耐壓30V降壓恒壓芯片的工作原理如下：
該芯片內(nèi)部集成了開關(guān)管和同步整流管，通過它們進(jìn)行電壓的轉(zhuǎn)換，將輸入的30V電壓降至所需的輸出電壓（如12V或5V）。在工作過程中，該芯片通過PWM
2024-03-22 11:31:10
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:58
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:19:400 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 近日，國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19558 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07187 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 650V 高壓 MOSFET 和高壓啟動(dòng)電路
?優(yōu)化輕載噪音、提升系統(tǒng)抗干擾能力
?多模式控制、無異音工作
?支持降壓和升降壓拓?fù)??默認(rèn) 12V 輸出 (FB 腳懸空)
?待機(jī)功耗 <
2024-03-12 14:25:14
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“瞻芯電子”）近期取得了一項(xiàng)重要的技術(shù)突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，分別為650V 40mΩ規(guī)格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:18222 在科技不斷進(jìn)步和新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅速崛起的當(dāng)下，高效、穩(wěn)定且符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的電子元器件成為市場的迫切需求。上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“瞻芯電子”）憑借其深厚的碳化硅（SiC）半導(dǎo)體技術(shù)積累，成功開發(fā)
2024-03-07 09:37:27150 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個(gè)引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場景。
2024-02-01 10:50:02364 150V高耐壓降壓芯片是一種電源管理芯片，其主要功能是將輸入電壓降低到較低的輸出電壓。以下是一般的高耐壓降壓芯片的工作原理：
輸入電壓穩(wěn)壓：首先，芯片會(huì)接收輸入電壓，這個(gè)電壓可能來自電池、電源適配器
2024-01-26 14:13:26
近日，廣東致能科技團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)等等合作攻關(guān)，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試平臺(tái)，成功在6英寸藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24365 
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 
3AC400V變頻異步電機(jī)，連續(xù)工作的允許耐壓值是多少呢？
比如說，變頻器的直流母線電壓是650V的狀態(tài)下，3AC400V的電機(jī)能受得了嗎？
2024-01-09 07:20:21
基于SiC功率器件的整機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)解決方案，各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到國際水平，提供各類規(guī)格參數(shù)的SiC MOS定制化服務(wù)。
2024-01-04 17:30:53271 
IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35270 
產(chǎn)品概述：DK045G 是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開關(guān)芯片。DK045G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（V DS ）,當(dāng) V DS
2023-12-16 12:01:21
PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:04361 SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
650A 1700V SIC HALF-BRIDGE
2023-12-13 05:43:29
650V高壓低功耗非隔離電源芯片，默認(rèn)輸出12V，最大電流2A，具有輸出可設(shè)置3-24V
2023-12-01 19:19:030 11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
SL3038的輸入電壓范圍為4.5V至150V，使得它能夠適應(yīng)各種不同的電源電壓。這意味著您可以在不同的輸入電壓下使用SL3038，從而實(shí)現(xiàn)更靈活的應(yīng)用。
2. 高耐壓能力
SL3038的最大
2023-11-28 17:03:22
、Buck-Boost 變換器拓?fù)鋺?yīng)用。 BP8523D 內(nèi)部集成了 650V 高壓 MOSFET、高壓啟動(dòng)和自供電電路、電流采樣電路、電壓反饋電路以及續(xù)流二極管!采用先進(jìn)的控制技術(shù)，無需外部 VCC
2023-11-21 10:32:19
IGBT MODULE 1700V 4150W
2023-11-20 12:17:01
有沒有高輸入阻抗低供電電壓3V的JFET運(yùn)放
供電電壓只有3V
2023-11-20 06:54:00
SIC MOS TO247-4L 650V
2023-11-01 14:52:40
、1700V碳化硅開關(guān)以及其它衍生出的750V、900V和現(xiàn)在1250V耐壓的PowiGaN開關(guān)。 Power Integrations專有的1250V PowiGaN技術(shù)的開關(guān)損耗不到相同電壓下同等硅器件開關(guān)損耗的三分之一
2023-10-31 16:54:481866 SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58208 
耐壓5V IO 在高電平驅(qū)動(dòng)LED時(shí)弱亮說明耐壓5V I/O口在上電期間及NRST為low時(shí)，導(dǎo)致高電平驅(qū)動(dòng)方式時(shí)的LED弱亮
2023-10-19 08:00:37
電源中，由于母線電壓和功率不同，一般會(huì)選用單管反激或雙管反激拓?fù)洌瑹o論那種拓?fù)涠茧x不開核心的功率器件，即1500V~1700V 功率MOS。
2023-10-16 11:38:05759 
實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和穩(wěn)定銷售，主要應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、通訊電源等大功率、高頻、高效率領(lǐng)域。
附：華潤微電子SiC SBD產(chǎn)品列表
附：華潤微電子SiC SBD料號(hào)列舉
650V SiC
2023-10-07 10:12:26
Ω? ? 650V? ?? ? SOP7? ?? ?? ?? ?? ? SIC9773? ?? ?0.9? ?? ?? ?4.5Ω? ? 650V? ?? ? SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:37263 芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應(yīng)速度更快、體積縮小、壽命延長等，對(duì)提升車輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:31285 
對(duì)于SiC功率MOSFET技術(shù)，報(bào)告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57428 650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:17964 
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款工業(yè)級(jí)第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續(xù)在碳化硅 (SiC) 領(lǐng)域
