場效應管作用的特點及工作原理
場效應管是只要一種載流子參與導電，用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結型場效應三極管JFET和絕緣柵型場效應三極管IGFET之分。IGFET也稱金屬-氧化物-半導體三極管MOSFET。
MOS場效應管有加強型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型（MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導電類型。場效應管有三個電極：D（Drain）稱為漏極，相當雙極型三極管的集電極；G（Gate）稱為柵極，相當于雙極型三極管的基極；S（Source）稱為源極，相當于雙極型三極管的發射極。
加強型MOS（EMOS）場效應管道加強型MOSFET根本上是一種左右對稱的拓撲構造，它是在P型半導體上生成一層SiO2薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區，從N型區引出電極，一個是漏極D，一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導體稱為襯底（substrat），用符號B表示。
工作原理
1．溝道構成原理當Vgs=0V時，漏源之間相當兩個背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓，不會在D、S間構成電流。
當柵極加有電壓時，若0＜Vgs＜Vgs（th）時（VGS（th）稱為開啟電壓），經過柵極和襯底間的電容作用，將靠近柵極下方的P型半導體中的空穴向下方排擠，呈現了一薄層負離子的耗盡層。耗盡層中的少子將向表層運動，但數量有限，缺乏以構成溝道，所以依然缺乏以構成漏極電流ID。
進一步增加Vgs，當Vgs＞Vgs（th）時，由于此時的柵極電壓曾經比擬強，在靠近柵極下方的P型半導體表層中匯集較多的電子，能夠構成溝道，將漏極和源極溝通。假如此時加有漏源電壓，就能夠構成漏極電流ID。在柵極下方構成的導電溝道中的電子，因與P型半導體的載流子空穴極性相反，故稱為反型層（inversionlayer）。隨著Vgs的繼續增加，ID將不時增加。
在Vgs=0V時ID=0，只要當Vgs＞Vgs（th）后才會呈現漏極電流，這種MOS管稱為加強型MOS管。
VGS對漏極電流的控制關系可用iD=f（vGS）|VDS=const這一曲線描繪，稱為轉移特性曲線，見圖。
轉移特性曲線斜率gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制造用。gm的量綱為mA/V，所以gm也稱為跨導。
跨導的定義式如下：gm=△ID/△VGS|（單位mS）