LED燈的分類?
?LED燈的分類
1． LED燈按發光管發光顏色分
?????? 按發光管發光顏色分，可分成紅色、橙色、綠色（又細分黃綠、標準綠和純綠）、藍光等。另外，有的發光二極管中包含二種或三種顏色的芯片。
?????? 根據發光二極管出光處摻或不摻散射劑、有色還是無色，上述各種顏色的發光二極管還可分成有色透明、無色透明、有色散射和無色散射四種類型。散射型發光二極管和達于做指示燈用。
2． LED燈按發光管出光面特征分
?????? 按發光管出光面特征分圓燈、方燈、矩形、面發光管、側向管、表面安裝用微型管等。圓形燈按直徑分為φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。國外通常把φ3mm的發光二極管記作T-1；把φ5mm的記作T-1（3/4）；把φ4.4mm的記作T-1（1/4）。
?????? 由半值角大小可以估計圓形發光強度角分布情況。
?????? 從發光強度角分布圖來分有三類：
（1）高指向性。一般為尖頭環氧封裝，或是帶金屬反射腔封裝，且不加散射劑。半值角為5°～20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或與光檢出器聯用以組成自動檢測系統。
（2）標準型。通常作指示燈用，其半值角為20°～45°。
（3）散射型。這是視角較大的指示燈，半值角為45°～90°或更大，散射劑的量較大。
3． 按發光二極管的結構分
按發光二極管的結構分有全環氧包封、金屬底座環氧封裝、陶瓷底座環氧封裝及玻璃封裝等結構。
4． 按發光強度和工作電流分
?????? 按發光強度和工作電流分有普通亮度的LED（發光強度100mcd）；把發光強度在10～100mcd間的叫高亮度發光二極管。一般LED的工作電流在十幾mA至幾十mA，而低電流LED的工作電流在2mA以下（亮度與普通發光管相同）。
??????? 除上述分類方法外，還有按芯片材料分類及按功能分類的方法
led芯片分類
1.MB芯片定義與特點
定義﹕
?????? MB 芯片﹕Metal Bonding (金屬粘著）芯片﹔該芯片屬于UEC 的專利產品
特點﹕
???? 1、 采用高散熱系數的材料---Si? 作為襯底﹐散熱容易.
Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
???? 2、通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收.
???? 3、導電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4?? 倍)，更適應于高驅動電流領域。
???? 4、底部金屬反射層﹐有利于光度的提升及散熱
???? 5、尺寸可加大﹐應用于High power 領域﹐eg : 42mil MB
2.GB芯片定義和特點
定義﹕
?????? GB 芯片﹕Glue Bonding (粘著結合）芯片﹔該芯片屬于UEC 的專利產品
特點﹕
???????? 1﹕透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底.
???????? 2﹕芯片四面發光﹐具有出色的Pattern圖
???????? 3﹕亮度方面﹐其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)
???????? 4﹕雙電極結構﹐其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片
3.TS芯片定義和特點
定義﹕
?????? TS 芯片﹕ transparent structure(透明襯底)芯片﹐該芯片屬于HP 的專利產品。
特點﹕
??? 1.芯片工藝制作復雜﹐遠高于AS LED
??? 2. 信賴性卓越
??? 3.透明的GaP襯底﹐不吸收光﹐亮度高
??? 4.應用廣泛
4.AS芯片定義與特點
定義﹕
?????? AS 芯片﹕Absorbable structure? (吸收襯底）芯片﹔經過近四十年的發展努力﹐***LED光電業界對于該類型芯片的研發﹑生產﹑銷售處于成熟的階段﹐各大公司在此方面的研發水平基本處于同一水平﹐差距不大.
????? 大陸芯片制造業起步較晚﹐其亮度及可靠度與***業界還有一定的差距﹐在這里我們所談的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特點﹕
??? 1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工藝制備﹐亮度相對于常規芯片要亮
??? 2. 信賴性優良
??? 3. 應用廣泛
發光二極管芯片材料磊晶種類
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs
3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN
4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs
5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (雙異型結構) GaAlAs/GaAs
6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure，? (雙異型結構) GaAlAs/GaAlAs