電子發燒友網站提供《40V 200m? 單通道智能高側開關TPS1H200A-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-18 18:15:29
0 型號: D3N04H-VB絲印: VBA3638品牌: VBsemi參數:- 2個N-Channel溝道- 額定電壓: 60V- 額定電流: 6A- RDS(ON): 27mΩ @ VGS=10V
2024-03-16 16:37:54
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
電子發燒友網站提供《N溝道40 V，1.9 mOhm，200 A標準電平MOSFET PSMN1R9-40YSB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:53:300 電子發燒友網站提供《N溝道40 V，1.8 mOhm，200 A邏輯電平MOSFET PSMN1R7-40YLB數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 09:51:470 **封裝：** TO252- **類型：** N-Channel 溝道 MOSFET- **電壓等級：** 40V- **電流等級：** 50A- **導通電阻（RD
2024-02-20 11:29:44
**SUD70N03-04P-VB**- **絲印：** VBE1303- **品牌：** VBsemi- **參數：** - 封裝：TO252 - 溝道類型：N
2024-02-20 10:54:09
**類型：** N-Channel 溝道 MOSFET- **電壓等級：** 60V- **電流等級：** 28A- **導通電阻（RDS(ON)）：** 80mΩ @
2024-02-20 09:57:40
**IPB120N04S4-02-VB****絲印：** VBL1402 **品牌：** VBsemi **參數：** TO263；N—Channel溝道, 40V；180A
2024-02-19 17:33:28
**VBsemi IPB100N04S4-H2-VB****詳細參數說明:**- 類型: N溝道場效應管 (N-Channel MOSFET)- 額定電壓(VDS): 40V- 最大電流(ID
2024-02-19 11:16:03
VBsemi FQD60N03L-VB MOSFET 參數：- 封裝：TO252- 溝道類型：N—Channel- 最大電壓：30V- 最大電流：60A- RDS(ON)：10mΩ @ VGS
2024-02-03 14:10:10
概述PC5028是一款高性能的增壓器驅動N溝道MOSFET的控制器同步升壓功率級，從寬輸入電源范圍從4.5V到40V。當控制器從輸出電壓偏置控制器可以從低至啟動后1V。開關頻率可以通過編程FREQ
2023-12-25 18:23:47
型號：TK35S04K3L-VB絲印：VBE1405品牌：VBsemi參數說明：- N溝道- 額定電壓：40V- 最大電流：85A- 靜態導通電阻(RDS(ON))：4mΩ@10V, 5m
2023-12-21 17:25:01
型號：FQD13N10L-VB絲印：VBE1101M品牌：VBsemi參數：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：100V- 額定電流：18A- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V
2023-12-21 11:11:45
型號：CED12N10L-VB絲印：VBFB1101M品牌：VBsemi參數：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：100V- 最大連續電流：15A- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：115m
2023-12-20 17:07:10
型號：IPD90P04P4L-04-VB絲印：VBE2406品牌：VBsemi參數說明：- 類型：P溝道- 額定電壓：-40V- 最大電流：-110A- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：4.8m
2023-12-20 11:40:39
型號：FQU30N06L-VB絲印：VBFB1630品牌：VBsemi參數：- N溝道- 最大耐壓：60V- 最大電流：25A- 靜態導通電阻：32mΩ @ 10V, 36mΩ @ 4.5V
2023-12-20 10:55:14
型號：SUD40N10-25-E3-VB絲印：VBE1104N品牌：VBsemi參數：N溝道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth
2023-12-20 10:39:02
型號：SUD40N06-25L-VB絲印：VBE1638品牌：VBsemi參數：N溝道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V
2023-12-20 10:35:17
電子發燒友網站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應用指南.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:37:520 , 20Vgs (±V)- 閾值電壓：1.8V (Vth)- 封裝：TO252應用簡介:4N06L30-VB是一款N溝道功率MOSFET，適用于各種高功率和高電壓應用。這款器
