臺積電的 Suk Lee 發表了題為“摩爾定律和半導體行業的第四個時代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導體行業傳奇而動蕩的歷史中發掘出一些意義的事情都會引起我的注意。正如臺積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13
279 意法半導體新推出的八路高邊開關兼備智能功能和設計靈活性，每條通道導通電阻RDS(on)(典型值)僅為110mΩ，保護系統能效，體積緊湊，節省 PCB 空間。
2024-03-12 11:41:49250 榮湃半導體近日宣布推出其最新研發的Pai8265xx系列柵極驅動器，該系列驅動器基于電容隔離技術，集成了多種保護功能，專為驅動SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設計。這款產品的推出，標志著榮湃半導體在功率半導體領域的技術創新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 蓉矽半導體近日宣布，其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力，也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228 意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性，還致力于提供高度的系統集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
，TSS已經成為電子領域中的重要組成部分，被廣泛應用于電力電子、通訊、光電子等領域。
二、半導體放電管TSS的工作原理TSS的工作原理基于快速開關的思想，其結構主要由一個PN結或P-i-N結、一個控制電極
2024-03-06 10:07:51
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
電子發燒友網站提供《N-通道100V1.04 mohmMOSFET和CCPAK1212包裝中增強的SOA.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:52:14
0 安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產品平臺，平臺采用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，從而實現了高效的能源轉換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半導體推出具有完全自主知識產權的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設計確保產品的卓越性能和可靠性，在國內領先的碳化硅晶圓代工廠流片，產能充裕，供應穩定，性價比高。
2024-01-20 17:54:00916 
今日（1月18日），意法半導體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導體功率模塊和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術。
2024-01-19 09:48:16254 
band gap power devices, power management ICs, and modules, today announced the release of two aMOS5? 600V FRD Super Junction MO
2024-01-05 15:05:39844 V 功率 MOSFET 的半導體制造商，采用全新系統和應用優化的OptiMOS 7 MOSFET 技術。新產品創建行業新基準，我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉換領域邁出新的一步, 釋放更優秀系統效率和性能，賦能未來。
2023-12-29 12:30:49362 
【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根據不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ，新產品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 官方網站稱，2015年6月成立的鉅芯科技是從事半導體輸出芯片和零部件研發，生產，銷售的高新技術企業。產品包括半導體分立元件芯片、半導體分立元件、半導體功率模塊及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46343 來源：ACT半導體芯科技 2023年已接近尾聲，半導體行業依然在挑戰中前行。隨著市場需求和應用領域的變化，半導體企業需要不斷推出新產品和解決方案，以滿足市場的需求。 半導體產業作為現代信息技術
2023-11-20 18:32:52262 
美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 供應APG082N01 100v控制器mos管銓力N通道增強型MOSFET管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供APG082N01規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-10-27 16:35:09
－通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機電路板尺寸－ ? 中國上海， 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅動應用。
2023-10-27 11:05:54657 
Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產品 IXTY2P50PA。這個創新的產品設計能滿足汽車應用的嚴苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT，相關核心技術已獲得多項專利授權，四大系列產品均獲得江蘇省高新技術產品認定。
l 深圳芯能
成立時間：2013年
業務模式：設計
簡介：深圳芯能半導體
2023-10-16 11:00:14
《半導體芯科技》編譯 來源：EENEWS EUROPE 牛津大學的一家衍生公司籌集了600萬美元用于半導體設計的機器學習設備。 Machine Discovery從用于模擬半導體仿真的AI配套設備
2023-10-08 16:50:14180 供應APG022N06G 150a 60v逆變器mos封裝PDFN5x6-銓力半導體代理，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供APG022N06G規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-27 15:38:22
