場(chǎng)效應(yīng)管是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的一種半導(dǎo)體器件，是僅由一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件。從參與導(dǎo)電的載流子來(lái)劃分，它有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。
場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型和MOS型兩種，結(jié)型包括N溝溝道和P溝道，MOS型也包括N溝道和P溝道兩種，它們分別包含了增強(qiáng)型和耗盡型。
1. N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管是一種利用耗盡層寬度改變導(dǎo)電溝道的寬窄來(lái)控制漏極電流的大小的器件。它是在N型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)各制造一個(gè)PN結(jié)，形成兩個(gè)PN結(jié)夾著一個(gè)N型溝道的結(jié)構(gòu)。P區(qū)即為柵極g(G)，N型硅的一端是漏極d(D)，另一端是源極s(S)。
箭頭方向表示柵結(jié)正偏或正偏時(shí)柵極電流方向。
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)動(dòng)畫
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（1）VGS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響：
(a) VGS=0，VDS=0,ID=0
VP(VGS(OFF) )：夾斷電壓柵源之間是反偏的PN結(jié)，RGS>107Ω，所以IG=0
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(b) 0<│VGS│< │VP│ (c) |VGS | = │VP│ ，
│VGS│↑→耗盡層變寬 導(dǎo)電溝道被全夾斷
（2）VDS>0 但|VGS-VDS| < | VP | ，時(shí)
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(a) VDS增加，d端電位高，s端電位低，導(dǎo)電溝道內(nèi)存在電位梯度，所以耗盡層上端變寬。
VDS↑→ ID ↑
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(b)| VGS- VDS | = | VP |時(shí)，導(dǎo)電溝道在a點(diǎn)相遇，溝道被夾斷。
VGS=0時(shí)，產(chǎn)生夾斷時(shí)的ID稱為漏極飽和電流IDSS
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(c) VDS↑→夾端長(zhǎng)度↑場(chǎng)強(qiáng)↑→ ID=IDSS基本不變。
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輸出特性: 表示VGS一定時(shí)，iD與VDS之間的變化關(guān)系。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性動(dòng)畫
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(1) 截止區(qū)（夾斷區(qū)）
如果VP= -4V，
VGS= -4V以下區(qū)域就是截止區(qū)
VGS≤ VP ID=0
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(2) 放大區(qū)（恒流區(qū)）產(chǎn)生夾斷后，VDS增
大，ID不變的區(qū)域
│VGS -VDS │≥│VP│
VDS↑→ID不變
處于恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管相當(dāng)于一個(gè)壓控電流源
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(2) 飽和區(qū)（可變電阻區(qū)）
未產(chǎn)生夾斷時(shí)，VDS增大，ID隨著增大的區(qū)域
│VGS -VDS│≤│VP│ VDS↑→ID
處于飽和區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管相當(dāng)于一個(gè)壓控可變電阻
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結(jié)型效應(yīng)管的工作原理動(dòng)畫
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轉(zhuǎn)移特性 : 表示vDS一定時(shí)，iD與vGS之間的變化關(guān)系。
場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線動(dòng)畫
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轉(zhuǎn)移特性描述了在VDS一定時(shí)，VGS對(duì)iD的控制作用。可直接從輸出特性曲線上做圖求出。
當(dāng)|VGS - VDS |≥ | VP |后，管子工作在恒流區(qū)，VDS對(duì)iD的影響很小。實(shí)驗(yàn)證明，當(dāng)|VGS - VDS |≥ | VP | 時(shí)，iD可近似表示為：
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