英飛凌科技發表新一代薄晶圓技術IGBT TRENCHSTOP 5 系列產品，其導通損失和切換損失均遠低于目前的領導解決方案。透過這項突破性的產品，英飛凌為 IGBT 效能立下新標竿，繼續在效率需求不斷提升的市場中保持領先地位。

　　新技術的崩潰電壓提高至 650V，讓設計擁有更高的安全余裕。目標拓樸為 PFC （AC/DC） 升壓級和高電壓 DC/DC 拓樸，常見于光伏逆變器、不斷電系統 （UPS） 和變頻焊接機具等應用。

　　TRENCHSTOP 5 擁有兩個系列產品，一為 HighSpeed 5 （H5），這是一款使用方便的軟性 high speed IGBT，隨插即用可立即取代現有的 IGBT，大幅簡化設計時程。另一款為 HighSpeed 5 FAST （F5），提供業界最佳的效率；舉例來說，在使用「H4 全橋」拓樸的光伏逆變器應用中，所測得的系統效率可達到 98% 以上。

　　英飛凌 IGBT 功率分離式元件行銷協理 Roland Stele 表示：「TRENCHSTOP 5 不僅讓 IGBT 的效能大幅躍進，同時更改善系統效率、提高崩潰電壓，并提升可靠性，進而降低整個平臺的系統成本。對于客戶來說，希望擁有一個具備上述所有優點的解決方案，TRENCHSTOP 5 就是唯一的選擇。」

　　全新的 TRENCHSTOP 5 為各式目標應用提供了多項優勢。與目前業界最佳的英飛凌 HighSpeed （H3） 系列相較，TRENCHSTOP 5 導通損失減少 10% 以上，整體的切換損失也降低 60% 以上。效率大幅提升，可降低操作時的接面溫度，提升使用壽命可靠度或功率密度設計。如應用測試所顯示，TO-220 封裝的 TRENCHSTOP? 5 的零件溫度比 TO-247 封裝的 H3 低了15%。

　　其他優勢還包括：飽和電壓 （Vce（sat）） 和關斷切換損失 （Eoff） 的正溫度係數，確保效能不致在高溫操作下衰減，并能輕易并聯。閘極電荷 （Qg） 比 H3 少了 2.5 倍，讓 IGBT的運作成本也更為降低。此外，TRENCHSTOP 5 具備快速回復特性的飛輪二極體，相對溫度穩定的順向壓降 （VF），且反向恢復時間 （Trr） 少于 50 奈秒。低輸出電容（Coss 和 Eoss），可提供優異的輕載效率，極適合最高額定值在 40% 以下運作為主的設計。

　　H5 和 F5 衍生產品將從 11 月中旬開始提供樣品。