安森美（onsemi）全新推出的EliteSiC功率集成模塊，可為電動汽車直流超快速充電樁提供雙向充電功能。
2024-03-21 09:59:25
279 安森美（onsemi）近日宣布成立全新的模擬與混合信號事業部（AMG），以進一步加強其在電源管理和傳感器接口領域的市場地位，并瞄準價值193億美元的新增市場。該事業部由新任命的總裁Sudhir Gopalswamy領導，他將帶領團隊專注于擴大安森美的產品組合，并加速公司在汽車、工業和云端市場的增長。
2024-03-15 09:53:21103 安森美(onsemi)（納斯達克股票代碼：ON）宣布成立模擬與混合信號事業部（AMG），并由新任命的事業部總裁SudhirGopalswamy領導。
2024-03-13 16:09:40129 信號事業部（AMG），并由新任命的事業部總裁Sudhir Gopalswamy領導。該事業部將專注于擴大安森美行業領先的電源管理和傳感器接口產品組合，解鎖價值193億美元的新增市場，并加速公司在汽車、工業和云端市場的增長。 ? ? 此外，Simon Keeton晉升為電源方案事業部（PSG）的總裁。
2024-03-13 14:03:1142 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在過去的2023年，國產SiC功率器件產品迎來了全面爆發，眾多廠商宣布入局或是推出車規級SiC MOSFET產品，尋求打進汽車供應鏈。而今年春節后的新一輪新能源汽車降價
2024-03-13 01:17:002631 
安森美，智能電源和智能感知技術的領軍企業，今日宣布推出SPM31智能功率模塊（IPM），該模塊采用了創新的場截止第7代（FS7）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）技術。SPM31 IPM以其更高的能效、更小的尺寸和更高的功率密度，顯著降低了總體系統成本，為行業樹立了新的標桿。
2024-03-01 09:53:53163 三菱電機集團近日（2024年2月27日）宣布，將于2月28日開始提供其新型6.5W硅射頻（RF）高功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）樣品，用于商用手持式雙向無線電（對講機）的射頻高功率放大器。
2024-02-28 18:18:46910 在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。
2024-02-23 09:38:53343 
樁中決定充電效率和能量轉化的關鍵元件是IGBT和MOSFET。在各類半導體功率器件中，未來增長最強勁的產品將是MOSFET與IGBT模塊。MOSFET和IGBT區別以
2024-02-19 12:28:04191 
2024 年 1 月 22 日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 于2023年新增64家供應商，產品代理陣容進一步擴大
2024-01-24 17:07:13107 功率MOSFET是一種廣泛應用于電力電子轉換器的高性能開關器件。它具有高輸入阻抗、低導通電阻、快速開關速度和良好的熱穩定性等特點，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統中發揮著重要作用。 結構
2024-01-17 17:24:36294 
電子發燒友網站提供《FP6151內置內部功率MOSFET產品手冊》資料免費下載
2024-01-15 14:47:23
0 2024年1月8日--領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出九款全新 EliteSiC 功率集成模塊 (PIM)，可為電動汽車 (EV) 直流超快速充電樁和儲能系統 (ESS) 提供雙向充電功能。
2024-01-08 18:04:37464 此外，安森美全面的PIM產品陣容覆蓋了市場關鍵的拓撲類型，且允許設計師們運用PLECS模型自助生成工具生成PLECS模型。該產品組合中配備的ElitePower仿真工具為應用仿真的有效工具。
2024-01-08 14:35:51183 太陽誘電使用具有高直流飽和特性的金屬磁性材料，擴充了具有小型化、薄型化優勢的多層型金屬功率電感器 MCOIL?LSCN 系列的產品陣容。
2024-01-06 15:13:52544 
本文將通過圖文及視頻的形式為各位介紹太陽誘電功率電感器產品陣容、特點&優勢、基礎信息等。
2024-01-05 12:20:28142 
V 功率 MOSFET 的半導體制造商，采用全新系統和應用優化的OptiMOS 7 MOSFET 技術。新產品創建行業新基準，我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉換領域邁出新的一步, 釋放更優秀系統效率和性能，賦能未來。
2023-12-29 12:30:49362 
遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒有GaN MOSFET產品？下面我們來簡單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區別 ? 首先我們從襯底材料來看看SiC和GaN功率器件的區別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361219 如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
2023-12-06 18:22:24522 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 功率MOSFET在電力電子設備中應用十分廣泛，因其故障而引起的電子設備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對于MOSFET的進一步推廣應用具有重要意義。
2023-12-04 15:57:241113 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問題1：在功率MOSFET管應用中，主要考慮哪些參數？在負載開關的功率MOSFET管導通時間計算，通常取多少比較好？相應的PCB設計，銅箔面積布設多大散熱會比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎認識
2023-11-23 09:06:38407 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
功率MOSFET選型的幾點經驗在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應理論技術文章有很多介紹MOSFET參數和性能的，這里不作贅述，只對實際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產品 IXTY2P50PA。這個創新的產品設計能滿足汽車應用的嚴苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 汽車電子MOSFET發展的一個最終方向是提高感測、控制和保護功率開關的性能。功率器件正集成到智能化車載系統中。現在在最低功率級別，MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
體積也在不斷擴大，因此為了在機身內部的有限空間中裝載部件，要求電源電路的小型化。在這樣的電源電路中，需要具有能夠支持大電流化的小型、薄型的功率電感器。
