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淺析ESP32 - ULP 協處理器在低功耗模式下讀片內霍爾傳感器 HALL SENSOR

2018年10月07日 15:47 作者:工程師譚軍 用戶評論(0
  霍爾傳感器
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  霍爾傳感器是根據霍爾效應制作的一種磁場傳感器。霍爾效應是磁電效應的一種,這一現象是霍爾(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金屬的導電機構時發現的。后來發現半導體、導電流體等也有這種效應,而半導體的霍爾效應比金屬強得多,利用這現象制成的各種霍爾元件,廣泛地應用于工業自動化技術、檢測技術及信息處理等方面。霍爾效應是研究半導體材料性能的基本方法。通過霍爾效應實驗測定的霍爾系數,能夠判斷半導體材料的導電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數
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  磁場中有一個霍爾半導體片,恒定電流I從A到B通過該片。在洛侖茲力的作用下,I的電子流在通過霍爾半導體時向一側偏移,使該片在CD方向上產生電位差,這就是所謂的霍爾電壓。
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  霍爾電壓隨磁場強度的變化而變化,磁場越強,電壓越高,磁場越弱,電壓越低,霍爾電壓值很小,通常只有幾個毫伏,但經集成電路中的放大器放大,就能使該電壓放大到足以輸出較強的信號。若使霍爾集成電路起傳感作用,需要用機械的方法來改變磁感應強度。下圖所示的方法是用一個轉動的葉輪作為控制磁通量的開關,當葉輪葉片處于磁鐵和霍爾集成電路之間的氣隙中時,磁場偏離集成片,霍爾電壓消失。這樣,霍爾集成電路的輸出電壓的變化,就能表示出葉輪驅動軸的某一位置,利用這一工作原理,可將霍爾集成電路片用作用點火正時傳感器。霍爾效應傳感器屬于被動型傳感器,它要有外加電源才能工作,這一特點使它能檢測轉速低的運轉情況。
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  霍爾效應
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  霍爾效應從本質上講是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用引起的偏轉。當帶電粒子(電子或空穴)被約束在固體材料中,這種偏轉就導致在垂直電流和磁場的方向上產生正負電荷的聚積,從而形成附加的橫向電場。對于圖一所示的半導體試樣,若在X方向通以電流Is,在Z方向加磁場B,則在Y方向即試樣A,A′電極兩側就開始聚積異號電荷而產生相應的附加電場。電場的指向取決定于測試樣品的電類型。顯然,該電場是阻止載流子繼續向側面偏移,
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  當載流子所受的橫向電場力eEH與洛侖茲力相等時,樣品兩側電荷的積累就達到平衡,故有
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  ⑴
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  其中EH為霍爾電場,V是載流子在電流方向上的平均漂移速度。設試樣的寬為b,厚度為d,載流子濃度為n,則
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  ⑵
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  由⑴、⑵兩式可得
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  ⑶
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  即霍爾電壓VH(A、A′電極之間的電壓)與ISB乘積正比與試樣厚度d成反比。比例系數 稱為霍爾系數,它是反映材料霍爾效應強弱的重要參數,只要測出 VH(伏)以及知道IIs(安)、B(高斯)和d(厘 米)可按下式計算RH(厘米3/庫侖)
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  分類
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  霍爾傳感器分為線型霍爾傳感器和開關型霍爾傳感器兩種。
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  (一)開關型霍爾傳感器由穩壓器、霍爾元件、差分放大器,斯密特觸發器和輸出級組成,它輸出數字量。開關型霍爾傳感器還有一種特殊的形式,稱為鎖鍵型霍爾傳感器。
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  (二)線性型霍爾傳感器由霍爾元件、線性放大器和射極跟隨器組成,它輸出模擬量。
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  線性霍爾傳感器又可分為開環式和閉環式。閉環式霍爾傳感器又稱零磁通霍爾傳感器。線性霍爾傳感器主要用于交直流電流和電壓測量。。
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  開關型
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  如圖4所示,其中Bnp為工作點“開”的磁感應強度,BRP為釋放點“關”的磁感應強度。當外加的磁感應強度超過動作點Bnp時,傳感器輸出低電平,當磁感應強度降到動作點Bnp以下時,傳感器輸出電平不變,一直要降到釋放點BRP時,傳感器才由低電平躍變為高電平。Bnp與BRP之間的滯后使開關動作更為可靠。
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  鎖鍵型
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  如圖5所示,當磁感應強度超過動作點Bnp時,傳感器輸出由高電平躍變為低電平,而在外磁場撤消后,其輸出狀態保持不變(即鎖存狀態),必須施加反向磁感應強度達到BRP時,才能使電平產生變化。
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  線性型
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  輸出電壓與外加磁場強度呈線性關系,如圖3所示,可見,在B1~B2的磁感應強度范圍內有較好的線性度,磁感應強度超出此范圍時則呈現飽和狀態。
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  開環式電流傳感器
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  由于通電螺線管內部存在磁場,其大小與導線中的電流成正比,故可以利用霍爾傳感器測量出磁場,從而確定導線中電流的大小。利用這一原理可以設計制成霍爾電流傳感器。其優點是不與被測電路發生電接觸,不影響被測電路,不消耗被測電源的功率,特別適合于大電流傳感。
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  霍爾電流傳感器工作原理如圖6所示,標準圓環鐵芯有一個缺口,將霍爾傳感器插入缺口中,圓環上繞有線圈,當電流通過線圈時產生磁場,則霍爾傳感器有信號輸出。
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  閉環式電流傳感器
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  磁平衡式電流傳感器也叫霍爾閉環電流傳感器,也稱補償式傳感器,即主回路被測電流Ip在聚磁環處所產生的磁場通過一個次級線圈,電流所產生的磁場進行補償, 從而使霍爾器件處于檢測零磁通的工作狀態。
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  磁平衡式電流傳感器的具體工作過程為:當主回路有一電流通過時,在導線上產生的磁場被聚磁環聚集并感應到霍爾器件上, 所產生的信號輸出用于驅動相應的功率管并使其導通,從而獲得一個補償電流Is。 這一電流再通過多匝繞組產生磁場 ,該磁場與被測電流產生的磁場正好相反,因而補償了原來的磁場, 使霍爾器件的輸出逐漸減小。當與Ip與匝數相乘 所產生的磁場相等時,Is不再增加,這時的霍爾器件起指示零磁通的作用 ,此時可以通過Is來平衡。被測電流的任何變化都會破壞這一平衡。 一旦磁場失去平衡,霍爾器件就有信號輸出。經功率放大后,立即就有相應的電流流過次級繞組以對失衡的磁場進行補償。從磁場失衡到再次平衡,所需的時間理論上不到1μs,這是一個動態平衡的過程。

