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有源OR-ing - MOSFET選擇策略詳解

2012年04月03日 11:15 本站整理 作者:秩名 用戶(hù)評(píng)論(0

  有源OR-ing

  最簡(jiǎn)單形式的OR-ing器件是一種二極管。當(dāng)OR-ing二極管失效時(shí),將通過(guò)不允許電流流入輸入電源來(lái)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)。OR-ing二極管允許電流僅以一個(gè)方向流動(dòng)。它們用于隔離冗余電源,因而一個(gè)電源的失效不會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)。消除單點(diǎn)失效,允許系統(tǒng)使用剩余的冗余電源來(lái)保持運(yùn)行。然而,實(shí)現(xiàn)這種隔離卻有難題。一旦該OR-ing二極管插入到電流路徑中,則會(huì)產(chǎn)生額外的功率損耗和效率降低。該功率損耗會(huì)導(dǎo)致OR-ing二極管發(fā)熱,因而需要增加散熱器,降低系統(tǒng)的功率密度。當(dāng)二極管關(guān)斷時(shí),其反向恢復(fù)會(huì)成為一個(gè)問(wèn)題——該二極管必須具有軟開(kāi)關(guān)特性。為克服其中的一些問(wèn)題,已使用了肖特基二極管。這些二極管和p-n二極管之間的一個(gè)重要差異,就是減小的正向壓降和可忽略的反向恢復(fù)。普通硅二極管的壓降介于0.7至1.7V之間;肖特基二極管的正向電壓降在0.2至0.55V之間。雖然肖特基二極管在用作OR-ing二極管時(shí),系統(tǒng)的傳導(dǎo)損耗降低,但肖特基二極管卻具有較大漏電流——這將帶來(lái)傳導(dǎo)損耗。該損耗低于硅二極管。

  這個(gè)問(wèn)題的替代解決方案是使用功率MOSFET替代肖特基二極管。這引入了額外的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,增加了復(fù)雜性。MOSFET的RDSON必須非常小,從而該MOSFET的壓降比肖特基二極管的正向壓降低很多,這可稱(chēng)為有源OR-ing。現(xiàn)代低壓MOSFET的RDSON非常低——即便采用TO-220或D2PAK封裝,它也可以低至幾毫歐。飛兆半導(dǎo)體采用PQFN56封裝的FDS7650,對(duì)于30V MOSFET可以小到低于1毫歐。當(dāng)OR-ing MOSFET導(dǎo)通時(shí),它允許電流以任一方向流動(dòng)。在失效情況下,冗余電源將產(chǎn)生大電流,因而OR-ing MOSFET必須快速關(guān)斷。飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench技術(shù)MOSFET也適用于這種應(yīng)用。

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