透鏡 透明 非對稱 粘合劑，螺釘
2024-03-14 23:11:33
透鏡 透明 非對稱 螺釘
2024-03-14 23:11:32
僅透鏡，需固定座 透明 非對稱
2024-03-14 23:11:32
透鏡 透明 非對稱 膠帶
2024-03-14 23:11:32
透鏡條 白色 非對稱 卡入式
2024-03-14 23:11:32
G473使用TIM1非對稱模式做移相，用TIM8Combined PWM模式做對角的移相與門輸出，為啥占空比對了時序不對？
2024-03-14 07:49:55
為滿足快速發展的電動汽車行業對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03
376 
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 為什么三相短路是對稱故障？單相短路是非對稱故障呢？ 三相短路是對稱故障，而單相短路是非對稱故障，其根本原因在于電網中的相量關系和電壓分布。 首先，對稱故障指的是三相之間的關系相同，而非對稱故障指的是
2024-02-18 11:41:26341 時導電溝道是低阻狀態，加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。
為使P溝道場效應管能夠正常工作，應在其柵源之間加正向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應管在不加控制
2024-01-30 11:38:27
的設備提供全面安全防護。采用恒定電流/恒定電壓線性控制，與內部P溝道功率MOSFET結合，確保充電過程穩定可靠，杜絕電池損傷風險。
便捷輕松應用：
ZCC1130T設計簡潔，只需極少外部元器件，使其
2024-01-08 15:55:16
場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件。根據導電溝道的類型，場效應晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:152269 
場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件。根據導電溝道的類型，場效應晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282843 
加密芯片是對內部集成了各類對稱與非對稱算法，自身具有極高安全等級，可以保證內部存儲的密鑰和信息數據不會被非法讀取與篡改的一類安全芯片的統稱。
2023-12-20 09:28:54402 
AD5290的datasheet中有寫其供電電壓范圍：+20 V to +30 V single-supply operation 或者±10 V to ±15 V dual-supply operation，對于雙電源供電，我的應用是正電源是12V，負電源是-3V。這樣的非對稱電源供電是否可以？
2023-12-15 08:19:27
、實現方式和安全性等方面。 一、加密芯片的功能 數據加密：加密芯片采用對稱或非對稱加密算法，對數據進行加密操作。對稱加密算法使用相同的密鑰進行加密和解密，而非對稱加密算法使用公鑰和私鑰進行加密和解密。加密芯片可以支持多種加密算法
2023-12-13 15:03:14688 通過非對稱有機-無機復合固態電解質的協同效應，改善了不同陰極（LiFePO4和LiNi0.8Mn0.1Co0.1O2）/鋰電池的循環穩定性，顯著拓寬了電化學穩定窗口（5.3 V）并大大增強了鋰枝晶的抑制。
2023-12-10 09:23:42522 
;應用簡介：FR3505是一款高功率N溝道MOSFET，適用于高電流、高功率的應用，常見于電機驅動、電源開關和電池管理等領域模塊。其低導通電阻和高電流承載能力使其
2023-12-06 15:31:48
的管理和傳遞困難。 非對稱加密 非對稱加密算法使用一對密鑰，即公鑰和私鑰。公鑰用于加密，私鑰用于解密。常見的非對稱加密算法有RSA、DSA、ECC。非對稱加密算法的優點是密鑰的管理和傳遞相對容易，缺點是加密解密速度較慢。 哈希加密 哈希加密算法
2023-12-04 15:32:46235 本帖最后由 Tronlong創龍科技 于 2023-12-1 09:36 編輯
“非對稱AMP”雙系統是什么
AMP(Asymmetric Multi-Processing)，即非對稱
2023-12-01 09:35:26
p溝道和n溝道的區別 n溝道和p溝道怎樣區分？ 區分p溝道和n溝道的關鍵在于材料的雜質摻入和本征類型。在材料中摻入不同類型的雜質能夠改變材料的導電性質，從而使其成為p溝道或n溝道。 首先，讓我們來了
