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電阻抗有何意義?氣敏電阻的應用及其工作原理

2017年06月12日 17:28 網絡整理 作者: 用戶評論(0

  電阻抗有何意義?

  “電阻抗”可以定義為對電路中電流流動的表觀抵抗。從定量角度描述,阻抗是電路兩端的電壓與流進該電路電流之比(歐姆定律的廣義形式):

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  式中,Z為阻抗(Ω);V為Z兩端的電壓;I為通過Z的電流。

  深入理解阻抗的概念對于正確應用幾乎所有的電子儀器和正確解釋測量數據是非常重要的。只要將一臺測量儀器連接到另一器件,就應當關注額外的負載(即連接在器件上的總阻抗的變化)對器件的工作特別是對測量數值精確度的影響。

  誠然,測量儀器接到被測器件上要是不干擾被測器件的工作狀態,那么,測得值與不連接測量儀器時之值完全相同。遺憾的是,測量儀器需要從被測器件(通過抽取電流)吸取能量,于是,根據測量儀器和被測器件兩者阻抗大小的不同,將在一定程度上改變器件的工作狀態。例如,利用普通的低阻抗指針式多用表測量電壓,幾乎所有電子電路都要受到影響。在晶體管電路中的電壓讀數低10%~20%是很典型的。另一方面,高阻抗式電阻多用表(DMM)的讀數并不明顯低于所有未受干擾電路的讀數。不過,像場效應管電路這樣的極高阻抗電路除外。

  在包含信號源,如信號發生器和脈沖發生器的情況下,測量儀器輸出信號的幅度僅僅是在其輸出端連接指定阻抗時校準的。除非對相關的阻抗電平進行校正,否則,任何其它的阻抗值都將導致幅度誤差。不僅如此,除非使信號源的輸出端阻抗等于連接電纜和負載的阻抗(實現這一條件叫做“阻抗匹配”),否則,會產生令人討厭的信號反射,從而導致校準誤差并在許多情況中引起虛假信號。在連接喇叭、指示儀表(如表頭、記錄儀)和瓦特計等輸出設備時,作類似的考慮是很重要的。

  鑒于阻抗電平與信號的頻率和波形有關,故凡與阻抗相關的測量問題都是很復雜的。通常,在低的音頻波段對測試器件影響不大的儀器,到了幾百千赫就完全不能使用,其原因在于這樣高的頻率下儀器加載效應十分嚴重。

  二、阻抗的概念

  流進電路的電流作為外加電壓的結果,由電路的阻抗決定。阻抗越高,電路“阻礙”電流流動越強烈,因而電流之值越小。將電氣系統的電流模擬為水通過管道系統而流動,對尚未入門的讀者建立概念是有幫助的。流過一根管道系統的水量決定于兩個因素:入口的水壓以及水管的基本特性,如尺寸、形狀和光滑度等。水的流量模擬通過電路的電子流即電流;水的強迫壓力模擬外加電壓;而限制和阻礙水流的水管特性模擬電路阻抗。這樣一來,對于給定的壓力,可以采用安裝閥門改變水管系統阻力的方法來改變水的流動。同樣,當電壓給定時,可以采用改變電路阻抗的方法來控制電流。

  對于直流電源情況,電路的阻抗簡單的是等效串聯電阻R(單位:歐姆)。電阻R的定義是外加電壓V(單位:伏特)與得到的電流I(單位:安培)之比。正如電路中因外加直流電壓而流動的電流是由直流電阻決定一樣,因時變電壓引起的電流由對時變信號呈現的電路阻抗(包含電路的電感、電容加電阻)決定。因此阻抗Z普遍適用的定義是電路兩端的電壓V與流進該電路的電流I之比。這個定義包括時變效應。像直流電路電阻的情況一樣,公認的阻抗單位是歐姆。

  對于正弦變化的電壓(交流信號)這一普遍而重要的情況,電路的阻抗Z可以是一個復數。它是串聯電阻R和電抗X之和:

  Z=R+JX

  式中j指出電流與電壓在電抗中的時間相位差90°。

  1、串聯電路的阻抗

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  具有電阻R和電抗X的簡單串聯電路

  如上圖,外加總電壓V必須出現在兩個串聯器件R和X上。因為電流I只有一條通路,它必須流經R和X兩者,所以,這個簡單的電路表示為串聯電路。根據歐姆定律,R兩端的電壓VR必須是IR,X兩端的電壓VX必須是IX。但是,跨接在R和X兩端的總電壓不是兩個幅度的簡單相加∣VR∣+∣VX∣。雖然電阻兩端的電壓與電流同相,但電抗兩端的電壓與電流不同相。

