電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有過(guò)壓保護(hù)和阻斷場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) 控制的5V/12V 電子熔絲(eFuse) 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-14 11:19:42
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有電平位移&可調(diào)轉(zhuǎn)換率控制的1.2V-8V，3A 聚合物薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(PFET) 高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-14 09:38:190 柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）等。
2024-03-13 11:41:42
222 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車(chē)應(yīng)用中用于高頻CPU內(nèi)核功率的同步降壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 驅(qū)動(dòng)器TPS51604-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:08:470 據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道，德國(guó)弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所（Fraunhofer IPMS）開(kāi)發(fā)出一種用于芯片式pH值測(cè)量的傳感層，并成功將其集成到離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ISFET）中。
2024-03-11 09:34:31152 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件，用于控制電流的流動(dòng)。
2024-02-22 18:16:54829 IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的特性。
2024-02-22 14:42:40395 
氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。 該板采用EPC EPC2218 100V FET和低靜態(tài)電流、高頻LTC7890雙降壓DC/DC同步控制器，
2024-02-22 13:43:55
？
再者在場(chǎng)效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請(qǐng)問(wèn)這是為什么？同樣對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管也有上面的問(wèn)題？
2024-02-21 21:39:24
MOSFET，全稱(chēng)為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也稱(chēng)為功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2024-02-21 16:25:23516 
場(chǎng)效應(yīng)管，即場(chǎng)效應(yīng)晶體管（簡(jiǎn)稱(chēng)FET），是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。
2024-02-20 15:31:17514 
繼電器通過(guò)通斷線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)來(lái)控制機(jī)械開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制。而場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通過(guò)柵極施加正負(fù)偏壓來(lái)控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。
2024-02-18 10:16:41545 
是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。 為了滿足這些要求，開(kāi)關(guān)模式電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者需要從使用傳統(tǒng)的硅 (Si) 基金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 轉(zhuǎn)為使用其它器件，因?yàn)楣杵骷谘杆俳咏淅碚摌O限。 因此設(shè)計(jì)者需要考慮基于寬帶隙 (WBG) 材料的器件，如
2024-02-13 17:34:00657 
在普通的晶體管中，電流由電子與空穴搬運(yùn)，其“具有兩種極性”，所以被稱(chēng)為雙極性晶體管。與此相比，N溝道FET是由電子來(lái)搬運(yùn)電流的，P溝道FET是由空穴來(lái)搬運(yùn)電流的，因此也稱(chēng)之為單極晶體管。
2024-02-05 16:31:36667 
Qorvo最近發(fā)布了一款新的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品，這款產(chǎn)品專(zhuān)為電動(dòng)汽車(chē)（EV）而設(shè)計(jì)，符合車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。
2024-02-01 10:22:29163 。
在測(cè)試實(shí)際電機(jī)時(shí)，我們遇到的電感浪涌電流超過(guò)了 MosFET 的脈沖額定值。
微TLE9853QX
場(chǎng)效應(yīng)晶體管IAUA250N04S6N005
2024-01-29 07:41:55
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 CJ2301數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-19 13:39:580 越大，而另一方面，漏源之間電壓越大，溝道電阻也越大，兩者相互作用，電流不隨有很大的變化達(dá)到平衡。此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管的功率隨漏源之間電壓降增大而增大，因?yàn)榇藭r(shí)電流基本不變。
以上是我對(duì)晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的理解，如有問(wèn)題請(qǐng)指正。
2024-01-18 16:34:45
舉例而言，一個(gè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，采用自偏置結(jié)構(gòu)，即柵極和源極短接在一起源極也有一個(gè)電阻，在電源和漏極接一個(gè)負(fù)載，此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管可以看做是一個(gè)互導(dǎo)放大器，壓控電流源，請(qǐng)問(wèn)此時(shí)這種電路的輸入輸出電阻應(yīng)該怎么求
2024-01-15 18:06:15
與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計(jì)方式與雙極晶體管電路的設(shè)計(jì)方式大不相同。
2024-01-09 15:38:40372 IGBT）是一種半導(dǎo)體器件，它將MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優(yōu)點(diǎn)集于一身，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點(diǎn)。IGBT廣泛應(yīng)用于電力電子、軌道交通
2024-01-03 15:14:22268 
晶體管是電子學(xué)和邏輯電路中的基本構(gòu)件，用于開(kāi)關(guān)和放大。MOSFET是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的一種，其柵極通過(guò)使用絕緣層進(jìn)行電隔離。因此，它也被稱(chēng)為IGFET(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。
