片式疊層陶瓷電容器（MLCC），簡稱片式疊層電容器（或進一步簡稱為CBB大電容貼片電容器），是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來，經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個類似獨石的結(jié)構(gòu)體，故也叫獨石電容器，片式疊層陶瓷電容器是一個多層疊合的結(jié)構(gòu)，其實質(zhì)是由多個簡單平行板電容器的并聯(lián)體。因此，該電容器的電容量計算公式為

　　C=NKA／t

　　式中，C為電容量；N為電極層數(shù)；K為介電常數(shù)（俗稱K值）；A為相對電極覆蓋面積；t為電極間距（介質(zhì)厚度）。

　　由此式可見，為了實現(xiàn)片式疊層陶瓷電容器大容量和小體積的要求。只要增大N（增加層數(shù)）便可增大電容量。當(dāng)然采用高K值材料（降低穩(wěn)定性能）、增加A（增大體積）和減小t（降低電壓耐受能力）也是可以采取的辦法。

　　這里特別說一說介電常數(shù)K值，它取決于電容器中填充介質(zhì)的陶瓷材料。電容器使用的環(huán)境溫度、工作電壓和頻率、以及工作的時間（長期工作的穩(wěn)定性）等對不同的介質(zhì)會有不同的影響，具體參考HTTP://WWW.HQEW.COM/TECH/DR/200010060007_142.HTML。通常介電常數(shù)（K值）越大，穩(wěn)定性、可靠性和耐用性能越差。

　　常用的陶瓷介質(zhì)的主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入適量的稀土類氧化物等配制而成。其特點是介質(zhì)系數(shù)較大、介質(zhì)損耗低、溫度系數(shù)小、環(huán)境溫度適用范圍廣和高頻特性好，用在要求較高的場合（I類瓷介電容器）中。

　　另一類是低頻高介材料稱為強介鐵電陶瓷，常用作Ⅱ類瓷介電容器的介質(zhì)，一般以BaTiO3為主體的鐵電陶瓷，其特點是介電系數(shù)特別高，達到數(shù)千，甚至上萬；但是介電系數(shù)隨溫度呈非線性變化，介電常數(shù)隨施加的外電場也有非線性關(guān)系。

　　目前最常用的多層陶瓷電容器介質(zhì)有三個類型：COG或NPO是超穩(wěn)定材料，K值為10～100；X7R是較穩(wěn)定的材料，K值為2000～4000；Y5V或Z5U為一般用途的材料，K值為5000～25000。在我國的標(biāo)準(zhǔn)里則分為I類陶瓷（CC4和CC41）及Ⅱ類陶瓷（CT4和CT41）兩種。上述材料中，COG和NPO為超穩(wěn)定材料，在-55℃～+125℃范圍內(nèi)電容器的容量變化不超過±30ppm／℃。