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電子發燒友網>新品快訊>飛兆開發出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET

飛兆開發出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET

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2023-06-07 10:32:074304

請教下P溝道mos管恒壓電源電路

*附件:power1.pdf 遇到一個電源板無法供電故障,此電源電路采用P溝道MOS限流保護設計。正常啟動時Q14柵極上電慢,低于源極,MOS管導通,經過后級U9基準和U27運放組成恒壓源電路,限制
2023-06-05 22:50:12

MOSFET對使單刀雙擲開關變得簡單

借助 n 溝道和 p 溝道 MOSFET,您可以輕松地實現單刀雙擲 (SPDT) 開關,以隔離電路的一部分,并在電路其余部分關閉時從次級電源為其供電,以便待機工作 (圖1 )。通過使用互補對,您可
2023-05-31 17:49:243200

看完這篇,4個步驟快速完成MOSFET選型

為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中,當一個MOSFET接地,而負載連接到干線電壓上時,該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中,應采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173

光電傳感器WL-CSP封裝芯片底部填充膠應用

光電傳感器WL-CSP封裝芯片底部填充膠應用由漢思新材料提供光電傳感器芯片(CCD)經過聯系客戶工程技術和研究其提供的封裝工藝流程。了解到以下信息。客戶用膠項目是:光電傳感器芯片(CCD
2023-05-18 05:00:00546

ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET

ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372

如何使用P/N溝道MOSFET構建通用全橋或H橋MOSFET驅動電路

在本文中,我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路,該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288

CSP2510C 數據表

CSP2510C 數據表
2023-04-26 19:29:441

以工藝見長的東芝N溝道功率MOSFET為電源效率賦能

MOSFET是以金屬層(M)柵極隔著氧化層(O)利用電場效應來控制半導體(S)的場效應晶體管,其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同,MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型,通常又稱為N型MOSFET(NMOSFET)和P型MOSFET(PMOSFET)。
2023-04-13 09:40:30691

碳化硅SiC MOSFET:低導通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導通電
2023-04-11 15:29:18

N32G430C8L7_STB開發

N32G430C8L7_STB開發板用于32位MCU N32G430C8L7的開發
2023-03-31 12:05:12

FDMQ8203

GreenBridgeTM系列高效橋式整流器 雙N溝道和雙P溝道PowerTrench ?MOSFET N溝道:100 V,6 A,110 mΩP溝道:-80 V,-6 A,190 mΩ
2023-03-29 15:07:20

AUIRF2804WL

MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL
2023-03-29 10:49:46

LTC7001 N溝道MOSFET柵極驅動器參數介紹

LTC7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器,選用高達 135V 的輸入電壓作業。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內部充電泵,因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45514

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