2023-07-28 14:21:34
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
開關(guān)電源芯片U6773D內(nèi)置5A 650V 的MOS，支持準(zhǔn)諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應(yīng)用，僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:01612 ）—— “ TRSxxx65H 系列” 。首批12款產(chǎn)品（均為650V）中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開始支持批量出貨。 新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種
2023-07-13 17:40:02184 
圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量，可提升全負(fù)載條件下
2023-07-05 16:00:20
電壓：650V 電流：6A 碳化硅二極管MSL06065G1，碳化硅二極管，耐壓650V，150℃連續(xù)正向電流6A，工作溫度范圍-
2023-07-05 15:54:11
*6 電壓：650V 電流：6A 碳化硅二極管MSL06065G1，碳化硅二極管，耐壓650V，150℃連續(xù)正向電流6A，工作
2023-07-05 15:50:06
ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:18273 
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨(dú)立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實(shí)際外延規(guī)范將肖特基二極管降級(jí)為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設(shè)計(jì)的，以盡量減少電容電荷，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變。
2023-06-16 11:42:39
前幾天，三一集團(tuán)的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄（.點(diǎn)這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰，今天答案正式揭曉！
2023-06-14 18:19:55855 潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 ，1700V，60A，SIC，這個(gè)管子的Qg是256nC，Rg=1.8Ω，tdon和tr分別為52ns和32ns。IXDN609SI的一部分參數(shù)和驅(qū)動(dòng)的電路原理圖如下
目前的狀況是ACPL-333J的輸出
2023-06-10 15:32:20
在我的項(xiàng)目中，我需要用 18650 電池為 esp12 供電。
我試過使用帶有 1uF 電容（Vin-GND、Vout-GND）的 mcp1700 3.3v，
此設(shè)置使 esp 無法啟動(dòng)，所以我嘗試
2023-05-31 07:36:54
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
根據(jù)公司披露：上海瀚薪具備多年的車規(guī)級(jí)SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發(fā)及量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。量產(chǎn)產(chǎn)品均在各市場龍頭企業(yè)得到認(rèn)可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍
2023-05-25 10:34:27903 
非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT
2023-05-25 00:25:01322 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
2023-05-24 15:19:34447 
Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300 鈺泰ETA9880/9881/高輸入耐壓5V2.4A
ETA9880，20V輸入耐壓，2.4A Charger+2.4A/5V Boost+電量指示，兼容替代ETA9870，適用于移動(dòng)電源等集成開關(guān)
2023-05-18 16:58:36
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23463 UJ3N065080K3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UJ3N065080K3S 是一款 650 V、80 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常開 JFET 晶體管。該器件具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS
2023-05-15 09:35:18
UJ3N065025K3S 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UJ3N065025K3S 是一款 650 V、25 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常開 JFET 晶體管。該器件具有超低導(dǎo)通電
2023-05-15 09:27:58
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 1700V 50A SIC SBD PARALLEL
2023-03-29 15:19:22
SIC SCHOTTKY DIODE 1700V TO247-2
2023-03-29 15:13:55
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
650V 6A SIC SBD
2023-03-27 14:50:34
1700V 15A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
2023-03-27 14:49:29
SIC DIODE TO220 650V
2023-03-27 14:49:15
DIODE SIC SCHOTTKY 1700V 10A
2023-03-27 14:48:42
10A, 1700V, G5 ZREC SIC SCHOTTKY
2023-03-27 14:48:35
SIC DIODE 650V
2023-03-27 14:48:27
SIC DIODE 650V
2023-03-27 14:46:13
SIC DIODE 1700V 25A TO-247-2
2023-03-27 14:44:42
SIC DIODE 650V 4A
2023-03-27 14:43:20
SIC DIODE 650V
2023-03-27 14:41:39
650V 4A SIC SBD
2023-03-27 14:41:37
650V 4A SIC SBD
2023-03-27 14:41:36
650V AUTOMOTIVE SIC DIODE
2023-03-27 14:40:02
SIC DIODE 650V
2023-03-27 14:39:50
650V 8A SIC SBD
2023-03-27 14:39:50
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
2023-03-27 14:39:35
GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
2023-03-27 14:31:48
650V 120M SIC MOSFET
2023-03-27 14:31:11
SIC DIODE 650V
2023-03-27 13:53:41
SIC DIODE 1700V 5A TO-247-2
2023-03-27 13:46:43
SIC DIODE 650V
2023-03-27 13:36:01
SIC DIODE 650V
2023-03-27 13:34:53
1700V 25A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
2023-03-27 13:34:26
DIODE SIC SCHOTTKY 1700V 50A
2023-03-27 13:30:39
650V 4A SIC SBD
2023-03-27 13:28:41
MOS GATE DRIVER 62MM 1700V SIC
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