2023-11-23 09:13:422314 USB
電源和適配器電源工作。
由于采用了內部 PMOSFET 架構，加上防倒充電
路，所以不需要外部檢測電阻器和隔離二極管。熱
反饋可對充電電流進行自動調節，以便在大功率操
作或高環境溫度條件下
2023-10-27 10:46:26
電流應用，如電源開關和電機驅動。其高電流承載能力和低導通電阻有助于提高效率和降低功率損耗。適用領域與模塊：適用于高電流電源開關、電機驅動和功率放大器等領域模塊。
2023-10-26 16:36:04
功率芯片通過封裝實現與外部電路的連接，其性能的發揮則依賴著封裝的支持，在大功率場合下通常功率芯片會被封裝為功率模塊進行使用。芯片互連（interconnection）指芯片上表面的電氣連接，在傳統模塊中一般為鋁鍵合線。
2023-10-24 10:52:091783 
DGD0597FUQ 產品簡介DIODES 的DGD0597FUQ這是一款高頻高側和低側柵極驅動器，能夠驅動半橋配置中的 N 溝道 MOSFET。浮動高側驅動器的額定電壓高達
2023-10-24 10:45:14
DGD05473FNQ 產品簡介DIODES 的DGD05473FNQ這是一款能夠驅動 N 溝道 MOSFET 的高頻柵極驅動器。浮動高側驅動器的額定電壓高達 50V
2023-10-24 10:17:47
傳統的功率模塊基本結構分層圖來說說其構成：可見，我們前面聊的很多的半導體芯片，只是功率模塊中的一部分，除此之外還包括其他的成分。而這些成分的選擇和搭配，再結合半導體芯片的特性，將決定功率模塊的整體性
2023-10-24 09:45:033032 
在商業應用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨特電氣優勢需要解決由材料機械性能引起的可靠性挑戰。憑借其先進的芯片粘接技術，Vincotech 處于領先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會
2023-10-23 16:49:36372 
AS7202是一種次級側同步整流器回程轉換器。它集成了超低導通狀態電阻45V功率MOSFET，即可替代肖特基二極管的高效率。AS7202支持高側和低側應用。AS7202內置高壓電源的VDD電容器
2023-10-17 17:53:58
， 電感電流檢測單元,電池電壓檢測電路和內置場效應晶體管驅動電路等，具有外部元件少， 電路簡單等優點。
當電池電壓低于輸入電壓或電池短路時,YB5082 在內部N溝道MOSFET和P溝道MOSFET
2023-10-12 15:36:55
的隔離電源。
VPS8702內部集成兩個N溝道功率MOSFET和兩個P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內部集成振蕩器提供一對高精度互補信號，能有效確保兩路功率MOSFET驅動的高度對稱
2023-10-12 10:23:07
1~~2W的隔離電源。
VPS8701B內部集成兩個N溝道功率MOSFET和兩個P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內部集成振蕩器提供一對高精度互補信號，能有效確保兩路功率MOSFET驅動
2023-10-12 10:04:51
、輸出功率1~2W的隔離電源。
VPS6501芯片內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在工作過程發生偏磁。芯片內部設計有高精度的死區控制電路確保在各種工作條件下不出現共通現象。
2023-10-12 09:52:32
、輸出功率1~~3W的隔離電源。
VPS8505芯片內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在
2023-10-12 09:49:26
、輸出功率13W的隔離電源。
VPS8504C內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在工作
2023-10-12 09:43:02
輸出、輸出功率1~~~3W的隔離電源。
VPS8504N內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免
2023-10-12 09:38:22
輸出、輸出功率1~~3W的隔離電源。
VPS8504B內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在