2023-12-19 11:22:53
(±V)- 閾值電壓：1.8V (Vth)- 封裝：TO252應用簡介:STU9916L-VB是一款N溝道功率MOSFET，設計用于在各種電子應用中提供高性能的
2023-12-19 10:59:44
：** VBsemi**參數：**- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：40V- 最大電流：85A- 靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON))：4mΩ @ 10V, 5m
2023-12-18 17:18:54
型號：NTF3055L108T1G-VB絲印：VBJ1695品牌：VBsemi參數：- N溝道- 最大耐壓：60V- 最大電流：4A- 開通態電阻：76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
2023-12-18 09:17:24
型號：HFD4N50-VB絲印：VBE165R04品牌：VBsemi參數：- N溝道- 額定電壓：650V- 最大電流：4A- 開態電阻 (RDS(ON))：2200mΩ @ 10V, 2750m
2023-12-15 13:36:14
型號：IPD036N04L-VB絲印：VBE1405品牌：VBsemi參數：- N溝道- 額定電壓：40V- 最大電流：85A- 開態電阻 (RDS(ON))：4mΩ @ 10V, 5m
2023-12-15 11:27:04
型號：2N7002WT1G-VB絲印：VBK162K品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：60V- 最大電流：0.35A- 導通電阻（RDS(ON)）：1800m
2023-12-15 11:14:04
, 36mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 閾值電壓（Vth）：1~3V- 封裝：SOT23-3L應用簡介：KD3422A-VB是一款N溝道MOSFET，適用于多種
2023-12-15 09:59:37
型號：SUD50N04-8M8P-4GE3-VB絲印：VBE1405品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：40V- 最大電流：85A- 導通電阻（RDS
2023-12-14 16:25:40
型號：FQD3N50C-VB絲印：VBE165R04品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：650V- 最大電流：4A- 導通電阻（RDS(ON)）：2200m
2023-12-14 16:10:27
集特推出新款龍芯主板GM9-3003
2023-12-14 16:03:07209 
型號：AOB470L-VB絲印：VBL1806品牌：VBsemi參數：- N溝道- 額定電壓：80V- 最大電流：120A- 開態電阻 (RDS(ON))：6mΩ @ 10V, 10m
2023-12-14 15:32:10
Ω @ 10Vgs、3000mΩ @ 4.5Vgs- 閾值電壓（Vth）：1.6V- 封裝類型：SOT23應用簡介：2N7002ET1G-VB是一款小功率N溝道MOSFET（金屬
2023-12-13 17:31:52
型號：FQD6N40CTM-VB絲印：VBE165R07S品牌：VBsemi參數：- 溝道類型：N溝道- 最大耐壓：650V- 最大持續電流：7A- 開通電阻（RDS(ON)）：700m
2023-12-13 17:18:09
型號：STD30NF04LT-VB絲印：VBE1410品牌：VBsemi參數：- 類型：N溝道- 額定電壓（Vds）：40V- 最大持續電流（Id）：50A- 導通電阻（RDS(ON)）：12m
2023-12-13 15:47:01
型號：UT100N03L-VB絲印：VBM1303品牌：VBsemi詳細參數說明：- 類型：N溝道MOSFET- 額定電壓（Vds）：30V- 額定電流（Id）：120A- 導通電阻（RDS
2023-12-13 15:30:53
詳細參數說明：- 型號： IPP084N06L3 G-VB- 絲印： VBM1606- 品牌： VBsemi- 參數： N溝道、60V、120A、RDS(ON)、5mΩ@10V、44mΩ@4.5V
2023-12-13 15:15:43
該型號AM2308N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N溝道MOSFET，具有30V電壓、6.5A電流的額定參數。其RDS(ON)在10V下為30mΩ，在4.5V下為33mΩ，適用于20V的門源
2023-12-13 14:59:03
(± V)；-1.92Vth(V)；TO252詳細參數說明：- 型號： SQD40P10-40L-GE3-VB- 功能類型： P溝道功率MOSFET- 最大電壓： -1
2023-12-13 14:24:33
。
SL3061 40V/2.5A開關降壓型轉換器產品概述:SL3061是一款內部集成功率MOSFET的降壓型開關穩壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供
2023-12-12 16:11:08
NTD5806NT4G 參數：N溝道, 40V, 50A, RDS(ON), 12mΩ@10V, 14mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.78Vth(V); TO252；應用簡介
