2.3.1 半導體二極管的結構類型

　　在PN結上加上引線和封裝，就成為一個二極管。二極管按結構分有點接觸型、面接觸型和平面型三大類。它們的結構示意圖如下圖所示。

(1) 點接觸型二極管—PN結面積小，結電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。

點接觸二極管的結構示意圖

(2) 面接觸型二極管—PN結面積大，用于工頻大電流整流電路。

面接觸型

(3) 平面型二極管—往往用于集成電路制造工藝中。PN 結面積可大可小，用于高頻整流和開關電路中。

平面型

2.3.2 半導體二極管的伏安特性曲線

　　半導體二極管的伏安特性曲線如圖01.12所示。處于第一象限的是正向伏安特性曲線，處于第三象限的是反向伏安特性曲線。根據理論推導，二極管的伏安特性曲線可用下式表示

式中IS 為反向飽和電流，V 為二極管兩端的電壓降，VT =kT/q 稱為溫度的電壓當量，k為玻耳茲曼常數，q 為電子電荷量，T 為熱力學溫度。對于室溫（相當T=300 K），則有VT=26 mV。

二極管的伏安特性曲線

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(1) 正向特性

　　當V＞0即處于正向特性區域。正向區又分為兩段：

　　當0＜V＜Vth時，正向電流為零，Vth稱為死區電壓或開啟電壓。

　　當V＞Vth時，開始出現正向電流，并按指數規律增長。

　　硅二極管的死區電壓Vth=0.5 V左右，

　　鍺二極管的死區電壓Vth=0.1 V左右。

(2) 反向特性

　　當V＜0時，即處于反向特性區域。反向區也分兩個區域：

　　當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS 。

　　當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓 。

反向特性

　　在反向區，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。

　　從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7V時,主要是雪崩擊穿；若|VBR|≤4V時, 則主要是齊納擊穿。當在4V～7V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數點。

.3.1 半導體二極管的結構類型

　　在PN結上加上引線和封裝，就成為一個二極管。二極管按結構分有點接觸型、面接觸型和平面型三大類。它們的結構示意圖如下圖所示。

(1) 點接觸型二極管—PN結面積小，結電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。

點接觸二極管的結構示意圖

(2) 面接觸型二極管—PN結面積大，用于工頻大電流整流電路。

面接觸型

(3) 平面型二極管—往往用于集成電路制造工藝中。PN 結面積可大可小，用于高頻整流和開關電路中。

平面型

2.3.2 半導體二極管的伏安特性曲線

　　半導體二極管的伏安特性曲線如圖01.12所示。處于第一象限的是正向伏安特性曲線，處于第三象限的是反向伏安特性曲線。根據理論推導，二極管的伏安特性曲線可用下式表示

式中IS 為反向飽和電流，V 為二極管兩端的電壓降，VT =kT/q 稱為溫度的電壓當量，k為玻耳茲曼常數，q 為電子電荷量，T 為熱力學溫度。對于室溫（相當T=300 K），則有VT=26 mV。

二極管的伏安特性曲線

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(1) 正向特性

　　當V＞0即處于正向特性區域。正向區又分為兩段：

　　當0＜V＜Vth時，正向電流為零，Vth稱為死區電壓或開啟電壓。

　　當V＞Vth時，開始出現正向電流，并按指數規律增長。

　　硅二極管的死區電壓Vth=0.5 V左右，

　　鍺二極管的死區電壓Vth=0.1 V左右。

(2) 反向特性

　　當V＜0時，即處于反向特性區域。反向區也分兩個區域：

　　當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS 。

　　當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓 。

反向特性

　　在反向區，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。

　　從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7V時,主要是雪崩擊穿；若|VBR|≤4V時, 則主要是齊納擊穿。當在4V～7V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數點。

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