上圖的柵極通過金屬氧化物與襯底形成一個電容，越是高品質的mos，膜越薄，寄生電容越大，經常mos管的寄生電容達到nF級。這個參數是mos管選擇時至關重要的參數之一，必須考慮清楚。Mos管用于控制大電流通斷，經常被要求數十K乃至數M的開關頻率，在這種用途中，柵極信號具有交流特征，頻率越高，交流成分越大，寄生電容就能通過交流電流的形式通過電流，形成柵極電流。消耗的電能、產生的熱量不可忽視，甚至成為主要問題。為了追求高速，需要強大的柵極驅動，也是這個道理。試想，弱驅動信號瞬間變為高電平，但是為了“灌滿”寄生電容需要時間，就會產生上升沿變緩，對開關頻率形成重大威脅直至不能工作。

　　解釋8：如何工作在放大區

　　Mos管也能工作在放大區，而且很常見。做鏡像電流源、運放、反饋控制等，都是利用mos管工作在放大區，由于mos管的特性，當溝道處于似通非通時，柵極電壓直接影響溝道的導電能力，呈現一定的線性關系。由于柵極與源漏隔離，因此其輸入阻抗可視為無窮大，當然，隨頻率增加阻抗就越來越小，一定頻率時，就變得不可忽視。這個高阻抗特點被廣泛用于運放，運放分析的虛連、虛斷兩個重要原則就是基于這個特點。這是三極管不可比擬的。

　　解釋9：發熱原因

　　Mos管發熱，主要原因之一是寄生電容在頻繁開啟關閉時，顯現交流特性而具有阻抗，形成電流。有電流就有發熱，并非電場型的就沒有電流。另一個原因是當柵極電壓爬升緩慢時，導通狀態要“路過”一個由關閉到導通的臨界點，這時，導通電阻很大，發熱比較厲害。第三個原因是導通后，溝道有電阻，過主電流，形成發熱。主要考慮的發熱是第1和第3點。許多mos管具有結溫過高保護，所謂結溫就是金屬氧化膜下面的溝道區域溫度，一般是150攝氏度。超過此溫度，mos管不可能導通。溫度下降就恢復。要注意這種保護狀態的后果。

　　但愿上述描述能通俗的理解mos管，下面說說幾個約定俗成電路：

　　1：pmos應用

　　一般用于管理電源的通斷，屬于無觸點開關，柵極低電平就完全導通，高電平就完全截止。而且，柵極可以加高過電源的電壓，意味著可以用5v信號管理3v電源的開關，這個原理也用于電平轉換。

　　2：nmos管應用

　　一般用于管理某電路是否接地，屬于無觸點開關，柵極高電平就導通導致接地，低電平截止。當然柵極也可以用負電壓截止，但這個好處沒什么意義。其高電平可以高過被控制部分的電源，因為柵極是隔離的。因此可以用5v信號控制3v系統的某處是否接地，這個原理也用于電平轉換。

　　3：放大區應用

　　工作于放大區，一般用來設計反饋電路，需要的專業知識比較多，類似運放，這里無法細說。常用做鏡像電流源、電流反饋、電壓反饋等。至于運放的集成應用，我們其實不用關注。人家都做好了，看好datasheet就可以了，不用按mos管方式去考慮導通電阻和寄生電容。