  本文提供了 ESP32 - ULP 協處理器如何在低功耗模式下讀片內霍爾傳感器的例子

  1. 霍爾傳感器

  根據霍爾效應,當電流垂直于磁場通過 N 型半導體時,會在垂直于電流和磁場的方向產生附加電場,從而在半導體兩端形成電勢差,具體高低與電磁場的強度和電流大小有關。當恒定電流穿過磁場或電流存在于恒定磁場時,霍爾效應傳感器可用于測量磁場強度。霍爾傳感器的應用場合非常廣泛,包括接近探測、定位、測速與電流檢測等。

  2. 霍爾傳感器讀取示例

  本例子 ULP 協處理器每隔 3 S 喚醒一次,喚醒后在低功耗模式下讀取霍爾傳感器值, 通過 hall phase shift 兩次,讀取 vp 和 vn 值 各兩次一共四個值,減去共模的部分可以得出 offset 值,這個值可以用來表征環境對霍爾傳感器的影響。如圖,第一次打印的數值是周圍未有強磁場的情況下測得的霍爾傳感器數值;第二次打印的數值是使用了一枚釹鐵硼磁鐵的 N 極接近 ESP32 時獲取的數值;第三次打印的數值是釹鐵硼磁鐵的 S 極接近 ESP32 時獲取的數值,可以看出霍爾傳感器的數值發生了較大的變化。

