電子發燒友網站提供《30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 14:11:23
0 耐壓30V降壓恒壓芯片的工作原理如下：
該芯片內部集成了開關管和同步整流管，通過它們進行電壓的轉換，將輸入的30V電壓降至所需的輸出電壓（如12V或5V）。在工作過程中，該芯片通過PWM
2024-03-22 11:31:10
器件采用SOP8封裝。**詳細參數:**- **溝道類型:** P溝道- **額定電壓:** -30V- **額定電流:** -11A- **導通電阻:** 10m
2024-03-19 14:55:57
電路和系統。
DC-DC30V降壓24V、12V、5V、3.3V/1A H4110降壓穩壓芯片
產品描述
H4110是一種內置30V耐壓MOS，并且能夠實現精確恒壓以及恒流的異步降壓型 DC-DC
2024-03-19 10:28:19
AH8696是一款非隔離AC-DC大電流轉換芯片，適用于220V降12V 500mA的電源方案。這款芯片具有高效、穩定、安全等特點，廣泛應用于各種電子設備的電源供應需求。AH8696采用先進
2024-03-12 14:25:14
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 被拉低，系統關機，此時流入芯片內部的電流小于0.1uA，進入低功耗待機模式。H6392采用ESOP-8封裝，可為產品應用加強散熱裝置。
產品特征
l 輸出可調，最高可達12V
l 支持輸入電流可調范圍
2024-03-12 10:04:27
MX6501T+MXPP8-30-1103套片實現一拖二的12V轉12V隔離驅動方案或者MX6501T+MXPP8-30-1250套片實現一拖二的5V轉12V隔離驅動方案，原理圖如下所示：
由于MX6501T
2024-03-07 22:01:45
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
**AP2309GEN-VB****絲印：** VB2355 **品牌：** VBsemi **參數：** SOT23；P—Channel溝道, -30V；-5.6A；RDS
2024-02-19 16:52:37
壓的應用需求。
產品特性
l內置30V耐壓MOS,支持2.5V-24V輸入
l低靜態電流：100uA
l輸出電流：16~2000mA
lPWM調光：最高頻率25KHz，分辨率可達1000：1
l輸出電流精度
2024-02-01 16:44:39
150V轉3.3V 5V 12V 等不同的輸出。
恒流主要是：各種照明場景，包括：舞臺燈 車燈 攝影燈 球泡燈 臺燈 投影儀 磁吸燈 吸頂燈等等，它們有大功率，大電流，發熱小，共陽等特性，往往需要12V
2024-01-20 15:30:35
二極管至輸出電感到GND存在電流通路，
由于存在此電流通路，啟動時芯片內部應該啟動保護了，再也啟動不了了。
目前的解決辦法：在-12V輸出并聯了一只肖特基二極管（導通壓降為0.2V）將上述通路進行旁路后
2024-01-05 13:22:35
在雙電源±15V的供電的狀態下，ADG1408的模擬通道能輸入30V（相對GND）的模擬電壓嗎？
2024-01-05 12:57:40
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 請教下是否可以使用ADP7142將開關電源的12v轉化為12v高精度的線性電源，效果怎么樣呢？
2024-01-04 07:27:47
ADP5070 ,輸入12V，可以輸出±12V嗎？這樣的設計是否OK?
