MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管的簡(jiǎn)稱，是一種表面場(chǎng)效應(yīng)器件，是靠多數(shù)載流子傳輸電流的單極型器件。
MOS場(chǎng)效應(yīng)管可以是半導(dǎo)體材料Ge（鍺zhě）、Si（硅）為材料，也可以用化合物半導(dǎo)體GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦yīn）等材料，以Si使用最多，
MOS器件柵下絕緣層可以選用：SiO2和Si3N4等絕緣材料，其中SiO2最為普遍。MOS場(chǎng)效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)一般是一個(gè)四端器件。
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MOS場(chǎng)效應(yīng)管（以下簡(jiǎn)稱MOS管）中間是部分是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體組成的MOS電容結(jié)構(gòu)，是上圖中的中間柵極-絕緣層和n-Si襯底部分的結(jié)構(gòu)。
最上面是柵極G，在柵極施加電壓，可以改變絕緣層中的電場(chǎng)強(qiáng)度，控制半導(dǎo)體表面電場(chǎng)，從而改變半導(dǎo)體表面溝道的導(dǎo)電能力。
MOS管兩側(cè)的電極為源極和漏極，正常工作狀態(tài)是從源極流入溝道，從漏極流出，即上圖中的從左到右，中間穿過(guò)襯底n-Si部分。
MOS管的第四電極是襯底電極B，在單MOS管中，源極往往與襯底相連，而形成一個(gè)三端器件，在集成電路中，源極往往不與襯底相連，因此產(chǎn)生四端（四電極）器件。
MOSFET制造工藝和雙極型集成電路制造工藝相似。
下面以硅柵nMOS管的工藝為例，介紹完整MOSFET的典型形成過(guò)程：
（1）????? 襯底選擇，通常選用P型硅（300um厚）作為襯底材料
（2）????? 生長(zhǎng)場(chǎng)氧化層，形成器件之間的隔離氧化層
（3）????? 有源區(qū)光刻，采用掩模板對(duì)準(zhǔn)曝光，顯影，將所需要做的器件區(qū)域? ? ? ? ?（有源區(qū)）暴露出來(lái)，刻蝕掉該區(qū)域隔離氧化層。
（4）????? 光刻多晶硅，生長(zhǎng)柵氧化層，淀積多晶硅，之后采用掩模板對(duì)準(zhǔn)曝? ? ? ? ? 光，顯影，刻蝕掉其余多晶硅和柵氧化層。
（5）????? 源區(qū)和漏區(qū)摻雜，As擴(kuò)散或離子注入，形成nMOS的源區(qū)和漏區(qū)。
（6）????? 生長(zhǎng)磷硅玻璃（PSG）
（7）????? 光刻引線孔（接觸孔），涂膠后進(jìn)行掩模對(duì)準(zhǔn)，曝光顯影后刻蝕掉接觸孔部位的PSG。
審核編輯：劉清