2023-10-12 09:30:19
功率模塊一直是汽車應用中最常見的封裝結構之一。傳統的IGBT功率模塊主要由IGBT芯片，氧化鋁覆銅陶瓷基板，封裝互連材料，鍵合線，電連接端子等組成圖1傳統單面冷卻
2023-09-26 08:11:51586 ZXMS81090SPQ 產品簡介DIODES 的 ZXMS81090SPQ是一款單通道高側電源開關，采用 SO-8EP（E 型）裸露散熱器封裝，具有保護和診斷功能。該器件包括一個單片 n
2023-09-25 13:24:38
N 溝道垂直功率 MOSFET，具有集成溫度和電流傳感器以及電荷泵柵極電源，并且在關斷狀態下具有低靜態電流。該器件通過輸入端的高電平有效 3.3V 和 5V 邏輯
2023-09-25 12:52:36
ZXMS81045SP 產品簡介DIODES 的 ZXMS81045SP 是一款單通道高側電源開關，采用 SO-8EP（E 型）裸露散熱器封裝，具有保護和診斷功能。該器件包含一個單片 N
2023-09-25 11:20:37
BSP75N 產品簡介DIODES 的 BSP75N 自保護低側 MOSFET。單片過溫、過流、過壓（有源鉗位）和 ESD 保護邏輯電平功能。旨在作為通用開關。 產品規格
2023-09-23 17:58:56
電子發燒友網站提供《P溝道增強模式功率MOSFET G040P04M規格書.pdf》資料免費下載
2023-09-19 17:29:11
0 查看 rtsp 服務是否實時推流
2023-09-18 07:36:13
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
這里先來認識一個新的概念叫 PDU ，PDU 的官方解釋是協議數據單元，但是它其實指的就是計算機網絡這幾層模型里面所描述的數據單元，比如應用層交換的就是應用數據，TCP 層的 PDU 交換的就是段。
2023-09-13 15:58:48226 
“非對稱AMP”雙系統是什么AMP(AsymmetricMulti-Processing)，即非對稱多處理架構。“非對稱AMP”雙系統是指多個核心相對獨立運行不同的操作系統或裸機應用程序
2023-09-13 08:07:11761 
的低SWR通過最小化不匹配不確定性進一步提高了精度。這些傳感器還配有雙量程電源，對波動信號具有更高的靈敏度。憑借高精度和穩定性，N8485A可幫助您自信、快速地進行測試。
2023-09-12 14:09:03
使用 LM20 雙通道高功率放大器可以設計一個非常簡單的 2005 瓦安培電路電子項目，旨在為汽車應用提供最佳性能和可靠性。LM2005 20 W安培電路具有高電流能力 （3.5A），使器件能夠
2023-09-08 17:08:50
輸出側采用較小尺寸的MOS， 兩側尺寸之比n：1，形成故意失配結構，兩側電流之比也為n：1。
增益由輸出側視入電阻、輸入對管跨導確定：此表達式與對稱結構完全一致！節省了非輸出側的版圖面積以及靜態功耗
2023-09-01 13:42:42
mos管p溝道n溝道的區別 MOS管是一種主流的場效應晶體管，分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區別主要在于導電性質、靜態特性、輸入電容、噪聲功率和門極結色散等方面
2023-08-25 15:11:258241 2ED020I06-FI是一款高電壓，高速功率MOSFET和IGBT驅動器，具有聯鎖高側和低側參考輸出。浮動高側驅動器可以直接供電，也可以通過二極管和電容供電。除了每個驅動器的邏輯輸入外
2023-08-24 18:21:45
FD2H001BA/BY/BH 低功率霍爾開關芯片
一般說明
FD2H001B是一種低功率集成霍爾開關，設計用于感知所應用的磁通密度并給出數字輸出，這表明了所感知的大小的現狀。這些應用的一個例
2023-08-22 13:15:09
（Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應用場景：適用于高效率開關電源、電機驅動器和照明應用等，可用于電源因數校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
和 MM
用于低噪聲和低波長相關性的InGaAs 檢波器
Keysight 81635A 雙光功率傳感器是對光纖元器件進行精確功率測量的選擇。 該模塊化雙傳感器可安裝在所有 Keysight 816x
2023-08-10 13:49:18