2024-01-04 07:03:33
型號：RSR025P03TL-VB絲印：VB2355品牌：VBsemi參數：- P溝道- 最大耐壓：-30V- 最大電流：-5.6A- 靜態導通電阻：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V
2023-12-20 15:58:08
型號：IRF9317TRPBF-VB絲印：VBA2305品牌：VBsemi參數：- P溝道- 最大耐壓：-30V- 最大電流：-15A- 靜態導通電阻：5mΩ @ 10V, 8mΩ @ 4.5V
2023-12-20 15:25:28
ADAS3022 VDDH和VSSH設為+12V和-12V對性能有影響嗎
2023-12-19 06:22:37
型號: HM4447-VB絲印: VBA2305品牌: VBsemi參數:- 溝道類型: P溝道- 額定電壓: -30V (負值表示P溝道)- 最大電流: -15A (負值表示P溝道)- 靜態導通電阻
2023-12-15 09:44:05
ST2341S23RG (VB2355)參數說明：P溝道，-30V，-5.6A，導通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23。應用簡介
2023-12-13 11:01:02
支持最大2.5A的輸出電流，可以滿足大部分電源應用的需求。
該芯片的最大特點是其降壓能力，可以將40V的輸入電壓降至12V或5V，具有非常廣泛的應用范圍。由于其精度高、穩定性好、響應速度快等優點
2023-12-12 16:11:08
SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)參數說明：P溝道，-30V，-5.6A，導通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23
2023-12-09 15:02:20
P2402CAG (VB7322)參數說明:極性：N溝道；額定電壓：30V；最大電流：6A；導通電阻：30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V；門源電壓范圍：20Vgs (±V)閾值電壓
2023-12-08 16:34:43
NTR4502PT1G (VB2355)參數說明：P溝道，-30V，-5.6A，導通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23。應用簡介
2023-12-08 16:31:11
IRLML6401TRPBF (VB2290)參數說明：P溝道，-20V，-4A，導通電阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，門源電壓范圍12V(±V)，閾值電壓-0.81V，封裝：SOT23
2023-12-08 15:36:21
，森利威爾SL4010、SL4011、SL4012廣泛應用于鋰電池升壓5V、12V、30V等領域的DCDC升壓IC有著大功率、高轉換效率、低靜態電流等特點，森利威爾DCDC降壓恒流驅動芯片涵蓋了高端電流
2023-12-07 16:44:03
BSS308PE (VB2355)參數說明：P溝道，-30V，-5.6A，導通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23。應用簡介
2023-12-06 14:04:08
APM4435KC-TRL (VBA2317)參數說明:極性：P溝道；額定電壓：-30V；最大電流：-7A；導通電阻：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V；門源
2023-12-06 13:52:12
AO4805 (VBA4317)參數說明：2個P溝道，-30V，-8.5A，導通電阻21mΩ@10V，28mΩ@4.5V，門源電壓范圍12V(±V)，閾值電壓-1.8V，封裝：SOP8。應用簡介
2023-12-06 11:59:47
AO3407 (VB2355)參數說明：P溝道，-30V，-5.6A，導通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23。應用簡介
2023-12-06 11:52:49
我在閱讀AD5293數據手冊的時候，有的地方描述單電源供電的時候，VDD可以設置為9-33V。而在另外的地方描述VDD要設置為21V-30V。我現在設計的原理中輸入電源只有12V。因此想請問一下，AD5293在單電源供電的時候，VDD是否可以為12V，而VSS設置為0V(GND)呢。
2023-12-04 07:30:37
保護等功能，提高系統可靠性。 SL3038 采用SOP8 封裝。特點： 寬輸入電壓范圍：8V~150V 輸出電壓從4.2V 到30V 可調 支持輸出恒壓恒流 支持輸出12V/5A，5V/5A 高效率：可
2023-11-28 17:03:22
需要將一個有效值1MHz,3~4V的交流信號放大到10V左右，本來打算用AD811這款芯片。
買了幾片AD811JR，但是看到手冊上說
供應伏 18 V
AD811JR Grade Only±12 V這種封裝只能正負12V供電嗎？
請問有沒有別的類似的高帶寬壓扁率低噪聲的芯片可以用呢？
2023-11-24 08:26:32
在當今的電子設備中，電源管理系統的設計是非常重要的。為了保證設備的穩定運行，升壓和恒壓電源的應用已經成為不可或缺的一部分。在這篇文章中，我們將介紹森利威爾SL4010升壓恒壓電源，它可以實現12V
2023-11-23 15:27:08
/0.6A穩壓芯片
DCDC60V降壓12V/0.6A穩壓芯片是一種常見的電源管理芯片，它可以將輸入的60V直流電壓降低到12V，并輸出0.6A的電流。這種芯片通常采用PWM控制技術，具有高效率
2023-11-21 15:30:37
電路和外置場效應晶體管驅動電路等，具有外部元件少，電路簡單等優點。
當接通輸入電源后，FS4067進 入充電狀態，控制外置N溝道MOSFET導通，電感電流上升，當上升到外部電流檢測電阻設置的上限時，外置
2023-11-21 12:14:43
AD698可否±12V供電？
2023-11-21 06:19:28
