意法半導體（ST）推出擁有高可靠性、高能效的新系列功率產品電晶體，可支援科技企業滿足日益嚴格的生態設計標準的要求，鎖定太陽能微逆變器、太陽能串列式逆變器（photovoltaic string inverter）以及電動車等綠色能源應用。

　　新元件包括業界首個可承受950V峰值電壓的超接面（super-junction）電晶體（MOSFET）、同類產品中能效最高的900V電晶體以及市場上唯一採用省空間PowerFLAT 8×8 HV超薄封裝的850V元件。超接面技術可提高MOSFET的工作電壓，降低導通電阻-晶片尺寸比，使電源產品在縮減總體封裝尺寸的同時提高系統可靠性和能效。

　　意法半導體是超接面MOSFET的主要供應商，提供市場上額定電壓最高的解決方案，同時還是市場上僅有的兩家900V超接面電晶體供應商之一。此外，該系列產品不久后將增加新款800V元件。

　　在展示SuperMESH 5元件的高能效的同時，意法半導體還公佈了首個成功應用超高壓MOSFET的客戶設計。意大利固態??照明創新企業TCI在其最新的LED驅動器設計中採用LEDIPAK封裝的950V STU6N95K5做主電源開關，為設計先進且功能豐富的LED照明燈提供電源，使其成為高成本效益的小型LED照明市場的能效標竿。意法半導體功率電晶體產品部行銷總監Maurizio Giudice表示：「意法半導體最新的SuperMESH 5技術讓TCI在市場建立最高的能效和安全係數，為客戶提供極具吸引力的價值主張。」

　　意法半導體新的超接面MOSFET的其它主要應用包括平面電視、PC電源、LED照明驅動器及氣體放電式燈（High Intensity Discharge Lamp，HID）的電子安定器（electronic ballast）。MOSFET將讓設計人員能夠達到能源之星和歐洲的能源相關產品法規（ErP） 等生態設計標準中日益嚴格的能效上限和下限要求。

　　例如，最新能源之星電視產品技術要求（5.3版）提出了更嚴格的生態設計規定，50吋以上的平面電視的最大絕對功率為108.0瓦。同時ErP的照明法規提高了2012-2017年間製造的各類HID燈的能效下限標準。

　　意法半導體新的超接面MOSFET耐高壓特性可提高系統安全性和可靠性。對于HID燈安定器和其它以電源線或更高電壓為電源的系統，例如太陽能微逆變器和電動汽車充電站，耐高壓是一個重要優勢。為最大幅度減少電動汽車的充電時間和工作成本，充電站需要極高的功率轉換效率。在微型發電機逆變器內，高能效的 MOSFET讓設計人員能夠使用更高的開關頻率，輸出高品質的AC電能，同時降低能耗和解決方案尺寸。

　　SuperMESH 5 MOSFET的主要特性：

　　新的MOSFET電晶體是首批採用意法半導體的SuperMESH 5第五代超接面技術的產品。新產品包括採用不同封裝的900V STx21N90K5、950V STx20N95K5以及950V STx6N95K5。STL23N85K5 850V採用PowerFLAT 8×8 HV高壓表面貼裝封裝，占板面積為64mm2，較工業標準的D2PAK封裝小56%。此外，這款產品的高度為1mm，較工業標準的D2PAK封裝低77%，適用于超薄型應用設計。

　　900V STP21N90K5的靈敏值（Figure of Merit，FOM）反映了該產品開啟電源以及開啟和關閉時的總體能效，較市場上唯一可比產品低62.5%。如果不使用其它品牌而選用STP21N90K5，設計人員即可大幅提高能效。

　　新SuperMESH 5產品已開始提供樣品或接受訂單。