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 450 W；48V；3600 – 3700 兆赫GTRA374902FC 是一款 450 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子遷移率晶體管
2023-08-02 17:38:32
高功率 RF LDMOS FET 650 W；48V；755 – 805 兆赫PTRA087008NB 是一款 650 瓦 LDMOS FET。它設計用于 755 MHz 至 805 MHz 的多
2023-08-02 16:49:23
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 280 W；48V；3400 – 3600 兆赫 GTRA362802FC 是一款 280 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子遷移率
2023-08-02 15:46:20
39.5 dBm GaN on SiC 功率放大器模塊；3300-3800兆赫WS1A3640 是一款非對稱 Doherty 功率放大器模塊 (PAM)，在采用先進散熱技術的多層層壓基板上集
2023-08-02 14:25:31
39.5 dBm GaN on SiC 功率放大器模塊；3700-3980兆赫WS1A3940 是一款非對稱 Doherty 功率放大器模塊 (PAM)，在采用先進散熱技術的多層層壓基板上集
2023-08-02 14:22:54
38.5 dBm GaN on SiC 功率放大器模塊；2496-2690兆赫WS1A2639 是一款非對稱 Doherty 功率放大器模塊 (PAM)，將 Wolfspeed GaN
2023-08-02 14:20:00
緊湊的5針L165IC一般由單個非對稱電源穩定對稱電源組成。然而，輸出電壓是輸入電壓的一半。需要添加紋波濾波電容C1、C2、C3和C4以及一些電阻器來設置對稱性。在構建電路時，將電容器C1和C2放置在盡可能靠近IC的位置。
2023-07-24 11:37:23525 
NP75N055YUK55 V - 75 A - N 溝道功率 MOS FET應用：汽車
2023-07-07 18:42:170 NP90N04VLK40 V - 90 A - N 溝道功率 MOS FET應用：汽車
2023-07-07 18:41:240 RBA250N10CHPF-4UA02 100V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-07-04 20:37:360 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-07-04 20:37:240 現代密碼學依賴于兩種基本算法——非對稱密鑰和對稱密鑰。非對稱密鑰算法使用私鑰和公鑰的組合，而對稱算法僅使用私鑰，通常稱為密鑰。雖然這兩種方法都可以成為數字安全策略的一部分，但每種方法都適用于特定
2023-06-28 10:22:39472 
N76E003使用雙串口，下載程序不穩定，有時檢測不到芯片
2023-06-19 06:18:02
本文提出了一種超高效率、高功率密度的功率因數設計校正(PFC)和非對稱半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應用程序。在升壓PFC設計中，采用了GaNSense功率ic，以實現更高的頻率
2023-06-16 08:06:45
工程師說道。
HK32U3009采用了ARM-Cortex和RISC-V異構雙核架構，填補國產異構多核MCU芯片技術空白。該芯片還帶有MMU硬件級系統資源訪問權限管理，采用自研IPC雙核通訊協議
2023-06-15 18:32:06
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
時間。
更加環保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環節產生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
供應PTS4842 MOS場效應管-30V/7.7A雙N溝道高級功率MOSFET，提供PTS4842雙mos管關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:45:17
、電機驅動安全穩定等特點，可大大提升剪發效率的同時兼顧安全性。小編將為大家介紹一套完整的電推剪方案。其中涉及，電源管理芯片，單片機，PCB文件等內容。