的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻
2023-11-20 01:30:56189 利用AD5522怎么設計一個正負30V的PPMU? AD5522輸出電壓最大只能輸出正負11V左右。但我們客戶的需求是30V的。不知道用AD5522能否設計出30V的ppmu?。如果利用升壓電路可以解決，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何設計一個高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？
電流1ma之內即可。
2023-11-16 06:36:14
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10459 ? 中國上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備
2023-11-09 15:19:57663 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 型號 20P03絲印 VBE2338品牌 VBsemi詳細參數說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 26A 開通電阻（RDS(ON)） 33mΩ @ 10V, 46m
2023-11-06 11:24:18
型號 AP6679GH絲印 VBE2309品牌 VBsemi詳細參數說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 60A 開通電阻（RDS(ON)） 9mΩ @ 10V, 12
2023-11-06 09:41:12
型號 SI2323DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 5.6A 導通電阻 47mΩ @10V, 56m
2023-11-06 09:17:31
新潔能NCE30P12S NCE P通道增強模式電源MOSFET新潔能NCE30P12S，一款卓越的P通道增強模式電源MOSFET，采用前沿的溝槽技術，盡顯卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性
2023-11-05 09:54:550 型號 AOD425A絲印 VBE2317品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 40A 導通電阻 18mΩ@10V, 25mΩ@4.5V
2023-11-03 14:34:40
型號 FDS4435BZNL絲印 VBA2317品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 7A 導通電阻 23mΩ@10V, 29m
2023-11-03 14:04:50
型號 FDD6637絲印 VBE2309品牌 VBsemi參數說明 MOSFET類型 P溝道 額定電壓(VDS) 30V
2023-11-03 11:57:26
AO4409詳細參數說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 11A 導通電阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 門源
2023-11-03 11:37:23
MT4606詳細參數說明 極性 N+P溝道 額定電壓 ±30V 額定電流 9A (N溝道), 6A (P溝道) 導通電阻 15mΩ @ 10V (N溝道), 42mΩ @ 10V (P
2023-11-02 16:15:57
STM4639詳細參數說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 11A 導通電阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓
2023-11-02 09:37:49
型號 AO4425絲印 VBA2311品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 11A 導通電阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V
2023-11-01 10:37:54
型號 ME9435絲印 VBA2333品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 6A 導通電阻 40mΩ @10V, 54mΩ @4.5V
2023-10-28 14:24:47
AO3401A詳細參數說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 5.6A 導通電阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓
2023-10-28 11:08:48
30V 可調 支持輸出恒壓恒流 支持輸出12V/2A，5V/2A 高效率：可高達96% 工作頻率：140KHz 低待機功耗 內置過溫保護 內置軟啟動 內置輸出短路保護應用: 電瓶車定位器、電瓶車控制器、電瓶車USB充電器 POE分離器、平衡車電源供電原理圖:
2023-10-25 17:45:15
范圍：8V~150V 輸出電壓從4.2V 到30V 可調 支持輸出恒壓恒流 支持輸出12V/5A，5V/5A 高效率：可高達96% 工作頻率：140KHz 低待機功耗 內置過溫保護 內置軟啟動 內置輸出短路保護應用：電動車控制器、電動車防盜器、電動車定位器POE分離器、平衡車電源供電、電動車中控
2023-10-17 16:55:42
我們知道，SiC MOSFET現階段最“頭疼”的問題就是柵氧可靠性引發的導通電阻和閾值電壓等問題，最近，日本東北大學提出了一項新的外延生長技術，據說可以將柵氧界面的缺陷降低99.5%，溝道電阻可以降低85.71%，整體SiC MOSFET損耗可以降低30%。
2023-10-11 12:26:49611 
? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