  如下圖,電壓和電流曲線表明,在電抗上存在90°的相位關系。如圖中所見,電路兩端的電壓不單單是兩個電壓分量之和,而且還依賴兩者的相位關系。電路任何時刻的瞬時電壓等于同一時刻兩個瞬時電壓分量(VR和VX)之和。

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  簡單串聯電路電流I、電阻兩端電壓VR、電抗兩端電壓VX和電路總電壓V隨時間變化的曲線

  于是,可以將阻抗關系Z=R+JX認為是兩個阻抗分量的基本定義:電阻R的電壓與電流同相,而電抗X兩端的電壓超前于電流90°(如果電抗為負數,那么電壓滯后于流過該電抗的電流)。可以通過作圖將阻抗Z=R+JX形象化。

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  串聯電路的復阻抗圖

  箭頭符號的長度表示幅度,單位為歐姆,角度θ是阻抗的相位角

  如上圖,沿水平軸(實軸)畫R,沿垂直軸(虛軸)畫X。X相對于R畫成90°,以體現X前的j所表示的90°相位關系。總阻抗為R與X兩個分量之和,它們是垂直的。因此,兩者不僅僅構成代數和,而是必須構成上圖所示的復數之和。

  采用合成箭頭的長度與相位角θ表示該復數和,可以將這種極坐標形式的阻抗寫成:

  Z=∣Z∣∠θ

  式中,∣Z∣為V對I的幅度之比;∠θ為電流滯后于電壓的電角度。

  對于無源電路,θ介于-90°和+90°之間。電抗可以為正或為負,負角度意味著電流超前于電壓,這是負電抗的結果。阻抗的這兩種形式等效并可以通過復函數的初等運算進行轉換:

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  如果將電抗表示成極坐標形式(∣Z∣∠θ),轉換為電阻和電抗的逆運算是:

  R=∣Z∣cosθ

  X=∣Z∣sinθ

  無源電路元件只有三種基本類型:電阻,電容和電感。電阻自然采用電壓與電流同相(θ=0)加以辨別,而電容是負電抗(θ=-90°),電感為正電抗(θ=+90°)。電路的總電抗X與整個等效串聯電感L和電容C通過下列關系式相聯系:

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  式中,f為外加正弦電壓的頻率(赫茲);L為電感(亨利);C為電容(法拉)。

  2、并聯電路的阻抗

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  簡單并聯電路

  如上圖,同電流流過電路元件的串聯電路相反,并聯電路或分流電路以所有元件都連接一個共同電壓為其特征。這種并聯電路的阻抗可以找到等效的串聯形式,或者像常說的那樣,并聯電路的阻抗可以采用下面表示式組合而成:

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  式中,Zp是兩個阻抗Z1和Z2相并聯的等效阻抗

  三、輸入阻抗和輸出阻抗

  1、輸入阻抗

  電路器件的“輸入阻抗”是輸入端的外加電壓與流進輸入端的電流之比(如下圖)

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  式中Zin為輸入阻抗;Vin為輸入端的外加電壓;Iin為流進輸入端的電流。

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。
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  器件的輸入阻抗

  在外加直流電壓情況下,輸入阻抗是一個電阻;可是,對于交流信號情況,必須采用包含相位關系的一般阻抗。僅僅是在輸入電流恰巧與外加電壓相位相同時,輸入阻抗才是純電阻(電抗等于0)。低輸入阻抗器件比高輸入阻抗器件從給定的外加電壓源吸收更多電流,或者說低阻抗器件比高阻抗器件對源“加載”更重。于是得出結論:測量儀器的輸入阻抗將決定任何一個器件的工作狀態被外加測量儀器改變的程度。因此任何一臺測量儀器連接之前,都應當首先考慮該儀器的輸入阻抗是否合適,然后才將它接上電路。

  2、輸出阻抗

  器件的“輸出阻抗”是負載所看到的等效源阻抗。只有把一對端子處的有源器件看成一個信號源時,輸出阻抗才有意義(如圖)。

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  為了確定電流和電壓,儀器可以用等效電路代替

  “等效阻抗”這個術語意味著該器件可以用一等效電路(戴維寧等效電路)代替。在圖中,電壓源是無負載時的輸出電壓,Zout是所有有源器件都用它們的內阻抗代替時向器件看回去的阻抗。