一．原理及組成部分：電機、刀頭、電路板、鋰電池
2023-06-07 15:49:31
產品簡介： 雙極性脈沖電源（正負脈沖）是在單脈沖電源的基礎上增加反向脈沖輸出，產品具備正脈沖、負（換向）脈沖、比例脈沖、間隔脈沖、計數脈沖、計時
2023-06-03 11:07:33
實現了一種基于非均勻非對稱定向耦合器的新型寬帶波長平坦3dB光耦合器。在1300-1600nm波長范圍內，實現了3 dB± 0.3 dB的分束比。
2023-05-30 17:04:261002 
AEROPULSE FS50工業級高功率飛秒激光器NKTAEROPULSE FS50工業級高功率飛秒激光器是NKT基于優異的的光子晶體光纖平臺的新型50W工業級飛秒光纖激光器。aeroPULSE
2023-05-24 14:02:03
JASPER X0高功率飛秒光纖激光器JASPER X0高功率飛秒光纖激光器可提供能量高達 100 μJ 和 60 W 平均功率的脈沖。該激光器內置真正的單片全光纖放大振蕩器，可提供快速預熱時間
2023-05-24 10:23:46
Jasper Flex高功率飛秒光纖激光器 Jasper Flex高功率飛秒光纖激光器是用于微處理的新型高功率飛秒激光器。其緊湊的尺寸使其更易于使用和集成到
2023-05-24 10:14:45
1.是N溝道，耗盡型的場效應管，是耗盡型。像圖上這樣的話，帶？的那端應該是什么極？是源極還是漏極？
2.電路不接管子之前電流還可以，接上場效應管，上電就短路，焊下來后測量柵極和源極之間不導通，源漏
2023-05-16 14:24:38
，
邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯
輸出電平。 高速風筒專用電機驅動芯片其浮動通道可
用于驅動高壓側 N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作電壓可達 700V。高速風筒專用電機驅動芯片采用
SOIC8 封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內工作
2023-05-10 10:05:20
推薦一款雙功率橋電機驅動芯片，帶有精確的電流監控，電流控制和電流限制徹底解決傳統功率橋芯片電流控制復雜的問題。提高控制感性線圈負載的電流精度。內置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
有跡象表明客戶可以使用 KEK 來包裝密鑰
我“注入”到 SE05x 密鑰庫中。不幸的是，將密鑰注入零件不符合該客戶的要求。相反，他們可以使用 KEK 來包裝他們使用 sss_key_store_generate_key() API 在 SE05x 上生成的非對稱密鑰嗎？
2023-05-06 08:15:59
LPCMP 模塊有 2 種功耗模式——高功耗和低功耗模式。(CMP_HPMD 寄存器)
有什么區別？
使用低功耗模式有什么好處？
僅供參考，我僅將 LPCMP 模塊用于 WKPU。
所以我想知道哪種模式在待機時更好。
2023-05-05 11:41:23
我想知道 NXP 是否提供了使用加密模塊實現非對稱密鑰導入（RSA 或 ECC）的示例？
RTD 中的示例僅實現對稱密鑰導入 (AES)。
2023-04-28 06:54:24
接下來幾篇將做一個流水燈電路，本文是流水燈電路的第一節，介紹用反相器產生非對稱式多諧振蕩器。
2023-04-26 14:51:041438 
MASW-011087-DIE AlGaAs SP4T 反射式開關 MASW-011087 是一款高功率、對稱 SP4T 開關
2023-04-18 16:49:10
低阻低TCR高功率厚膜貼片電阻是一種被廣泛應用于電子設備中的電阻器件。它主要由薄膜電阻材料、基底材料、電極端子等組成。厚膜電阻器相比于薄膜電阻器具有更高的功率承載能力和更佳的溫度穩定性，因此常常
2023-04-18 14:45:16
我有 DNA 424 NFC 標簽，但遇到了問題。標簽是對稱加密的。這意味著我不能與其他想要獨立驗證掃描的來源共享密鑰（這是我的實現想要允許的）。更具體地說，該實現將使用區塊鏈，我不能將對稱密鑰放在
2023-04-14 06:21:54
作為高可靠性芯片連接技術，銀燒結技術得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導體頭部公司相繼推出類似技術，已在功率模塊的封裝中取得了應用。
2023-03-31 12:44:271882
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