2023-12-08 16:25:21
：2V7002KT1G是一款適用于低功率應用的N溝道MOSFET。其適中的電流和低閾值電壓使其在電池供電的低功率應用中表現良好。常用于電子開關、模擬開關等。優勢：靜態電流消
2023-11-30 16:46:14
VBsemi推出了MOSFET型號NTR4503NT1G，絲印型號為VB1330。這款N溝道MOSFET設計用于多種電路應用。它具有強大的特點，包括30V的耐壓和6.5A的電流承載能力。在10V下
2023-11-30 14:14:09
Ω@10V、28mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、1.8Vth(V)、TO252應用簡介 該型號的30N06L-VB是一款功率N溝道MOSFET。由
2023-11-20 17:21:08
; 溝道類型 N溝道 額定電壓 200V 額定電流 3A 開態電阻
2023-11-15 11:39:50
轉換器產品概述:SL3061是一款內部集成功率MOSFET的降壓型開關穩壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061
2023-11-13 15:24:19
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2023-11-13 15:11:290 想用運放實現1~-40V的脈沖電源，1到-40V的時間為2us，計算SR至少要求63V/us，看了下幾款車規級高壓運放，請問下使用LT1010可以實現嗎？能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型？
謝謝！
2023-11-13 14:20:54
型號 STD30NF04LT-VB絲印 VBE1410品牌 VBsemi參數 類型 N溝道 額定電壓（Vds
2023-11-10 11:32:45
該型號AM2308N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N溝道MOSFET，具有30V電壓、6.5A電流的額定參數。其RDS(ON)在10V下為30mΩ，在4.5V下為33mΩ，適用于20V的門源
2023-11-09 17:13:58
Ω@10V、28mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、1.8Vth(V)、TO252應用簡介 該型號的30N06L-VB是一款功率N溝道MOSFET。由
2023-11-08 17:17:38
MOSFET 工作電壓 100V 額定電流 40A 開通電阻 30mΩ（10V）、31mΩ（4.5V）&nbs
2023-11-08 16:32:46
型號 IPD036N04LG-VB 絲印 VBE1405 品牌 VBsemi N溝道 最大額定電壓
2023-11-08 11:43:26
(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.2~2.2Vth(V)；SOT23 N溝道: 表示這是一個N溝道MOSFET晶體管，
2023-11-08 11:12:50
型號描述中文"型號 FQU15N06L-VB 絲印 VBFB1630 品牌 VBsemi 參數 N溝道,60V
2023-11-07 11:15:33
型號 NTR4170NT1G絲印 VB1330品牌 VBsemi詳細參數說明 - 類型 N溝道MOSFET- 最大耐壓 30V- 最大電流 6.5A- 導通電阻 30mΩ@10V, 33m
2023-11-07 10:46:53
型號 MTB1D7N03E3絲印 VBM1302品牌 VBsemi參數 頻道類型 N溝道 額定電壓 30V 額定電流 180A RDS(ON) 2mΩ @ 10V，2.8m
2023-11-03 15:55:25
SIR422DPT1GE詳細參數說明 極性 N溝道 額定電壓 40V 額定電流 75A 導通電阻 4.7mΩ @ 10V, 6mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓
2023-11-03 13:55:28
1.2~2.2Vth (V) 封裝類型 SOT23應用簡介 AM2336NT1PF是一款N溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。具有較高的額定電
2023-11-03 10:55:12
NTE4153NT1G詳細參數說明 - 極性 N溝道- 額定電壓 20V- 額定電流 1A- 導通電阻 200mΩ @ 4.5V, 230mΩ @ 2.5V- 門源電壓 12Vgs (±V
2023-11-03 09:18:07
型號 SI4840DYT1E3絲印 VBA1410品牌 VBsemi參數說明 MOSFET類型 N溝道 額定電壓(VDS)
2023-11-01 14:56:46
) 閾值電壓 1.6Vth (V) 封裝類型 SOT23應用簡介 LBSS139LT1G是一款N溝道MOSFET，適用于各種電源管理和低功率應用。它具有較低的額定電流
2023-10-31 15:46:15
電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓范圍 1V~3V 封裝類型 SOT223應用簡介 STN3NF06L（絲印 VBJ1638）是VBsemi公司生產的一款N溝道功率
2023-10-31 14:33:59
)；SOP8該產品具有以下詳細參數說明 類型 N溝道功率場效應管 最大耐壓 40V 最大漏極電流 10A 導通時的電阻（RDS(ON)） 14mΩ@10V, 1
