與晶體管相關歷史事件

　IBM將于12月在舊金山國際電子設備大會上介紹新晶體管設計方案的詳細內容，并于2005～2006年投入生產，其210GHz晶體管已于2001年6月推出，相關芯片在2003年末或2004年初上市。

　　2005年2月22日，財政部和國家稅務總局聯合下發《關于扶持薄膜晶體管顯示器產業發展稅收優惠政策的通知》對液晶顯示器生產企業實施一系列包括免征部分原材料進口關稅、部分生產設備進口關稅和增值稅、縮短生產性設備的折舊年限在內的稅收優惠政策。

　　專家認為每個晶體管最低價格底線出現在2003～2005年，從經濟觀點看，沒有必要把晶體管做得更小了。

　　到2005年，芯片所含晶體管數將高達幾十億只，頻率也將高達幾千兆赫。

　　預計在2005年將推出采用全新的TeraHertz晶體管架構的產品。

　　到2005年芯片上集成2億個晶體管時就會熱得像“核反應堆”進入2010年時芯片的溫度就會達到火箭發射時高溫氣體噴嘴的溫度水平，而到2015年芯片就會與太陽的表面一樣灼熱。

　　2005年公司才把研發重點轉向液晶玻殼，并與鄭州市建設投資總公司共同投資近22億元啟動薄膜晶體管液晶顯示器件玻璃基板生產線項目。

　　預計至2004年，hitel將可推出在新的直徑為300毫米（約12英寸）的晶圓片（晶圓片尺寸一般十年翻一番）上能夠刻出容納5億個晶體管的芯片。

　　例如，2004年投入應用的90nm藝，其中半節距為90nm，而晶體管的物理柵長為37nm

　　2004年業界已采用超薄SOI晶圓推出0.1μm1億個晶體管的高速CMOS電路。

　　夾海來風TFTLCD成為***下一波新產業投資焦點未來兩年內我國***在大型薄膜晶體管液晶顯示器（TFTLCD）產業的投資將近1000億元（新臺幣）根據“工研院電子所”估計，到2003年可以創造2000億元年產值，成為繼半導體產業之后，另一波帶動***經濟成長的重點產業。

　　2003年使用的90nm工藝又有了一些變化，同樣除了線長和門長度的縮短以外，應變硅 Strainedsi）被首次引入了晶體管中以解決晶 體管內部電流通路問題。

　　據統計，2003年單位芯片的晶體管數目與1963年相比增加了10億倍。

　　Barton：在2002年下半年，AMD將會發布應用SOI（硅連接）晶體管結構的Barton內核處理器。

　　結果從2002年1月1日起，我國對移動通信基站，移動通信交換機，大、中、小型計算機，噴墨、激光打印機，傳真機，電阻器，電位器，晶體管及集成電路等122個關稅稅目的主要信息技術產品實行零關稅，占我國信息技術產品總稅目（共251個）的49％左右。

　　2002年以來，日本以外的市場對彩色超向量扭曲薄膜晶體管LCD的需求激增。

　　根據中國加入世界貿易組織信息技術產品協議的承諾，2002年中國將對移動通信基站、移動通信交換機、大中小型計算機、噴墨、激光打印機、傳真機、電阻器、電位器、晶體管及集成電路等122個關稅稅目的主要信息技術產品實行零關稅。

　　2002年9月15日在美國硅谷舉辦的微處理器論壇上，世界芯片業霸主、美國英特爾公司表示，該公司將在2007年推出集成10億個晶體管和運行速度高達6GHz電腦芯片，讓世界芯片進入10億晶體管時代，同時證明摩爾定律這棵發明理論之樹常青。

　　2002年5月，IBM開發出速度遠超過現在最先進的硅晶體管的碳納米晶體管，實用化進程再次加速。

　　而在2001年年底到2002年年初的這段時間里，英特爾公司的產品線將全部轉移到0.13微米封裝工藝，所采用的晶體管制造技術為70納米。

　　2001年9月25日，投資金額14．8億美元的中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，在上海張江高新科技園區舉行了“中芯第一芯”投產慶典，慶祝第一片8英寸、0．25微米以下線寬（指芯片上晶體管之間的距離，越短則同一個芯片上可排列的晶體管越多，技術水平越高）的芯片上線生產。

