:55507
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工商網監
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