  3. 系統連接

  HALL SENSOR 和 SAR ADC 連接情況見下圖,HALL SENSOR 的 SENSOR_VP 和 SENSOR_VN 管腳分別連接到 SAR ADC1 的 SAR_MUX = 1 和 SAR_MUX = 4 上。

  下表是 SAR ADC1 的輸入信號及 SAR_MUX 通道

  信號名/GPIOSAR_ADC1,SAR_MUX

  SENSOR_VP (GPIO36)1

  SENSOR_CAPP (GPIO37)2

  SENSOR_CAPN (GPIO38)3

  SENSOR_VN (GPIO39)4

  32K_XP (GPIO33)5

  32K_XN (GPIO32)6

  VDET_1 (GPIO34)7

  VDET_2 (GPIO35)8

  4. 編譯配置及燒錄程序

  ESP32 的 C 語言編譯環境安裝和配置參照 鏈接地址,另外 ULP 協處理器目前只支持匯編編程,所以還需要安裝匯編工具鏈,下面介紹匯編工具鏈的安裝和配置。

  4.1 匯編環境的配置

  ULP 協處理器配置匯編編譯工具鏈,只需兩步即可安裝配置完畢,下面給出 ubuntu 操作系統下配置的步驟,或者點擊 鏈接地址 獲得更多 ULP 編程信息

  第一步, 下載工具鏈 binutils-esp32ulp toolchain 鏈接地址, 解壓到需要安裝的目錄

  第二步,添加工具鏈的 bin 目錄到系統環境變量 PATH 中。例如我的解壓目錄是 /opt/esp32ulp-elf-binutils 那么添加 export PATH=/opt/esp32ulp-elf-binutils/bin:$PATH 這一行到 /home 目錄的隱藏文件 .bashrc 文件最后一行,保存關閉文件并使用命令 source .bashrc 使上述環境變量生效

  4.2 配置編譯燒錄

  至此,匯編編譯環境就安裝好了,在 esp-iot-solution /examples/ulp_hall_sensor/ 目錄下依次運行以下命令,進行 default config 配置并編譯、燒錄程序。

  make defconfig

  make all -j8 && make flash monitor

  5. 軟件分析

  ULP 協處理器沒有內置讀霍爾傳感器相關的匯編指令,所以我們需要設置相關寄存器來讀取片內霍爾傳感器。

  在 void init_ulp_program() 函數中設置 ADC1 通道 1/2 輸入電壓衰減,用戶可以自己定義這個衰減值,較大的衰減將得到較小的 ADC 值。

  /* The ADC1 channel 0 input voltage will be reduced to about 1/2 */

  adc1_config_channel_atten(ADC1_CHANNEL_0, ADC_ATTEN_DB_6);

  /* The ADC1 channel 3 input voltage will be reduced to about 1/2 */

  adc1_config_channel_atten(ADC1_CHANNEL_3, ADC_ATTEN_DB_6);

  /* ADC capture 12Bit width */

  adc1_config_width(ADC_WIDTH_BIT_12);

  /* enable adc1 */

  adc1_ulp_enable(); 12345678

  在超低功耗模式下,需要預先設置相關的寄存器之后才可以通過 SAR ADC1 來讀取 HALL SENSOR 值。

  /* SENS_XPD_HALL_FORCE = 1, hall sensor force enable, XPD HALL is controlled by SW */

  WRITE_RTC_REG(SENS_SAR_TOUCH_CTRL1_REG, SENS_XPD_HALL_FORCE_S, 1, 1)

  /* RTC_IO_XPD_HALL = 1, xpd hall, Power on hall sensor and connect to VP and VN */

  WRITE_RTC_REG(RTC_IO_HALL_SENS_REG, RTC_IO_XPD_HALL_S, 1, 1)