  輸出阻抗可借助于器件無負載時的輸出電壓表達:

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  式中Zout為輸出阻抗;Voc為源的開路電壓;VL為負載電壓;IL為負載電流。

  這個表示式表達了一個思想:當器件連接負載時,輸出電壓(Voc-VL)由輸出阻抗直接確定。

  可以將輸出阻抗看成為器件對加載的敏感程度,即輸出阻抗越低,負載對輸出電壓的影響越小。當電流給定,較低輸出阻抗兩端的電壓降較低,于是輸出電壓較高。

  3、輸入阻抗和輸出阻抗的確定

  在電子器件的輸入阻抗和輸出阻抗可以通過測量相應的電壓對電流之比由實驗確定,或者,如果已知儀器的內部參數則可由計算確定。不過,一般都不必如此,因為儀器手冊上的測量使用說明書會列出輸入阻抗和輸出阻抗。在設計頻率上,這兩個阻抗近似為一個純電阻。阻抗“50Ω”和“50Ω輸出阻抗”之類的聲明意味著,在正常的工作頻率范圍內電抗基本上等于零。

  在某些應用中,可以不必確切知道輸入阻抗和輸出阻抗。通常這兩個參數能夠采用相應的儀器測得。根據輸入阻抗定義,如果能夠測定輸入電壓、輸入電流及各自的相位角,那么輸入阻抗就確定下來。最方便的辦法就是使用阻抗電橋或其它阻抗測量儀器在希望的頻率加電直接實際測量。

  輸出阻抗還能夠使用阻抗電橋在器件處于工作狀態的情況下測量,但這時要抑制其輸出,使其不影響電橋。如果輸出阻抗幾乎是純電阻,那么先測得開路電壓,再用一個已知的電阻作負載,然后測量有負載時的輸出電壓,則可采用簡單的計算法確定輸出阻抗:

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  式中Rout為輸出電阻值,RL為負載電阻值;Voc為開路電壓;VL為負載電壓。

  應用這個方法,應當小心,不要超過儀器的輸出能力。

  四、儀器輸入阻抗和輸出阻抗對測量的影響

  在大多數測量場合,希望測量儀器不從被測器件汲取任何可觀的功率。

  1、并聯連接的儀器(電壓表、示波器、邏輯探頭等)

  如下圖,為了測量和顯示電路中的電壓,通常將電壓表或示波器之類的測量儀器與元件并聯(平行)連接。在這種情況下,必須考慮測量儀器因其輸入阻抗有限的加載影響。A點相對于B點的電壓應由電壓表汲取的電流IV修正。只有這個電流與電路電流IC相比可以忽略不計,電壓表讀出的值才和電壓表連接之前在A點的值相同。對于這些儀器,理想情況應當是輸入阻抗無限大。也就是表現為開路,不汲取電流,因此對電路不呈現加載。雖然這個條件不可能實現,但是,如果確定測量儀器的輸入阻抗比待測器件的輸出阻抗高很多(通常為20倍或更高,視要求的精確度而定),那么,該儀器的加載效應可以忽略不計。否則,必須對加載效應進行校正。按照“分壓器”作用,電壓將從被測件的無負載輸出電壓下降。

  無負載輸出電壓與指示電壓的關系式為:

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  式中,Vind為指示電壓;Voc為開路(無負載)電壓;Zin為測量儀器的輸入阻抗;Zout為待測電路的等效輸出阻抗。

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  (a)電壓表跨接電路AB兩點并聯連接;(b)測量裝置(a)的等效電路

  應該記住,Zin和Zout一般與頻率有關,因為它們帶電抗,所以,指示的電壓也與頻率有關。總的說來,Zin的并聯影響(因為儀器的輸入電容)在較高頻率下變得更嚴重,產生“高頻滾降”或阻抗減小,從而在較高頻率加載較重(見下圖):

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  (a)測量裝置的等效電路,其中Zin包含有并聯電容;(b)Zin的幅度對頻率的變化

  此外,由于并聯電容的影響,變化急劇的非正弦波形將變得圓滑,這是因為對電容充電的時間不等于零所致。下圖用方波信號源說明了這個概念。

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  (a)儀器連接前電路上的方波;(b)因為儀器的并聯電容而使電壓波形變得圓滑