2023-12-29 09:58:11727 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類(lèi)型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類(lèi)型。本文將對(duì)N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:152269 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SDA09T N溝道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-26 10:19:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管SDA09T英文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-26 10:14:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BSH201場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管英文資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-26 10:08:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管SDA09T規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-22 11:32:470 【科普小貼士】什么是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）
2023-12-13 14:36:44353 
【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場(chǎng)控制的電子器件，常用于放大、開(kāi)關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管的六大訣竅
2023-12-05 15:51:38165 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）或 IGFET（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它在柵極和主體之間利用絕緣體（如 SiO2）。如今，MOSFET 是數(shù)字和模擬電路中最常見(jiàn)的晶體管類(lèi)型。
2023-12-04 15:11:15407 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)
2023-11-24 16:54:18632 JFET的全稱(chēng)為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，MOSFET的全稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。耗盡型MOSFET與JFET均屬于電壓控制型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），場(chǎng)效應(yīng)晶體管通過(guò)電場(chǎng)來(lái)控制導(dǎo)電溝道的電導(dǎo)率
2023-11-07 14:36:342283 美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)處理器制造商正在經(jīng)歷十年來(lái)器件架構(gòu)的第一次重大變革，即從鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）轉(zhuǎn)變到納米片（nanosheet）。
2023-10-12 18:09:13228 根據(jù)專(zhuān)利摘要，該公開(kāi)是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)也叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 17:23:34559 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場(chǎng)效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個(gè)控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46799 在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04946 
Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導(dǎo)體)氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:00395 
的通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管能夠以較低的系統(tǒng)成本，實(shí)現(xiàn)更小、更快、散熱性能更優(yōu)、更輕便的系統(tǒng)。
2023-09-25 08:17:54422 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。 一、場(chǎng)效應(yīng)管的作用
2023-09-20 15:26:061369 
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開(kāi)關(guān)和放大電子信號(hào)的半導(dǎo)體器件。
MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子，因此使其成為類(lèi)似于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28791 
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件，圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖，即在P型硅基片上有兩個(gè) N+擴(kuò)散區(qū)，其中一個(gè)稱(chēng)源，用S表示，另一個(gè)稱(chēng)漏，用D表示，在D和S間的硅片上覆蓋了較薄的8iO。絕緣層和金屬層，并引出一電極，稱(chēng)柵，用G表示。應(yīng)用中 D接正，8接地，G用正電源控制。
2023-09-19 11:06:05644 
絕緣柵雙極晶體管也簡(jiǎn)稱(chēng)為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:291490 
場(chǎng)效應(yīng)管和晶體管的主要區(qū)別 場(chǎng)效應(yīng)管和晶體管是兩種不同的半導(dǎo)體器件，它們的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)合各有不同。雖然這兩種器件都屬于半導(dǎo)體器件，但它們?cè)谥圃臁⒔Y(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有著顯著的區(qū)別，下面將詳細(xì)介紹
2023-08-25 15:41:362301 晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別? 晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管是電子設(shè)備中常用的兩種元器件，它們都是半導(dǎo)體器件，用于放大和控制電流的流動(dòng)。雖然它們?cè)谀承┓矫婵赡苡幸恍┫嗨浦帲鼈円灿泻芏嗝黠@的不同點(diǎn)。下面將會(huì)詳細(xì)
2023-08-25 15:29:343024 根據(jù)專(zhuān)利摘要，本申請(qǐng)?zhí)峁┘呻娐芳夹g(shù)領(lǐng)域，場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可以簡(jiǎn)化集成電路的制造過(guò)程，降低生產(chǎn)費(fèi)用。集成電路由設(shè)置在基板和基板上的finfet組成。gaafet和/或forksheet fet;finfet包含第一個(gè)聲道層。
2023-08-23 10:05:13793 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。
2023-08-18 16:01:28591 
，基極端子提供的電流量較??少會(huì)導(dǎo)致從發(fā)射極端子到集電極提供大量電流。目前常用的BJT是NPN晶體管，因?yàn)殡娮舆w移率比空穴遷移率更高。NPN晶體管的符號(hào)如下所示。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管由 3 個(gè)
2023-08-02 12:26:53
Transistors to Microfluidic Devices”的綜述文章，回顧了集成傳感器的主要研究進(jìn)展，并重點(diǎn)介紹了場(chǎng)效應(yīng)晶體管在化學(xué)和生化分析器件開(kāi)發(fā)中的潛在應(yīng)用。
2023-07-28 10:23:32227 
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡(jiǎn)稱(chēng)，有時(shí)候我們也會(huì)簡(jiǎn)寫(xiě)成MOS。下面是一個(gè)典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:56:241285 
NP160N055TUKMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-07-07 18:41:520 推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)之一是采用FinFET工藝。工程師介紹，另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵（GAA）晶體管。這提供了柵極和溝道之間最顯著的電容耦合。GAAfinFET
