1、NPN雙極型三極管的形成原理：
通過向發射極，基極，集電極注入雜質，當發射結電壓正偏，集電結電壓反偏時，即UC>UB>UE時，電子從發射極移動到集電極，形成導通電流，電流方向為正電荷方向，所以常見的電流方向是從集電極到發射極導通。
2、NPN雙極型晶體管的隔離和寄生pnp管：
集成電路中用到的元件結構和分立元件的單管結構不同，例如二極管（PN結），雖有單向導電性，但是不能用于集成電路，集成電路中的結構要復雜的多。
隔離技術：
由于所有晶塊有一個襯底，因此要通過電學隔離技術來避免元器件之間的干擾。
（1）采用介質隔離（通常用二氧化硅），如下圖2.11，在每個元器件（三極管電阻電容等）之間構筑一道隔離環，這樣就實現了元件之間的電隔離。
（2）采用PN結隔離，如下圖2.12，使兩個三極管之間的集電極之間插入P型襯底，只要插入的襯底P型比集電極的N型電位高，那么兩個晶體管之間就被反向偏置的PN結隔開，實現隔離目的。PN結隔離技術是一個四層三結結構。
四層：發射區（n），基區（p），集電區（n），襯底（p、）。
三結：發射結，集電結，隔離結（襯底結）。
注：這里我從網上找了好久都沒找到合適的圖，沒辦法，只能從書上找了一張示意圖，這樣有圖應該好理解一些。
從上圖可以看出，四層三結的NPN管中含有寄生的PNP管（由基區，集電區和襯底所構成），這個寄生的PNP管也是和分立元器件的顯著區別。
審核編輯：劉清
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