  除了由于測量儀器加載導致的幅度減小外,如果因測量儀器的并聯而使加載劇烈,還可導致被測電路或被測件永久損壞。

  以采用分壓器探頭犧牲靈敏度為代價能夠降低測量儀器的加載效應。下圖中通用的10:1探頭,提高阻抗電平10倍,但也衰減信號10倍。

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  10:1分壓器探頭提高并聯儀器的輸入阻抗

  2、串聯連接的儀器(電流表等)

  在少數測量工作中,不是將儀器同電路并聯連接,而是必須斷開電路串聯接入儀器。一個顯著的例子如下圖。

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  斷開AB兩點之間的電路,串聯插入電流表測量

  在這種情況下,儀器輸入阻抗ZA的理想化數值與前述的并聯連接儀器相反,即電流表應呈現短路(ZA=0)。當電流表接入時,為了不干擾該電路,電流I和電壓Vin應當與上圖(a)中的相同。這意味著電流表兩端的電壓降VA必須忽略不計,而這又意味著電流表引入的串聯阻抗必須忽略不計。當然,一切實際電流表的輸入阻抗并不等于零,所以在測量中必須仔細保持電流表的阻抗遠遠低于電路阻抗(比如20倍)。實際需要的倍數與要求的精確度有關。應當記住,對于大多數情況下遇到的阻抗之值都是能夠進行修正的。

  在這里應該提到,許多電流表屬于“鉗形”式電流表。這種電流表的探頭先張開鉗夾。然后環繞緊貼電線測量電流。這些儀器起著變換器的作用,通過感應耦合介入被測電路,而不是像上面描述的那樣直接插進被測阻抗中。

  五、阻抗匹配

  1、使輸出阻抗與負載匹配

  大多數涉及波形發生器(脈沖發生器,射頻發射機等)的場合均需利用傳輸線,一般是通過同軸電纜把能量從信號源傳輸至被激勵器件的輸入端口。這些都是考慮阻抗匹配的重要典型情況。此外,還有許多頻率較低的場合,如音頻放大器驅動揚聲器和其它的一些機電變換器,也都需要利用阻抗匹配實現高效率的功率傳輸、得到合適的阻尼等等。

  如果信號源具有RΩ的純電阻輸出阻抗,那么,使負載或后接設備的輸入阻抗也等于RΩ就實現了阻抗匹配(暫時忽略以下即將討論的連接電纜影響)。可以證明,這個匹配條件對于向負載傳輸最大功率是必須的。

  如果信號源的輸出阻抗包含電抗(Zout=R0+jX0),那么可定義兩種所謂的匹配條件。第一種匹配條件是鏡像匹配,這種情況在負載阻抗也等于R0+jX0,時發生;第二種匹配條件是實現最大功率傳輸,也就是所謂的共軛匹配或功率匹配,這種匹配往往更加需要。

  共軛匹配如下圖所示,使負載電阻等于源電阻、負載電抗幅度等于源電抗幅度但符號相反,即ZL=R0-jX0),電路總阻抗相加,X0和XL抵消為零,只留下R0。這個條件等效于令電路串聯諧振,因此,電阻R0和RL匹配,得到最大功率傳輸。

以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  從發生器到負載RL的最大功率傳輸條件

  2、儀器的互連

  當連接射頻信號或其它交流信號時很少使用敞開的導線。因為它產生輻射,從而損失能量,產生邊緣場,系統也產生撿拾干擾。導線之間和周圍物體之間的電容效應也可能產生一些嚴重的不利影響。通常,使用固定阻抗的連接器和同軸電纜或波導之類的傳輸線來傳輸能量更加有效和可以預測。為了正確使用儀器,必須考慮這些傳輸線對阻抗的影響。

  在音頻應用中,不必使用上述傳輸線,通常采用扭絞線對。在如此低的頻率,導線對阻抗的影響非常小,因此可以認為輸出阻抗和負載阻抗匹配良好而忽略互連導線的影響。

  3、傳輸線的影響

  一切傳輸線都有一個稱為“特性阻抗”Z0的基本參數,特性阻抗決定了傳輸線的阻抗電平。這個特性阻抗可以定義為一根理想無限長傳輸線的輸入阻抗。理解此概念的一個有益方法是考慮將信號饋入延伸至無窮遠的傳輸線的一端。由于電信號具有有限的傳播時間,從傳輸線輸入端出發的任何信號永遠達不到另一端。這樣發生器決不“知道”傳輸線另一端的負載等于多少。這樣便提出一個問題,即“如果發生器輸出電壓已知,那么,傳輸線起始處的電流為多大?”這個電流由該傳輸線的串聯電感和并聯電容確定。決定這個電壓、電流關系的阻抗稱為“特性阻抗”。在傳輸線最有用的頻率范圍,這個阻抗非常接近于一個數值較小的恒定電阻,其值一般在25Ω~600Ω。

