我們知道每種電容都有它的頻率特性，那么AVX 鉭電容的頻率特性是怎么樣的呢？AVX 鉭電容隨著頻率的增加有效電容的值會減小，直到共振達(dá)到（通常視0.5 - 5MHz 的之間該評級）。
除了共振頻率的設(shè)備變得感性。除了100kHz 的電容繼續(xù)下降。下面以AVX 貼片鉭電容E型的220UF 10V 規(guī)格為例，來說明鉭電容的頻率特性AVX 鉭電容溫度特性曲線。
在介紹AVX 鉭電容的溫度特性曲線前，我們必需對以下兩個基本概念有所認(rèn)識：
額定容量（CR）
這是額定電容。對于鉭OxiCap？電容器的電容測量是在25° C 時等效串聯(lián)電路使用測量電橋提供一個0.5V RMS120Hz 的正弦信號，諧波與2.2Vd.c.
電容公差
這是實際值的允許偏差電容額定值。
AVX 鉭電容的溫度特征。
鉭電容器的電容隨溫度變化而發(fā)生變化。這種變化本身就是一個小的程度上依賴額定電壓和電容的大小。從下面的溫度曲線圖上可以看出在工作溫度范圍內(nèi)，鉭電容和鈮電容的容量會隨著溫度的上升而上升。
損耗角正切（TAN）。
這是一個在電容器的能量損耗的測量。它表示，為棕褐色，是電容器的功率損耗其無功功率分為一組指定的正弦電壓頻率。也用的術(shù)語是功率因數(shù)，損耗因子和介電損耗。 COS（90 - ）是真正的功率因數(shù)。 “使用測量進(jìn)行測量譚橋梁，提供一個0.5V RMS120Hz 的正弦信號。
耗散與溫度的關(guān)系
耗散系數(shù)隨溫度變化的典型曲線表演。這些地塊是鉭和OxiCap 相同電容器。
耗散因數(shù)測量的切線損耗角（TAN），以百分比表示。測量DF 是開展測量橋梁供應(yīng)一個0.5V RMS120Hz 的正弦信號，免費(fèi)諧波與偏見2.2Vdc. DF 值是溫度和頻率依賴性。注意：對于表面貼裝產(chǎn)品所允許的最大DF 值表示的收視率表是很重要請注意，這些限額會見了由組件后基板上焊接。
耗散因數(shù)的頻率依賴性
隨著頻率的增加損耗因數(shù)所示鉭和OxiCap 廬電容器的典型曲線相同的AVX 鉭電容的阻抗（Z）。
這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個因素促成了鉭電容器的阻抗;半導(dǎo)體層的電阻電容價值和電極和引線電感。在高頻率導(dǎo)致的電感成為一個限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個因素的阻抗行為阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.
AVX 鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR.
阻力損失發(fā)生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機(jī)制，包括電阻元件和觸點，
粘性勢力內(nèi)介質(zhì)和生產(chǎn)旁路的缺陷電流路徑。為了表達(dá)對他們的這些損失的影響視為電容的ESR. ESR 的頻率依賴性和可利用的關(guān)系;ESR=譚δ2πfC 其中F 是赫茲的頻率，C 是電容法拉。ESR 是在25 ° C 和100kHz 的測量。ESR 是阻抗的因素之一，在高頻率（100kHz和以上）就變成了主導(dǎo)因素。從而ESR 和阻抗幾乎成了相同，阻抗僅小幅走高。
AVX 鉭電容的阻抗和ESR 的頻率依賴性。
ESR 和阻抗都隨頻率的增加。在較低頻率值作為額外的貢獻(xiàn)分歧阻抗（由于電容器的電抗）變得更加重要。除了1MHz 的（和超越電容的諧振點）阻抗再次增加由于電感，電容的。
典型ESR 和阻抗值是類似的鉭，鈮氧化物材料，從而在相同的圖表都有效鉭電容和OxiCap電容器。
AVX 代理談鉭電容的阻抗與溫度的關(guān)系和ESR.在100kHz，阻抗和ESR 的行為相同，隨著溫度的升高下降的典型曲線
鉭電容的浪涌電壓
AVX 鉭電容能承受的電壓和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個值夠高的電應(yīng)力會穿過電介質(zhì)，從而破壞了介質(zhì)。例如一個6 伏的鉭電容在額定電壓運(yùn)行時，有一個167 千伏/毫米電壓的電場。因此一定要確保整個電容器終端的電壓的決不會超過規(guī)定的浪涌電壓評級。作為鉭電容負(fù)極板層使用的半導(dǎo)體二氧化錳有自愈能力。
然而，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容，增加了元件的可靠性。額定電壓使用上常見的電壓軌跡，低阻抗鉭電容在電路進(jìn)行快速充電或放電時，保護(hù)電阻建議為1Ω/ V.如果達(dá)不到此要求應(yīng)使用鉭電容器降壓系數(shù)高達(dá)70%.在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個單一的電容。 A 系列組合應(yīng)被用來增加工作電壓的等效電容器：