2023-10-20 10:33:05169 
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已經發展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 在過去的十幾年中，大功率場效應管引發了電源工業的革命，而且大大地促進了電子工業的發展。由于MOSFET管具有更快的開關速度,電源開關頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
-與本公司以往產品相比體積減少約3成，有助于智能手機的電源電路小型化- ? ? 太陽誘電株式會社開始了多層型金屬功率電感器MCOIL? LSCN系列“LSCND1412HKTR24ME
2023-09-26 10:56:06502 
如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
2023-09-18 16:54:35590 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
2023年9月14日，為進一步擴大其網絡化制播（Networked Live）解決方案的產品陣容，索尼今天發布了兩款新產品
2023-09-14 14:17:55517 1 功率分立產品概述
2 IGBT 產品系列
3 HV MOSFET 產品系列
4 SiC MOSFET 產品系列
5 整流器及可控硅產品系列
6 能源應用
2023-09-07 08:01:40
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431202 
功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例，詳細說明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
閃爍噪聲，也稱為1/f噪聲，是由于導體接觸點電導的隨機漲落引起的。在低頻區域，這種噪聲功率譜密度與頻率成反比，因此，它對電路的影響可能更加顯著。
在RF振蕩器中，閃爍噪聲尤其可能占主導地位。這可
2023-09-01 16:59:12
功率半導體自20世紀50年代開始發展起來，至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產品體系。新技術、新產品的誕生拓寬了原有產品和技術的應用范圍，適應更多終端產品的需求，MOSFET同樣衍生出GaN，SiC新型材料的產品去覆蓋更高功率密度、更高電壓、以及高開關速度的應用場景。
2023-08-31 14:14:071044 
明星產品不容錯過（查看第一日精彩報道 ） 1200 V M3S EliteSiC MOSFET 第7代IGBT(FS7 IGBT) 用于電動汽車主驅逆變器的VE-Trac系列 25 kW電動汽車充電
2023-08-31 11:40:01386 
雪崩強度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
為了劃分所涉及的功率并創建可以承受更多功率的器件，開關、電阻器和 MOSFET 并聯連接。
2023-08-29 11:47:48302 
功率MOSFET數據表參數
2023-08-24 09:13:06552 
計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產品領
2023-07-20 18:01:24663 
證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方
2023-07-19 11:15:03421 
同時實現業界超快反向恢復時間和業界超低導通電阻，可進一步降低工業設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 及產業化項目、研發中心建設及第三代半導體功率器件研發項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業，主要產品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發及產業化項目、研發中心建設及第三代半導體功率器件研發項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業，主要產品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
產品陣容（IE850 for RH850）和可選產品
2023-07-05 19:10:500 安森美 準諧振反激控制器 產品介紹：NCP1342準諧振反激控制器是一種高度集成的高頻PWM(脈寬調制)控制器，旨在簡化高性能脫機功率變換器的設計。NCP1342控
2023-07-05 15:44:15
安森美65W氮化鎵PD充電器芯片 產品介紹：NCP1342準諧振反激控制器是一種高度集成的高頻PWM(脈寬調制)控制器，旨在簡化高性能脫機功率變換器的設計。NCP13
2023-07-05 15:24:23
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區（對應GTR的截止區）;飽和區（對應于GTR的放大區）;非飽和區（對應于GTR的飽和區）。功率MOSFET在開關狀態下工作，即截止區域和不飽和區之間的轉換
2023-07-04 16:46:37975 
安森美 NCV8415自保護低側MOSFET驅動器是三端保護的智能分立FET，適用于嚴苛的汽車環境。NCV8415元件具有各種保護特性，包括用于Delta熱關斷、過電流、過溫、ESD和用于過壓保護的集成漏極-柵極鉗位。該器件還通過柵極引腳提供故障指示。下面AMEYA360電子元器件采購網詳細介紹。
2023-07-04 16:24:15266 
產品陣容（IE850 for V850E2M）和可選產品
2023-06-30 20:30:150 ，需要更多的制造測試能力。除了成熟的半導體ATE供應商之外，許多公司正在開發產品以滿足功率MOSFET測試需求。
2023-06-30 11:26:16878 
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導通損壞和VGS尖峰誤觸發導通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導體場效應晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開關型應用中，發揮著開關的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 
點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-16 14:40:01389 
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT
2023-06-16 14:39:39538 
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。
2023-06-16 14:38:03228 
UTC 10N65-ML是一款高壓功率MOSFET，它結合了先進的溝槽MOSFET，設計具有更好的特性，如快速開關時間、低柵極電荷、低導通狀態電阻和高崎嶇雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于開關電源和適配器的高速開關應用。?