本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體芯片的制作和半導體芯片封裝的詳細資料概述
2023-09-26 08:09:42
=4.5VRDS（ON）< 6mΩ @ VGS=10V?高功率和電流處理能力?ESD保護?表面安裝包?無鉛和綠色設備可用（RoHS兼容）應用?PWM應用程序?負載交換機?電源管理?供電系統
2023-09-25 12:00:40
電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
數明半導體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動保護和高CMTI的單通道隔離門極驅動芯片，擁有強勁的驅動能力、完善的保護功能、超高的CMTI能力。其中，SiLM59xx系列提供
2023-09-13 10:29:491274 
解決方案·低壓伺服驅動解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會議程
▌參會福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報名預約【意法半導體工業峰會2023
2023-09-11 15:43:36
安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474 用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半導體新型6kV電流隔離技術，以及SO-36W寬體封裝。瞬態抗擾度為±100V/ns，可防止電噪音工作條件
2023-09-05 06:59:59
穩定性和效率兼備，雷卯MOSFET改變您的產品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種常用的半導體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種常用的半導體器件，由源(Source)、漏(Drain)和柵(Gate)三個主要區域組成。依照其“通道”(工作載流子的極性不同，可分為“N型“與“P 型”的兩種類型，通又稱為 NMOS與 PMOS。。
2023-09-01 09:53:331158 
TDM3478 N-通道增強模式MOSFET芯片 概述 TDM3478使用先進的溝槽技術，提供優良的RDS（ON）和低柵極電荷。該設備適用于作為負載開關或在PWM應用程序中使用。 一般說明 ?RDS
2023-09-01 09:46:40251 
和管理者。今年，Nexperia（安世半導體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產品現已雙雙入圍年度功率半導體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時
2023-08-28 15:45:311140 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下稱“Toshiba”）推出了兩款適用于直流無刷電動機應用領域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 ，減少人力資源消耗，為半導體行業降本增效。Novator系列全自動影像儀創新推出的飛拍測量、圖像拼接、環光獨立升降、圖像匹配、無接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶測量需求，解決各行業尺寸測量難題。
2023-08-21 13:38:06
（Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應用場景：適用于高效率開關電源、電機驅動器和照明應用等，可用于電源因數校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
報告中介紹，隨著功率半導體應用領域逐漸擴大，當應用在計算機和航空電子等領域中時，低導通壓降能夠縮小整機的冷卻系統，從而降低整機尺寸和成本，所以用戶對器件的導通電阻提出了更高的要求。
2023-08-09 16:21:36326 先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結構劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
供應ID5S609SEC-R1 600V高低側柵極驅動芯片可代換IR2304，提供id5s609芯片資料關鍵參數 ，廣泛應用于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應ID7U603SEC-R1 600V半橋MOS柵極驅動IC，提供ID7U603規格書關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:11:044 供應ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復合年增長率為27%。
2023-07-17 11:33:24277 
同時實現業界超快反向恢復時間和業界超低導通電阻，可進一步降低工業設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia (安世半導體)今日宣布，將憑借600 V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進軍市場的第一炮
2023-07-05 16:34:291053 TF23892M是一種三相柵極驅動IC，設計用于高壓、高速應用，驅動半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓工藝使TF23892M高側能夠在引導操作中切
2023-07-04 11:14:43
TF21364M是一種三相柵極驅動器IC，設計用于高壓、高速應用，驅動半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓工藝使TF21364M高側能夠在引導操作中切
2023-07-04 10:59:30
TF2136M是一種三相柵極驅動器IC，設計用于高壓、高速應用，驅動半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓工藝使TF2136M高側能夠在引導操作中切
2023-07-04 10:46:50
TF21064M是一種高壓、高速柵極驅動器，能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和IGBT。TF半導體的高壓過程使TF21064M的高側能夠在引導操作中切換到600V
2023-06-29 10:14:02
TF21814是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2181M的高側在
