電阻式傳感器測量電路
以典型的固態壓阻式壓力傳感器為例，硅單晶材料在受到外力作用產生極微小應變時，其內部原子結構的電子能級狀態會發生變化，從而導致其電阻率劇烈變化。用此材料制成的電阻也就出現極大變化，這種物理效應稱為壓阻效應。利用壓阻效應原理，采用集成工藝技術經過摻雜、擴散，沿單晶硅片上的特點晶向，制成應變電阻，構成惠斯登電橋（Wheats tone bridge），利用硅材料的彈性力學特性，在同-片硅材料上進行各向異性微加工，就制成了一個集力敏與力電轉換檢測于一體的擴散硅傳感器。再給傳感器匹配一個放大電路及相關外圍部件，使之輸出一一個標準信號，就組成了一臺完整的變送器。
硅壓阻式傳感器一般對溫度比較敏感，但隨著集成工藝技術的進步，擴散硅敏感膜的四個電阻一致性也得到進一步提高，而且在新一代的傳感器中，原始的手工補償已被激光調阻、計算機自動修調等技術所替代，傳感器的溫度系數已經非常小了，工作溫度范圍也大幅度提高了。
熱電阻式傳感器測量電路
熱電阻的測量電路通常采用不平衡電橋來轉換，熱電阻在工業測量橋路中的接法常采用兩線制（如圖2所示）和三線制（如圖3所示）兩種。采用三線制電橋可消除和減小引線電阻的影響。
2熱電阻兩線測量橋路
1—電阻體 2—引出線 3—顯示表
3熱電阻三線測量橋路
1—電阻體 2—引出線 3—顯示表