  /* SENS_HALL_PHASE_FORCE = 1, phase force, HALL PHASE is controlled by SW */

  WRITE_RTC_REG(SENS_SAR_TOUCH_CTRL1_REG, SENS_HALL_PHASE_FORCE_S, 1, 1)

  /* RTC_IO_HALL_PHASE = 0, phase of hall sensor */

  WRITE_RTC_REG(RTC_IO_HALL_SENS_REG, RTC_IO_HALL_PHASE_S, 1, 0)

  /* SENS_FORCE_XPD_SAR, Force power up */

  WRITE_RTC_REG(SENS_SAR_MEAS_WAIT2_REG, SENS_FORCE_XPD_SAR_S, 2, SENS_FORCE_XPD_SAR_PU)1234567891011121314

  之后,使用 ADC 指令多次讀取片內霍爾傳感器 phase_vp 和 phase_vn 的值,累加并計算平均值后,將霍爾傳感器值保存到 Sens_Vp0 ,Sens_Vn0 這兩變量中。

  /* do measurements using ADC */

  /* r2, r3 will be used as accumulator */

  move r2, 0

  move r3, 0

  /* initialize the loop counter */

  stage_rst

  measure0:

  /* measure Sar_Mux = 1 to get vp0 */

  adc r0, 0, 1

  add r2, r2, r0

  /* measure Sar_Mux = 4 to get vn0 */

  adc r1, 0, 4

  add r3, r3, r1

  /* increment loop counter and check exit condition */

  stage_inc 1

  jumps measure0, adc_oversampling_factor, lt

  /* divide accumulator by adc_oversampling_factor.

  Since it is chosen as a power of two, use right shift */

  rsh r2, r2, adc_oversampling_factor_log

  /* averaged value is now in r2; store it into Sens_Vp0 */

  move r0, Sens_Vp0

  st r2, r0, 0

  /* r3 divide 4 which means rsh 2 bits */

  rsh r3, r3, adc_oversampling_factor_log

  /* averaged value is now in r3; store it into Sens_Vn0 */

  move r1, Sens_Vn0

  st r3, r1, 01234567891011121314151617181920212223242526272829303132

  接下來,需要 shift 霍爾傳感器的 phase,設置寄存器 RTC_IO_HALL_SENS_REG 的 RTC_IO_HALL_PHASE 位置 1 , 并再次讀取片內霍爾傳感器 phase_vp 和 phase_vn 的值,同上,累加并計算平均值后,保存到 Sens_Vp1 ,Sens_Vn1 中。

  /* RTC_IO_HALL_PHASE = 1, phase of hall sensor */

  WRITE_RTC_REG(RTC_IO_HALL_SENS_REG, RTC_IO_HALL_PHASE_S, 1, 1)12

  最后,在喚醒主 CPU 后,通過以上四個數值計算出 offset 的值并打印出來。

  static void print_hall_sensor()

  {

  printf(“ulp_hall_sensor:Sens_Vp0:%d,Sens_Vn0:%d,Sens_Vp1:%d,Sens_Vn1:%d\r\n”,

  (uint16_t)ulp_Sens_Vp0,(uint16_t)ulp_Sens_Vn0,(uint16_t)ulp_Sens_Vp1,(uint16_t)ulp_Sens_Vn1);

  printf(“offset:%d\r\n”, ((uint16_t)ulp_Sens_Vp0 - (uint16_t)ulp_Sens_Vp1) - ((uint16_t)ulp_Sens_Vn0 - (uint16_t)ulp_Sens_Vn1));

  }123456

  6. 總結

  ESP32 中的霍爾傳感器經過專門設計,可向低噪放大器和 SAR ADC 提供電壓信號,實現磁場傳感功能。在超低功耗模式下,該傳感器可由 ULP 協處理器控制。ESP32 內置了霍爾傳感器在位置傳感、接近檢測、測速以及電流檢測等應用場景下成為一種極具吸引力的解決方案。


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