  最常用的傳輸線具有50Ω的特性阻抗,因此叫做“50Ω系統”。還經常遇到75Ω系統,偶爾碰到93Ω系統。特性阻抗為Z0的傳輸線如果端接以阻抗Z0,則它的輸入阻抗也將為Z0。例如50Ω的傳輸線在另外一端連接50Ω的電阻,不論傳輸線多長,它的輸入阻抗都將是50Ω。

  大多數帶有高頻分量的信號源輸出阻抗都近似等于50Ω電阻。如果將這種信號源連接到50Ω負載,只需使用一根50Ω的連接電纜就可簡單的實現系統匹配。在其它情況下,可望采用串聯電抗、阻抗變換器或其它阻抗匹配技術將負載和源阻抗變換到與常用傳輸線阻抗相匹配的數值。

  電信號在傳輸線上傳輸需花費時間,于是,必須考慮信號傳播的延遲時間。對于大多數同軸電纜,傳播速度近似為在自由空間中光速的三分之二,其值大約是2x108m/s。這意味著每100英尺電纜的傳播時間大約為160ns(信號在這根電纜上傳播100英尺費時160ns)。

  六、阻抗失配的影響

  系統不匹配帶來許多問題。終端阻抗不等于特性阻抗的傳輸線,其輸入阻抗一般與該終端阻抗相差很大。傳輸線以復雜的方式變換著阻抗,它與傳輸線長度、工作頻率以及傳輸線失配程度有關系。阻抗變換基于這樣一個事實,即入射到負載的所有能量不像匹配情況那樣被全部吸收,部分能量將在傳輸線上向著信號源的方向反射,從而在傳輸線上形成駐波。結果,如不經測量或計算就不知道對發生器呈現的負載有多大。傳給負載的功率將小于最大功率,同時傳輸線上的駐波將增大傳輸線的損耗。對脈沖源來說,失配傳輸系統上的來回反射可能成為特別令人煩惱的問題。

  反射是因信號在傳輸線上的傳輸時間有限所引起的。當發生器發出一個脈沖到傳輸線時,發生器是將脈沖發給傳輸線的特性阻抗。因此,發送到傳輸線的功率與傳輸線末端上的負載無關。當脈沖到達傳輸線的末端時,如果失配,部分功率將被反射,于是,脈沖將沿傳輸線反向傳播。在發生器也適配的極端情況下,傳輸線上將存在大量的反射脈沖或多次來回反射的脈沖,輸入的每一個單脈沖都引起輸出端處的多重脈沖。

  與不匹配系統相關聯的最后一個問題是信號發生器輸出的校準。正常情況下,信號發生器的輸出在指定的匹配負載狀態,也就是把一個等于發生器輸出阻抗的電阻連接到輸出端的情況下進行校準。在這種匹配狀態下,負載兩端和發生器內阻抗呈現的電壓相等,校準將是準確的。這意味著,如果發生器實質上沒有加載,那么它的輸出電壓將是列出的匹配輸出值之兩倍。如果等效負載的幅度小于Z0,則輸出端的電壓將低于校準值。此外,極端的負載(接近短路)可能使波形畸變。

  氣敏電阻的應用及其工作原理

  一、氣敏電阻的工作原理及其特性

  氣敏電阻是一種半導體敏感器件,它是利用氣體的吸附而使半導體本身的電導率發生變化這一機理來進行檢測的。人們發現某些氧化物半導體材料如SnO2、ZnO、Fe2O3、MgO、NiO、BaTiO3等都具有氣敏效應。

  常用的主要有接觸燃燒式氣體傳感器、電化學氣敏傳感器和半導體氣敏傳感器等。接觸燃燒式氣體傳感器的檢測元件一般為鉑金屬絲(也可表面涂鉑、鈀等稀有金屬催化層),使用時對鉑絲通以電流,保持300℃~400℃的高溫,此時若與可燃性氣體接觸,可燃性氣體就會在稀有金屬催化層上燃燒,因此,鉑絲的溫度會上升,鉑絲的電阻值也上升;通過測量鉑絲的電阻值變化的大小,就知道可燃性氣體的濃度。電化學氣敏傳感器一般利用液體(或固體、有機凝膠等)電解質,其輸出形式可以是氣體 直接氧化或還原產生的電流,也可以是離子作用于離子電極產生的電動勢。半導體氣敏傳感器具有靈敏度高、響應快、穩定性好、使用簡單的特點,應用極其廣泛;半導體氣敏元件有N型和P型之分。