2023-10-30 11:24:09
型號 50N04絲印 VBE1405品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 85A 導通電阻 4mΩ @10V, 5mΩ @4.5V 門源
2023-10-30 10:47:29
型號 AP4563GH絲印 VBE5415品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N+P溝道MOSFET 最大耐壓 ±40V 最大電流 50A/50A 導通電阻 15mΩ @10V
2023-10-28 16:06:13
NDT3055L詳細參數說明 - 極性 N溝道- 額定電壓 60V- 額定電流 4A- 導通電阻 76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V- 門源電壓 20Vgs (±V
2023-10-27 17:38:58
型號 SI2324DS-T1-GE3絲印 VB1102M品牌 VBsemi詳細參數說明 - 類型 N溝道MOSFET- 最大耐壓 100V- 最大電流 2A- 導通電阻 246m
2023-10-27 17:18:42
AON6884，規格書， 設計方案，使用方法，AOS/萬代，40V雙N溝道MOSFET 一般說明,AON6884采用先進的溝槽技術以低柵極電荷提供優異的RDS（ON）。這是一個適用于大范圍
2023-10-24 15:03:33
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 輸出、輸出功率1~~~3W的隔離電源。
VPS8504N內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免
2023-10-12 09:38:22
電子發燒友網站提供《P溝道增強模式功率MOSFET G040P04M規格書.pdf》資料免費下載
2023-09-19 17:29:110 SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
STEVAL-IPMnM1N 是一種基于 SLLIMM?-nano（小型低損耗智能成型模塊）第 2 系列產品 STIPN1M50T-H（基于 MOSFET）的緊湊型電機驅動電源板。該產品為驅動大功率
2023-09-13 06:48:31
安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474 (推測存儲旁路安全)位，以及ARM?v8.5-A擴展中引入的推測屏障(CSDB、SSBB、PSSBB)指令。
Neoverse?N1內核具有1級(L1)內存系統和專用的集成2級(L2)高速緩存。
它還
2023-08-29 08:05:54
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
。它通常用于高頻應用，如逆變器、DC-DC轉換器等。
二、1N4148與1N4007
一般區別
1、1N4148和1N4007在一般小電流（100mA以下，反向電壓100V以下）和不重要
2023-07-31 16:07:44
NP75N04VUK40 V - 75 A - N 溝道功率 MOS FET應用：汽車
2023-07-07 18:42:040 NP60N04VLK40 V - 60 A - N 溝道功率 MOS FET應用：汽車
2023-07-07 18:41:410 NP90N04VLK40 V - 90 A - N 溝道功率 MOS FET應用：汽車
2023-07-07 18:41:240 NP30N04QUK40 V - 30 A - 雙 N 溝道功率 MOS FET應用：汽車
2023-07-07 18:41:080 NP29N04QUK40 V - 30 A - 雙 N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-07-07 18:40:360 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-07-04 20:37:240 RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-07-04 20:37:050 采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 
英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 
【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
不同版本MK60FN1M0VLQ155材料3N96B和5N96B的調試問題
2023-04-21 08:14:19
我正在使用 LPC8N04 開發板（0M40002，修訂版 C）。直到幾天前，我才能夠調試和刷新代碼。探測器被檢測到，但是當我使用 MCU Expresso 啟動調試時，我在 3 個窗口中收到這些錯誤：視窗 1：無法連接探針索引 1 的電線。錯誤：電線確認故障 - 目標已連接？
2023-04-12 08:52:27
應用: DC-DC轉換 SMPS中的同步整流 硬開關和高速電路 電動工具 電機控制 概述： PL1303N04是寶礫微推出的4開關N溝道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封裝。產品具有較強
2023-04-11 14:47:50513
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