2023-06-14 16:45:450 高速公路服務區的重要基礎設施，確保電動汽車在日常駕駛和長途旅行中有地方充電。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列產品，通過優化器件結構設計，采用先進的工藝制造技術，進一步提高了產品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-08 20:45:02281 
PRISEMI芯導產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
我們將討論設計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數，還分析了雙極結型晶體管（BJT）和MOSFET特性之間的差異，并了解了為什么MOSFET更適合功率放大器應用并使其更有效。
2023-06-05 09:07:19737 
ROHM在PMDE封裝二極管的產品陣容中又新增14款新機型，可滿足車載、工業設備和消費電子設備等各種應用的小型化需求。PMDE封裝是ROHM自有的小型封裝，具有與普通SOD-323封裝相同的焊盤圖案
2023-05-25 00:15:03432 
分享功率MOSFET驅動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
這款簡單的MOSFET功率音頻放大器電路具有TL071C和2個MOSFET（IRF9530和IRF530），可在45Ω揚聲器上提供高達8W的功率，在70Ω揚聲器上提供高達4W的功率。該原理圖
2023-05-23 16:50:331164 
同步整流技術就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術,就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現該系列產品
2023-05-17 13:35:02471 
MOSFET 和 二極管 ，用于可擴展的電動汽車（EV）充電樁。雙方此項合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產品在內的各種功率半導體技術，開發電動汽車充電方案套件。這些器件將用于 有源
2023-05-17 12:15:02249 
TDK提供有一般等級和車載等級的NTC熱敏電阻。 原文標題：NTC熱敏電阻產品陣容 文章出處：【微信公眾號：TDK中國】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
2023-05-16 15:20:02360 
功率MOSFET的雪崩強度限值是衡量器件針對于感性負載在開關動作應用中的重要參數。 清楚地理解雪崩強度的定義，失效的現象及評估的方法是功率MOSFET電路設計必備的能力。 本文將以下面三個方面進行探討。
2023-05-15 16:17:451133 
在功率MOSFET的數據手冊中會有一個看似復雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個安全工作區域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311174 
數據手冊就是電子元件的使用說明書，在電路設計之前，十分有必要通讀數據手冊，并了解產品的重要性能參數。在MOSFET的數據手冊中極限值表格中的總功率損耗Ptot就是一個十分有趣的參數。說它有趣是因為
2023-05-15 16:10:25626 
）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長續航里程。 極氪將采用安森美的 M3E 1200V ?EliteSiC MOSFET ，以配合其不斷擴大的高性能純電車型產品陣容，實現更強的電氣和機械性能及可靠性。這
2023-05-11 20:16:29276 
功率MOSFET怎樣關斷？能否用PWM實現？怎樣實現？
2023-05-08 16:16:27
我正在通過 WiFi 將 ESP32 連接到 WiFi 路由器。我在兩端都使用了非常高增益的天線，它們并排放置。避免損壞 ESP-32 上的 RF 引腳。我想知道 ESP-32 的 RF 引腳 (LNA_IN) 上的最大輸入功率。
2023-04-25 07:08:12
UF2840GRF 功率 MOSFET 晶體管 5W，100-500 MHz，28VRF 功率 MOSFET 晶體管 5W，100-500 MHz，28V 特征N
2023-03-31 10:39:17
安森美（Emerson）是一家跨國工業制造和技術公司，其產品線涵蓋了控制、自動化、機電設備、獨立氣動產品以及流量、壓力、溫度、液位等傳感器等領域。
2023-03-30 17:55:07549 安森美收購了哪些公司 安森美產品線優勢有哪些 安森美On Semiconductor Corporation于1999年根據特拉華州法律注冊成立。該公司及其子公司從事節能電子驅動創新業務。公司
2023-03-29 17:54:283054 
這些關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心。 安森美員工在每天的工作中不懈尋求靈感，致力于通過高質量、高價值的產品和服務，助力各方利益相關者們實現增值。 安森美半導體總部在美國亞利桑那州斯科茨代爾，在全球有員工約33，000人，2022年全年收
2023-03-29 16:21:523015 安森美功放管解讀 安森美功放管怎么樣 安森美功放管優缺點 功放管主要用于傳導電流。功放管作為一種功率放大器，用來放大電流和電壓，從而增強信號的強度。它可以加強輸出電流和電壓，使信號發出更加強大的功率
2023-03-29 16:09:5815076 的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13
安森美半導體怎么樣？安森美是哪國的？ 有人問小編安森美半導體怎么樣？安森美是哪國的？其實行業內人士都知道美國公司安森美半導體實力很強悍，安森美是美國公司；并且在納斯達克上市。 安森美是哪國
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