　　2001年，貝爾實驗室發明了世界上第一個分子級晶體管，從而成為繼1947年發明，標志著通信和技術新時代到來的晶體管之后的又一個科學里程碑。

　　2001年7月18日，青島晶體管實驗所開島城科研院所改制之先河：130名職工出資100萬元將其買斷，斯時，這個實驗所在國有體制下經營了35年。

　　2001年6月，IBM宣布單個硅鍺晶體管的工作頻率達到210GHz，工作電流1mA，比上一代硅鍺晶體管速度提高了80%，功耗降低了50%。

　　2001年，Avouris等人利用此法制造成功了世界上第一列碳納米管晶體管1451。

　　2001年4月，IBM公司宣布1世界上每一個碳納米材料晶體管俘列，從而使“分子計算機”的理想于始走向現實。

　　2001年4月，IBM公司宣布世界上第一個碳納米材料晶體管陣列，從而使“分子計算機”的理想開始走向現實。

　　2000年英特爾公司推出“奔騰4”處理器，運行速度高達1.5GHz，集成的晶體管數量高達4200萬，每秒運算量高達15億次。

　　2000年 11月，容納4200萬個晶體管的奔騰4處理器的誕生，其卓越的創新使處理器技術跨入了第7代。

　　2000年 12月，英特爾公司率先在業界開發出柵極長度為30nm的單晶體管；2001年6月，英特爾又將這一紀錄提高到20nm；同年 11月 26日，英特爾宣布已開發出柵極長度僅為15nm的新型晶體管，同時單個晶體管的實際工作頻率已經能達到2．63THz。

　　到了2000年，每個設計工程師進行新設計時的生產率為2683個晶體管/周，而采用IP進行設計其生產率約為30000個晶體管/周，效率提高非常明顯，可以說IP重用是重要的生產力要素。

　　同時，毫米波功率晶體管可能在2000年前后轉到小批量的試制生產。

　　預計到2000年左右，全球將有1GDRAM和可包含500億只晶體管的單片系統問。

　　2000年初，美國貝爾實驗室開發出50 nm向晶體管，該晶體管建在芯片表面，電流垂直流動，在晶體管的兩個相對的面各有一個門，從而提高了運算速度。

　　例如，2000年中國從馬來西亞進口的28.8億美元的機電產品中，一半以上是顯像管、晶體管和集成電路。

　　隨著1999年9月第一批（TFT－LCD）彩色液晶顯示器的產出，中國內地不能生產薄膜晶體管彩色液晶顯示器的歷史宣告結束。

　　早在1999年，富士通投入８億美元在本州島建成了一座可以生產超薄晶體管的工廠，那些平薄如紙的晶體管全部用于制造柔軟的可卷曲的塑料液晶。

　　1999年初 全國各高空臺站開始使用晶體管回答器。

　　1998年，國際商用機器公司托馬斯?沃特森研究中心的費宗?阿武里斯和荷蘭德爾夫特科技大學的塞斯?德克爾證實，單個碳納米管具有晶體管功用。

　　自從1998年碳納米管應用于制作室溫下場效應 晶體管以來，對碳納米管制作納米尺度的分子器件的研究得到了長足的發展。

　　據1998年2月26日《科技日報》的報導，美國桑迪亞國家實驗室根據量子物理的基本原理制造出量子晶體管樣管，較好地解決了批量生產的工藝問題。

　　1998年3月 英特爾公司制成包含 7 0 2億個晶體管的集成電路芯片 這表明集成度這一微電子技術的重要指標 在不到 40年內便提高了7000萬倍。

　　1997年，包含750萬個晶體管的奔騰 處理器面世。

　　1997年，Intel推出了包含750萬個晶體管的奔騰 處理器，這款新產品集成了IntelMMX媒體增強技術，專門為高效處理視頻、音頻和圖形數據而設計。

　　1997年 Intel推出了包含750萬個晶體管的奔騰 處理器，集成了英特爾MMX媒體增強技術，專門為高效處理視頻、音頻和圖形數據而設計。

　　1997年，Intel推出了包含750萬個晶體管的奔騰 處理器。

　　在1997年，每個設計工程師進行新設計時的生產率為1100個晶體管/周，而采用IP模塊進行設計的生產率為2100個晶體管/周。

　　我們試制了具有較高輸入阻抗的晶體管放大器，1997年7月29日在主站端試用，結果激活了至周浜站的通道，連續數天的通信不中斷。

　　微處理器技術另一個突破是芯片制造技術的革新，IBM于1997年9月22日宣布了用銅代替鋁制造晶體管的新工藝，使電子線路體積更小，從而速度更快，效能更高。

　　1997年9月IBM公司宣布研制成功種銅鶩代鋁制作晶體管的新生產工藝。

　　自1997年起經過各廠家、用戶等有關部門的共同努力，目前全國絕大部分省局已經使用晶體管回答器。

　　1995年底開鮮的晶體管構造計劃，于1996年6月，第一批產靛經測試是非常成功的。

　　1995年該廠上了兩臺單倉式晶體管高壓靜電除塵器，用在成品兩臺球磨機上。

　　1995年11月9日首先對其中一臺晶體管勵磁裝置進行改造。

　　如索尼公司1995年掌握了晶體管方面的核心專長，生產出第一代晶體管收音機，體積小，每臺標價僅29.95美元，做到了價廉物美，迅速占領了世界市場。

　　1994年初美國LSI公司研制成功集成度達900萬個晶體管的邏輯芯片，0.5μｍ３Ｖ

　　日本松下公司最早用SMT制作10ｎｍ質量硅量子線，1994年在瑞士召開的國際納米工程會議上，首次展示用ＳＴＭ探針制作的晶體管單元電路。