單管IGBT，IPM和IMP的區別：

　　IGBT功率模塊采用封裝技術集成驅動、保護電路和高能芯片一起的模塊，已經從復合功率模塊PIM發展到了智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM等。

　　IGBT單管和IGBT功率模塊的定義不同：

　　IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，常見有TO247、TO3P等封裝。

　　IGBT模塊：塊化封裝就是將多個IGBT集成封裝在一起，即模塊化封裝的IGBT芯片。常見的有1in1，2in1，6in1等。

　　PIM模塊：集成整流橋+制動單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋）；

　　IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級驅動及保護功能（熱保護，過流保護等）的IGBT模塊。

　　IGBT單管和IGBT功率模塊的結構不同

　　IGBT單管為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。P+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P 型區（包括P+ 和P 一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（ Subchannel region ）。而在漏區另一側的P+ 區稱為漏注入區（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP 雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。 IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導調制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態電壓。

　　IGBT功率模塊采用IC驅動，各種驅動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術，從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導彈發射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統效率，現已開發成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發展熱點。

　　四種IGBT測量儀器是哪四種？

　　四種IGBT模塊常規測量儀器

　　看了很多的IGBT 測量方法，其中不乏極具精髓的，但不怎么的全面。現在我總結介紹四招，有這四招，足以應付日常工作中的要求了。但這是在簡單工具的前提下，只能說是常規測量吧。下面先擺出四大裝備（排名不分先后）：

　　數字萬用表：雖然，用它來測量有太多的局限性，但它卻是我們最常用和普遍的工具之首。用它測量二極管的管壓降，不僅能在一定程度上判斷其好壞，還能判定它們的離散性。

　　數字電容表：這個可能是很多人用的比較少吧，其實我們都知道，IGBT 的容量大小是有規律的，容量大它的各種等效電容容量也將同比加大，如最重要的Cies 就是我們的測量對象。但是，官方給出的多是VGE=0V VCE=10V f=1MHZ時的參考數值，我們根本沒有條件來做直接對比。我們使用的數字電容表多在800HZ 的測試頻率。但這不并不影響我們的測量，我們只要總結規律，以我們現有的這種簡單測試儀表也還是具有非大的靠性的，而且在一定程度上能判斷各個IGBT 管的同一性。現在很多奸商以小充大來賺取暴利，所以這是一個很好的方法。萬一你用上了“來歷不明”的模塊而爆機時有可能就是這種情況，不是你技術不好或是你維修的不夠仔細，而是你碰上了李鬼模塊。

　　模擬表：這個很多人都知道，用它來測量IGBT 的觸發開通性能及關斷性能。

　　除此之外，也是可以測試IGBT 的好壞的，如果并聯二極管完好而IGBT 開路了就會觸發不起來的。

　　晶體管直流參數測試表：耐壓是IGBT 最重要的關鍵參數之一，但是，使用它測試IGBT 時，也是這四種測量手段中最具危險性的一種。弄不好會報廢IGBT的。