2023-06-29 09:10:24
為滿足汽車市場對產品可靠性和安全性的需求，數明半導體近期推出車規級高壓、高速MOSFET/IGBT驅動芯片SiLM21814-AQ，該產品通過AEC-Q100認證。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 TF21844M是一種高壓、高速柵極驅動器，能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和IGBT。TF半導體的高壓過程使TF21844M的高側能夠在引導操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48
致力于提供高品質芯片的國內優秀模擬及數模混合芯片設計商上海類比半導體技術有限公司（下稱“類比半導體”或“類比”）宣布推出低功耗、多通道、支持呼吸阻抗測量的生物電勢模擬前端芯片AFE95x。該系列芯片
2023-06-26 10:18:48900 
TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2103M高側切換到600V的引導操作
2023-06-25 16:39:30
TF2184是一種高壓、高速柵極驅動器，能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2184的高側能夠在引導
2023-06-25 16:25:20
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
中國上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品
2023-06-13 16:38:50712 
電機控制領域。CMS32M65xx系列MCU是中微半導體推出的基于ARM-Cortex M0+內核的高端電機控制專用芯片。主頻高達64MHz；工作電壓1.8V至5.5V；提供64KB Flash
2023-06-09 09:11:16
ZXGD3114N7產品簡介 DIODES 的 ZXGD3114N7 是一款 600V 有源 OR-ing MOSFET 控制器，設計用于驅動極低 RDS(ON) 功率 MOSFET 作為
2023-06-02 16:15:17
根據中國集成電路產業人才白皮書數據來看，目前行業內從業人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國內半導體行業快速發展的當下，定位、搶奪優質人才是企業未來長期發展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產品組合 基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 MOSFET 等類型；從技術發展趨勢看，采用制程復雜芯片工藝以及采用氮化鎵等新型材料和與之相匹配的封裝工藝制造具有優異性能參數產品是場效應管生產廠商不斷追蹤的熱點。
廣東友臺半導體有限公司(簡稱
2023-05-26 14:24:29
上海數明半導體有限公司最新推出的雙通道 30V, 5A/5A 的高速低邊門極驅動器 SiLM27624 系列，支持高達 30V 的輸入電源供電，滿足更高的驅動電壓輸出。
2023-05-17 11:18:21438 
Limited?（AOS,?納斯達克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺，旨在滿足服務器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15664 
數明半導體最新推出的SiLM572x和SiLM574x是雙通道和四通道數字隔離器，支持最高100Mbps的數據傳輸率，并通過車規級AEC-Q100認證。
2023-04-25 11:47:37783 
有助于配備小型電機的設備減少抗噪聲設計工時和部件數量，并降低功率損耗 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
、5G新應用、新型顯示的半導體產業鏈。 ? 本屆展會規模達5,0000㎡，匯聚600多家半導體企業。SEMI-e 深入挖掘半導體產業鏈上下游優質企業，同步推出電子元器件、IC設計半導體產業技術高峰會 匯集鎂伽科技、聯想凌拓、眾鴻、研華科技、魯汶儀器、格靈精睿、中科藍海
2023-04-18 13:38:15784 
制造產業的轉移、下游行業需求的拉動以及國家推出的支持政策，半導體分立器件行業已經進入快速發展通道。目前，我國已經成為全球重要的半導體分立器件制造基地和全球最大的半導體分立器件市場，根據中國半導體行業協會
2023-04-14 16:00:28
制造產業的轉移、下游行業需求的拉動以及國家推出的支持政策，半導體分立器件行業已經進入快速發展通道。目前，我國已經成為全球重要的半導體分立器件制造基地和全球最大的半導體分立器件市場，根據中國半導體行業協會
2023-04-14 13:46:39
創新、自主可控，推出HPM6000高性能RISC-V MCU產品系列，助力推動國產創新型替代進程。國潮崛起，先楫半導體邀您一起共同邁向高性能 “芯” 時代。
2023-04-10 18:39:28
供應ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規格書參數 ，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-04 10:39:344 供應ups逆變器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7，是士蘭微IGBT代理，提供SGT60N60FD1P7關鍵參數 ，可應用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-04 10:37:48
供應50a 600v igbt 驅動電路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:15:592 供應全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491 國產RISC-V MCU 之 先楫半導體 MCU 介紹HPM6700/6400系列-RISC-V 內核支持雙精度浮點運算及強大的 DSP 擴展，主頻高達 816 MHz，創下了高達
2023-04-03 14:32:24
逆變器、全橋驅動逆變器等領域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點■浮動工作電壓可達600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35930 
POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL
2023-03-27 14:32:04
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