AOS的 MRigidCSP 技術專為電池管理應用而定制。這項創新技術旨在降低導通電阻，同時增強機械強度。AOS 初提供 MRigidCSP 及其 AOCR33105E，這是一款 12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET。
2023-10-04 16:01:0093 
供應AP30H80K 30V 80A N溝道MOS管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供30H80K規格書參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 10:52:000 3.3V信號驅動12V的MOS，用什么電路
2023-09-25 06:06:06
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
12V升30V升壓芯片AH1160是一種電子元件，可以將電壓從12V升高到30V。此芯片內置了60V NMOS升壓型LED驅動器，可以有效地驅動LED燈。該芯片的反饋電流采樣電壓為250mV，可以用來監測LED驅動器輸出電流的值。
2023-09-14 10:27:59509
內置接VIN 腳。
特點
寬輸入電壓范圍：8V~120V
輸出電壓從4.2V 到30V 可調
支持輸出恒壓恒流
支持輸出12V/1.5A，5V/1.5A
高效率：可高達95%
工作頻率：140KHz
2023-09-07 15:32:21
可靠性。
SL3036H 采用ESOP8 封裝，散熱片內置接VIN 腳。
特點:
寬輸入電壓范圍：8V~120V
輸出電壓從4.2V 到30V 可調
支持輸出恒壓恒流
支持輸出12V/1.5A
2023-09-06 11:12:47
內置接VIN 腳。
特點
寬輸入電壓范圍：8V~120V
輸出電壓從4.2V 到30V 可調
支持輸出恒壓恒流
支持輸出12V/1.5A，5V/1.5A
高效率：可高達95%
工作頻率：140KHz
2023-09-06 10:25:09
。
SL3038 采用SOP8 封裝。
特點：
寬輸入電壓范圍：8V~150V
輸出電壓從4.2V 到30V 可調
支持輸出恒壓恒流
支持輸出12V/5A，5V/5A
高效率：可高達96%
工作
2023-09-05 09:57:04
10a，正常使用壓降到了3.1v。
求教:
電源12v輸出充足，能否再外掛一個dc-dc電路從電源取12v電，降壓到3.3v再直接并聯到電源3.3v？有什么dc-dc方案從12v降到3.3v
2023-08-26 06:45:26
供應AP18P30Q p溝道mos管 30v 20a 絲印:18P30Q，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP18P30Q規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:19:05
供應AP15P03Q PDFN3*3 P溝道-30v -12A vbus開關mos管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP15P03Q規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:13:54
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結MOS，由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要
2023-08-18 08:32:56513 
*附件：power1.pdf
遇到一個電源板無法供電故障，此電源電路采用P溝道MOS限流保護設計。正常啟動時Q14柵極上電慢，低于源極，MOS管導通，經過后級U9基準和U27運放組成恒壓源電路，限制
2023-06-05 22:50:12
AH6901芯片是一款高-效升壓芯片，能夠將輸入5V電壓升壓至12V電壓，被廣泛應用于各種電子產品中。該芯片采用了先進的策略控制技術和高壓硅管技術，能夠保持電路的高-效-性和穩定性。下面讓我們看看它
2023-06-02 14:42:00
我正在使用 ESP8266 來控制 12V LED 燈帶。
我使用三個引腳來控制 3 個 irlz34n MOSFET，它們調節 LED 條紋的 RGB 相位。ESP8266 和 LED 燈帶均由
2023-05-30 11:41:47
我有一個繼電器板，我正試圖用 sp8266 驅動它。
簡短的解釋是控制電路的輸入電壓為 5V，繼電器為 12V。
我將 12v 饋入繼電器，將 5V 饋入控制電路，同時將相同的電源饋入
2023-05-25 09:03:13
列產品的參考資料，助力您快速了解產品各項信息。 點擊下載產品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
請問CANbus至RS232協議轉換器能夠用30V電壓的電源嗎？
2023-05-09 11:03:26
ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
嗨，
我正在嘗試使用 2N7000 晶體管切換一些 12v 設備。整個電路工作正常，但我的 ESP 變得非常熱（超過 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之間只有下拉電阻。但是，我認為熱量
2023-04-28 06:59:43
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電阻
2023-04-11 15:29:18
軟啟動以及過溫保護電路，輸出短路保護，限流保護等功能，提高系統可靠性。SL3036D 采用ESOP8 封裝，散熱片內置接VIN 腳。特點 寬輸入電壓范圍：8V~55V 輸出電壓從4.2V到30V 可調
2023-04-04 15:38:53
中國上海， 2023 年 3 月 30 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代
2023-03-30 13:37:14609 
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