  N型在檢測時阻值隨氣體濃度的增大而減小;P型阻值隨氣體濃度的增大而增大。象SnO2金屬氧化物半導體氣敏材料,屬于 N型半導體,在200~300℃溫度它吸附空氣中的氧,形成氧的負離子吸附,使半導體中的電子密度減少,從而使其電阻值增加。當遇到有能供給電子的可燃氣 體(如CO等)時,原來吸附的氧脫附,而由可燃氣體以正離子狀態吸附在金屬氧化物半導體表面;氧脫附放出電子,可燃行氣體以正離子狀態吸附也要放出電子, 從而使氧化物半導體導帶電子密度增加,電阻值下降。可燃性氣體不存在了,金屬氧化物半導體又會自動恢復氧的負離子吸附,使電阻值升高到初始狀態。這就是半 導體氣敏元件檢測可燃氣體的基本原理。

  目前國產的氣敏元件有2種。一種是直熱式,加熱絲和測量電極一同燒結在金屬氧化物半導體管芯內;另一種是旁熱式,這種氣敏元件以陶瓷管為基底,管內穿加熱絲,管外側有兩個測量極,測量極之間為金屬氧化物氣敏材料,經高溫燒結而成。

  以SnO2氣敏元件為例,它是由0.1--10um的晶體集合而成,這種晶體是作為N型半導體而工作的。在正常情況下,是處于氧離子缺位的狀態。當遇到離解能較小且易于失去電子的可燃性氣體分子時,電子從氣體分子向半導體遷移,半導體的載流子濃度增加,因此電導率增加。而對于P型半導體來說,它的晶格是陽離子缺位狀態,當遇到可燃性氣體時其電導率則減小。

  氣敏電阻的溫度特性所示,圖中縱坐標為靈敏度,即由于電導率的變化所引起在負載上所得到的值號電壓。由曲線可以看出,SnO2在室溫下雖能吸附氣體,但其電導率變化不大。但當溫度增加后,電導率就發生較大的變化,因此氣敏元件在使用時需要加溫。

  氣敏電阻靈敏度與溫度的關系

  此外,在氣敏元件的材料中加入微量的鉛、鉑、金、銀等元素以及一些金屬鹽類催化劑可以獲得低溫時的靈敏度,也可增強對氣體種類的選擇性。

  氣敏電阻根據加熱的方式可分為直熱式和旁熱式兩種,直熱式消耗功率大,穩定性較差,故應用逐漸減少。旁熱式性能穩定,消耗功率小,其結構上往往加有封壓雙層的不銹鋼絲網防爆,因此安全可靠,其應用面較廣。

  1、氧化鋅系氣敏電阻

  ZnO是屬于N型金屬氧化物半導體,也是一種應用較廣泛的氣敏器件。通過摻雜而獲得不同氣體的選擇性,如摻鉑可對異丁烷、丙烷、乙烷等氣體有較高的靈敏度,而摻鈀則對氫、一氧化碳、甲烷,煙霧等有較高的靈敏度。這種氣敏元件的結構特點是:在圓形基板上涂敷ZnO主體成分,當中加以隔膜層與催化劑分成兩層而制成。例如生活環境中的一氧化碳濃度達0.8~1.15 ml/L時,就會出現呼吸急促,脈搏加快,甚至暈厥等狀態,達1.84ml/L時則有在幾分鐘內死亡的危險,因此對一氧化碳檢測必須快而準。利用SnO2 金屬氧化物半導體氣敏材料,通過顆粒超微細化和摻雜工藝制備SnO2納米顆粒,并以此為基體摻雜一定催化劑,經適當燒結工藝進行表面修飾,制成旁熱式燒結 型CO敏感元件,能夠探測0.005%~0.5%范圍的CO氣體。

  2、氧化鐵系氣敏電阻

  當還原性氣體與多孔的接觸時,氣敏電阻的晶粒表面受到還原作用轉變為,其電阻串迅速降低。這種敏感元件用于檢測烷類氣體特別靈敏。

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( 發表人:易水寒 )

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