2023-07-07 09:58:374414 
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類(lèi)：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:19336 
1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發(fā)明了晶體管，屬于雙極型晶體管（Bipolarjunction Transistor）。此外，晶體管還有另外一個(gè)分支，叫場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect
2023-06-29 09:21:342017 
供應(yīng)后羿hy1908 80V/90A mos管，提供hy1908場(chǎng)效應(yīng)晶體管參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-08 14:05:12
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 17:23:471114 
采用兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的雙平衡混頻器單元和一個(gè)90°混合器，在砷化鎵、金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MES）中制造。金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）工藝制造的90°混合器。
2023-05-24 12:52:51562 正常時(shí)陽(yáng)值成為數(shù)下歐以值較小司圍2.2 VMOS場(chǎng)效應(yīng)品體管源極S、漏極D的判定 VMSO場(chǎng)效應(yīng)晶體管的R和R的檢測(cè)
2023-05-24 10:35:15229 
柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)BJT)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電子和空穴的雙極性導(dǎo)電性質(zhì)的三極管。與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管的控制電流較大，但具有高電流放大系數(shù)和高頻特性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:23:134370 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:15:374157 
場(chǎng)效應(yīng)管是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱(chēng)單極型晶體管。
2023-05-16 15:24:34847 場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041366 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱(chēng)為源和漏。控制橫向電場(chǎng)的電極稱(chēng)為柵。
2023-05-16 15:14:081508 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來(lái)導(dǎo)電，所以又稱(chēng)為單極晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫(xiě)為FET。
2023-05-16 15:02:23693 按照器件結(jié)構(gòu)，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。
2023-05-06 11:10:022967 
可高達(dá)500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應(yīng)用于DC/DC變換、開(kāi)關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車(chē)等電子電器設(shè)備中。但因?yàn)槠潆娏鳌崛萘啃。蛪旱停话阒贿m用于小功率電力電子裝置。 電力場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理 電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管種
2023-05-01 18:36:131102 
MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動(dòng)電流顯著增加，二者協(xié)同工作，從而改善了整個(gè)器件的特性。
2023-04-24 16:51:291512 
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見(jiàn)的方式，其四周?chē)@著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開(kāi)關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 09:17:39512 
N32G430C8L7_STB開(kāi)發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開(kāi)發(fā)
2023-03-31 12:05:12
BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
2023-03-29 22:59:18
共源雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-03-28 18:19:58
P-通道
增強(qiáng)模式
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-03-28 18:19:26
場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2個(gè)N溝道 20V 6A
2023-03-28 17:23:57
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-03-28 15:17:35
N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-03-28 14:33:20
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-03-28 14:32:55
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-03-28 14:32:55
雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:54:37
n通道增強(qiáng)模場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:54:03
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:52:42
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:52:41
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:52:41
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:52:22
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:45:09
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-03-24 15:07:16
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-03-24 13:56:30
每個(gè)晶體管的兩個(gè)p-n結(jié)提供了電荷流動(dòng)的電子能壘，而晶體管可以通過(guò)向溝道上方的柵極施加電壓來(lái)導(dǎo)通。
2023-03-24 10:58:255426 場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅N通道結(jié)型
2023-03-24 10:04:49
場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅N溝道結(jié)型
2023-03-24 10:04:48
一、物料概述ESN4485是P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以低柵極電荷提供出色的RDS（ON）。該裝置適用于直流-直流轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品ESN4485不含
2023-03-23 18:08:46
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論