例如，兩個22μF25V 系列部分相當(dāng)于一個11μF50V 的一部分。
是指電容在很短的時間經(jīng)過最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms（CECC 國家1KΩ）能承受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個小時時間內(nèi)可達(dá)到高達(dá)10 倍額度電壓并高達(dá)30 秒的時間。浪涌電壓只作為參考參數(shù)，不能用作電路設(shè)計的依據(jù)，在正常運(yùn)行過程中，電容應(yīng)定期充電和放電。
不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85 度及以下溫度時，分類電壓VC 等于額定電壓VR，浪涌電壓VS 等于額度電壓VR 的1.3 倍;在85 到125 度時，分類電壓VC 等于額定電壓VR 的0.66 倍，浪涌電壓VS 等于分類電壓VC 的1.3 倍。
鉭電容的反向電壓
AVX 鉭電容的反向電壓是有嚴(yán)格的限制的，具體如下：
在1.0V 25° C 條件下最大為10%的額定直流工作電壓
在0.5V 85° C 條件下最大為3%的額定直流工作電壓
在0.1V 125℃條件下最大為1%的額定直流工作電壓
反向電壓值均以鉭電容在任何時間上的最高電壓值為準(zhǔn)。這些限制是假設(shè)鉭電容器偏振光在其大多數(shù)的正確方向工作壽命。他們的目的是涵蓋短期逆轉(zhuǎn)如發(fā)生在開關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個印象深刻的波形的一小部分。連續(xù)施加反向電壓會導(dǎo)致兩極分化，將導(dǎo)致漏電流增大。在在何種情況下連續(xù)反向應(yīng)用電壓可能會出現(xiàn)兩個類似的電容應(yīng)采用與負(fù)端接背回配置連接在一起。在大多數(shù)情況下這種組合將有一個標(biāo)稱電容的電容的一半無論是電容。在孤立的脈沖條件或在最初幾個周期內(nèi)，電容可能的方法完整的標(biāo)稱值。反向電壓等級的設(shè)計蓋小級別游覽得天獨厚的條件弄錯極性。引用的值是不打算覆蓋連續(xù)的反向操作。
鉭電容的疊加交流電壓（Vr.m.s.）------又稱紋波電壓
這是最大的r.m.s.交流電壓;疊加一個特區(qū)電壓，可應(yīng)用到一個電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超過該類別電壓。
鉭電容的成型電壓。
這是在陽極氧化形成的電壓。 ”這個氧化層的厚度是形成電壓成正比一個電容器，并在設(shè)置額定電壓的一個因素。
貼片鉭電容并聯(lián)連接時的注意事項
（一）與鋁電解電容器并聯(lián)
為了降低成本，通常將鋁電解電容器與貼片鉭電容器并聯(lián)使用，使用時請注意以下幾點：
圖中Ir為紋波電流總和，ESR為電容器的等效串聯(lián)電阻，Zc為電容器容量成分的阻抗。
通過并聯(lián)連接的各電容器的紋波電流應(yīng)經(jīng)圖9的基本等效電路的值求得。
以100kHz～數(shù)MHz頻率為對象設(shè)計時，各電容器的容抗Zc極小可以省略，實際通過的紋波電流值應(yīng)由ESR決定，紋波電流的計算式如下：
Ir1＝Ir ?ESR2/（ESR1＋ESR2）
Ir2＝Ir ?ESR1/（ESR1＋ESR2）
設(shè)100uF鉭電容器的ESR1＝30 mΩ，1000uF鋁電容器的ESR2＝70
mΩ，總紋波電流Ir＝1000mA，則通過貼片鉭電容器的紋波電流為：
Ir1＝Ir ?ESR2/（ESR1＋ESR2）
＝1000 mA?70 mΩ/（30 mΩ＋70 mΩ）
＝700 mA
由此可見，只具有不到總?cè)萘渴种坏馁N片鉭電容器通過了70％的紋波電流。
綜上所述，貼片鉭電容器與鋁電容器并聯(lián)使用時，鋁電容器的主要作用是儲存能量，而吸收紋波主要靠貼片鉭電容器，因此在設(shè)計和使用時，一定要選擇具有充分容量的鉭電容器。
（二）與瓷介等高頻無極性電容器并聯(lián)
由于電解電容器的高頻特性較差，當(dāng)用于電源濾波及退耦電路時，通常的做法是在電解電容器旁并聯(lián)一只瓷介電容器，以改善電路的頻率響應(yīng)特性，如圖10所示。
在工作頻率范圍內(nèi)，要注意選擇具有合適頻率特性的高頻小容量電容器，方能正確彌補(bǔ)貼片鉭電容器高頻特性的不足。
以0～10MHz頻率為設(shè)計對象時，貼片鉭電容器的頻率響應(yīng)在100kHz以下，則要求瓷介電容器在100kHz～10MHz頻率范圍內(nèi)具有較小的阻抗，若在此選用1000pF以下電容器對改善高頻特性不會有多大作用。
如上所述，貼片鉭電容與小容量無極性電容器并聯(lián)使用時，要根據(jù)工作頻段注意匹配兩者之間的頻率特性。
對頻率響應(yīng)有較高要求的電路，通常將不同類型、不同容量的多只電容器并聯(lián)使用，以達(dá)到在很寬頻率范圍內(nèi)有良好的頻率響應(yīng)特性，如圖11所示：
